本文主要研究内容
作者任卫朋,罗燕,刘凯,陈靖,王立春（2019）在《保温时间对GaAs功率芯片钎缝组织及性能的影响》一文中研究指出：GaAs芯片的使用性能受其散热效果决定,而散热主要依靠散热垫块与芯片连接的钎缝来决定。为增加钎缝的散热效果和基体结合强度,文中分别在芯片层利用物理气相沉积方法沉积Pd和Au膜,而在Cu/Mo/Cu散热垫块上沉积Ni和Au膜,采用AuSn20共晶钎料,研究保温时间对钎焊缝组织和界面结合性能影响。研究结果表明:共晶结构主要由15～20μm厚的合金层和0.5～3μm厚的IMC层构成。随着保温时间延长,合金中Sn元素会逐渐被IMC层消耗,合金成分往富Au的(L+ζ′)相区迁移,相比例增加,保温时间超过60 s后, IMC层厚度超过3.9μm,剪切力快速减小至89.67 N。
Abstract
GaAsxin pian de shi yong xing neng shou ji san re xiao guo jue ding ,er san re zhu yao yi kao san re dian kuai yu xin pian lian jie de qian feng lai jue ding 。wei zeng jia qian feng de san re xiao guo he ji ti jie ge jiang du ,wen zhong fen bie zai xin pian ceng li yong wu li qi xiang chen ji fang fa chen ji Pdhe Aumo ,er zai Cu/Mo/Cusan re dian kuai shang chen ji Nihe Aumo ,cai yong AuSn20gong jing qian liao ,yan jiu bao wen shi jian dui qian han feng zu zhi he jie mian jie ge xing neng ying xiang 。yan jiu jie guo biao ming :gong jing jie gou zhu yao you 15～20μmhou de ge jin ceng he 0.5～3μmhou de IMCceng gou cheng 。sui zhao bao wen shi jian yan chang ,ge jin zhong Snyuan su hui zhu jian bei IMCceng xiao hao ,ge jin cheng fen wang fu Aude (L+ζ′)xiang ou qian yi ,xiang bi li zeng jia ,bao wen shi jian chao guo 60 shou , IMCceng hou du chao guo 3.9μm,jian qie li kuai su jian xiao zhi 89.67 N。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自焊接技术的任卫朋,罗燕,刘凯,陈靖,王立春，发表于刊物焊接技术2019年06期论文，是一篇关于芯片论文,钎料论文,过渡层论文,界面反应论文,组织演变论文,焊接技术2019年06期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自焊接技术2019年06期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。