导读:本文包含了微光成像器件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:微光图像数字化,电子轰击CMOS,倍增电子分布,逻辑时序
微光成像器件论文文献综述
张海舟[1]（2018）在《EBCMOS微光成像器件性能测试平台的设计及研究》一文中研究指出微光图像数字化已成为微光夜视技术的主要发展方向之一,而电子轰击型器件EBCMOS(Electron Bombardment Complementary Metal Oxide Semiconductor)在超弱星光或更低光照条件下也能完成对目标物体的清晰成像,同时其低噪声以及纳秒级门控带来的时间和空间高分辨率等优势都是目前固体成像器件无法替代的。EBCMOS是一种新型的数字化微光成像器件,具有体积小、重量轻、高灵敏度以及超低照度下可工作等诸多优势,因此对电子轰击型器件EBCMOS的研究成为了今后微光成像器件的主要发展趋势。目前国内对EBCMOS微光成像器件的研究尚处于理论研究阶段,且国内有关其性能的测试平台没有相应的研究报道。为了展开对EBCMOS微光成像器件的相关研究,本文依据EBCMOS微光成像器件的工作原理构建其性能测试平台,设计性能提取电路的逻辑时序,进行真空电子轰击实验对其性能进行测试与验证,实现器件性能的数字化描述。为了完成以上研究工作,本文围绕电子倍增机理、性能提取电路及逻辑时序设计、真空电子轰击实验等关键技术展开研究,主要分为以下叁个部分:第一部分:从半导体电子倍增层中电子倍增机理出发,依据低能电子与固体间相互作用模型结合Monte-Carlo模拟方法,研究EBCMOS不同表面氧化层厚度对入射光电子能量损失的影响;模拟研究入射光电子在倍增层处的电子运动轨迹,并依此分析倍增区内倍增电子的分布情况;模拟研究电荷收集效率随倍增层指数掺杂结构变化时的情况,理论优化的器件结构电荷收集效率可达92%。同时对EBCMOS电子倍增层的背减薄处理工艺展开研究,这为EBCMOS微光成像器件性能测试平台的研究提供了坚实的理论与技术基础。第二部分:对EBCMOS微光成像器件的性能提取电路展开研究,设计并制作以FPGA为控制器的性能提取电路硬件系统—图像传感器模块、信号接收与处理模块、数据存储模块以及VGA显示模块四部分组成;在此基础上,针对EBCMOS微光成像器件设计独有的逻辑时序,完成模拟图像到数字图像的转换过程,探究EBCMOS微光成像器件性能数字化描述的实现方法。第叁部分:构建EBCMOS微光成像器件性能测试平台,进行真空电子轰击实验,完成器件性能提取电路的验证性实验及相关性能参数的测试;根据真空电子轰击实验测试结果,优化并校正其性能提取电路的逻辑时序设计,实现对EBCMOS微光成像器件性能的数字化描述,并获取到符合预期的图像信息,进而为EBCMOS微光成像器件的性能表征提供理论与技术支撑。本文的研究成果希望可以为EBCMOS微光成像器件性能测试的相关研究提供一些参考和帮助。(本文来源于《长春理工大学》期刊2018-06-01）
张海舟,母一宁,王连锴,詹丹,宋德[2]（2017）在《EBCMOS微光成像器件的研究》一文中研究指出依据低能电子与固体间相互作用模型结合Monte-Carlo模拟方法,研究了EBCMOS不同表面氧化层厚度对入射光电子能量损失的影响。模拟研究了入射光电子在倍增层处的电子运动轨迹,并依此分析了倍增区内倍增电子的分布情况。模拟研究了电荷收集效率随倍增层指数掺杂结构变化时情况,理论优化的器件结构电荷收集效率可达92%,这对相同驱动高压下获得高增益的微光成像器件具有理论指导意义。EBCMOS电子倍增层制备实验研究表明,通过机械研磨和等离子刻蚀技术可实现超薄电子倍增层的制备。设计了真空系统中电子倍增层的电子增益测试系统,并通过雪崩二极管反偏电流随高压电的变化测试证实该倍增电子在半导体层一侧的存在。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2017年10期）
刘智超,樊桂花,郭惠超,范有臣[3]（2015）在《新型微光成像器件及应用》一文中研究指出采用全固态微光成像器件是未来微光成像的发展趋势。介绍了2种全固态微光器件EMCCD、InxGa1-xAs,分析了其成像性能,描述了其研究现状,对比了传统的真空光电成像与全固态微光成像性能指标,阐明了微光成像器件向着高灵敏度、低噪声、宽光谱响应和强适应能力方向发展。(本文来源于《红外技术》期刊2015年08期）
马浩文[4]（2013）在《垂直电荷成像器件（VPS）的工作机理及其微光夜视可行性的研究》一文中研究指出随着人类科技的发展,图像传感器在现代生活中已经越来越重要,而目前已有的第一代成像芯片CCD和第二代成像芯片CMOS-APS在分辨率,成像速度和微光探测等方面都没有特别优异的性能,虽然有些特殊结构的传感器可以满足部分条件,但无法同时实现这些目标,如基于CCD的EMCCD可以实现微光成像但无法高速成像,而目前在国际上很受青睐的SPAD又由于其外围电路的复杂而无法进行大规模集成,目前只有万像素级别的SPAD存在。因此研究电路简单的高速微光图像传感器在有着极其重要的意义。本文详细研究了新型的基于闪存技术的垂直电荷成像技术(VPS)的多种工作方式的工作机理,从理论的角度论证了其各个工作方式的特点并对其微光夜视的可行性进行了分析。同时通过对0.13μm flash工艺制造的VPS芯片开展了一系列测试,主要成果如下：1.分析了VPS源漏浮空工作模式的FN隧穿的机理以及源漏接地工作模式的衬底热电子注入的机理,并通过实验证明了理论的正确性,并分别用实验数据分析了这两种工作模式各自的特点,存在的优缺点以及相关可能的改进方案。2.从理论的角度论证了VPS的微光探测的可行性,并通过实验进行了相关测试,证明了理论的正确。同时通过对实验结果的分析提出了利用VPS的FN隧穿探测模式进行微光探测目前存在的问题以及可能的解决方案。3.提出了在VPS中利用类似闪存雪崩注入的方法放大光信号进行为弱光探测的方法,同时在实验中证明了VPS中雪崩放大现象的存在,以及目前VPS在雪崩光电探测模式中存在的问题。4.设计了VPS高速探测的电路,并进行了初步的测试得到了相关的实验结果,同时针对VPS由于暗电流过大而影响微弱光探测的问题提出了两种基于VPS的新的单元结构,详细讲述了两种单元结构的工作方法,并进行了一定程度的仿真。(本文来源于《南京大学》期刊2013-05-01）
徐江涛,闫磊,程耀进,侯志鹏,刘蓓蓓[5]（2012）在《微光成像器件阴极封接铟锡合金焊料杂质分析研究》一文中研究指出为解决微光成像器件管体熔化铟锡合金层出现的气泡、熔层断裂,流散不均匀等质量问题,利用俄歇谱仪和CS-344碳硫联合测定仪对焊料材料杂质进行了分析研究。结果表明,焊料体内吸收的杂质主要是H2,O2,C,S元素,它们是焊料熔层气泡产生的主要原因。焊料基材表面氧化,污染会造成焊料熔层断裂,通过改进工艺,研究了一种管体高效焊料熔化工艺,保证了焊料熔化质量,研制成功了高性能二代近贴微光管和紫外阴极像增强器。(本文来源于《真空电子技术》期刊2012年05期）
邵冲[6]（2008）在《微光成像器件制冷结构设计与噪声性能分析研究》一文中研究指出微光成像器件——像增强器是一种能够将微弱的光学图像信号进行放大,以达到人眼或者电子观测系统灵敏度要求的电子光学器件。经过半个多世纪的发展,通过不断的改进和完善,目前已经发展到了第四代。其应用领域也越来越广阔,从最初的夜视扩展到国防、医疗、科研等领域。本文的工作背景是像增强器在微光成像领域中的应用,其原理是:通过高速的超短脉冲对光阴极进行选通驱动,获得单幅的图像输出。像增强器作为微光成像系统的核心器件,其性能对于整个系统性能至关重要。通过对形成像增强器噪声的各项因素的深入分析和研究,发现光阴极的热电子发射噪声是引起像增强器荧光屏背景亮度的主要因素。本文工作的重点就围绕如何降低像增强器的热噪声而展开。降低热噪声的工作主要就是如何对像增强器光阴极进行降温。鉴于半导体制冷技术结构简单,制冷时间快,温度控制精度高等诸多优点,采用这种制冷方式并结合水循环可以实现迅速的降温。为了实现像增强器的制冷,并且能让它正常工作,我们设计了一种内置像增强器的腔体。这个腔体在实现制冷、电信号接入基本功能的同时,还具有防水、视窗防冷凝、内部防高压击穿等功能,保证像增强器能稳定、安全、可靠的工作。在使用半导体制冷器并结合冰水混合物水循环的状态下,可以使像增强器光阴极处的温度降到-39℃,当不使有冰水混合物水循环而用室温水循环状态下,可以使像增强器光阴极处的温度降到-20℃为了验证降温对降低像增强器背景噪声的有效性,我们设计了两个实验。一个是测试背景噪声和温度关系的实验,利用具有高灵敏度的光电倍增管来测量像增强器荧光屏的输出亮度。通过实验,发现随着温度的下降,背景噪声有明显的下降,并且呈指数下降趋势。温度从常温23℃下降到-37℃,噪声大小下降了23dB。等效背景噪声两倍常数为5.79℃,与国外文献中的结果十分接近,在一定程度上证明了实验数据的可靠性。第二个实验是比较制冷前(20℃)和制冷后(-15℃)所得分辨率板成像图片的对比度。图像的清晰度也有明显的提高,并且通过剖线分析,发现图像的麦克尔逊对比度提高了10.9%。同时,通过上述工作,我们发现,在使用半导体制冷器+冰水混合物水循环与半导体制冷器+室温水循环两种状态的比较试验下,噪声抑制能力分别达到23dB和16dB,表明即使不具备水制冷外部设备,常温条件下,该系统也能有很好的噪声抑制能力,系统更具实用性。(本文来源于《上海交通大学》期刊2008-12-01）
谢剑锋,王英瑞[7]（2006）在《微光CCD成像器件性能比较研究》一文中研究指出首先回顾微光成像技术的发展,然后介绍了各类固体微光成像器件,比较各自的灵敏度,分析计算极低微光条件下的探测能力。结果表明,EMCCD更适合于低微光下目标的探测。(本文来源于《2006年全国光电技术学术交流会会议文集（E 光电子器件技术专题）》期刊2006-11-01）
谢剑锋,王英瑞[8]（2006）在《微光CCD成像器件性能比较研究》一文中研究指出首先回顾微光成像技术的发展,然后介绍了各类固体微光成像器件,比较各自的灵敏度,分析计算极低微光条件下的探测能力。结果表明,EMCCD 更适合于低微光下目标的探测。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2006年S5期）
李震,税东冬,邹永星[9]（2003）在《电荷耦合器件图像传感器在微光成像系统中的应用》一文中研究指出本文在对电荷耦合器件图像传感器的原理特性进行分析的基础上,阐述了电荷耦合器件图像传感器在微光成像系统中的应用,重点讨论了使电荷耦合器件具有微光特性所采取的几种方式,并指出了应用当中应该注意的几个问题及解决的途径。(本文来源于《电子质量》期刊2003年11期）
姜忠宝,高俊国,段少丽,陈雷,王昌盛[10]（2003）在《弹载微光电荷耦合器件及其成像技术研究》一文中研究指出与无人机侦察相比,侦察炮弹的的应用范围更加广阔。目前国内在这方面已开始进行预研。本文介绍微光电荷耦合器件(CCD)的特性和探测能力;分析弹体的飞行和旋转对成像的影响及纠正的措施。分析表明弹载成像技术已经具有低照度下工作的能力,且能在某种程度上克服飞行给成像带来的不利影响。(本文来源于《电子元器件应用》期刊2003年09期）
微光成像器件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
依据低能电子与固体间相互作用模型结合Monte-Carlo模拟方法,研究了EBCMOS不同表面氧化层厚度对入射光电子能量损失的影响。模拟研究了入射光电子在倍增层处的电子运动轨迹,并依此分析了倍增区内倍增电子的分布情况。模拟研究了电荷收集效率随倍增层指数掺杂结构变化时情况,理论优化的器件结构电荷收集效率可达92%,这对相同驱动高压下获得高增益的微光成像器件具有理论指导意义。EBCMOS电子倍增层制备实验研究表明,通过机械研磨和等离子刻蚀技术可实现超薄电子倍增层的制备。设计了真空系统中电子倍增层的电子增益测试系统,并通过雪崩二极管反偏电流随高压电的变化测试证实该倍增电子在半导体层一侧的存在。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
微光成像器件论文参考文献
[1].张海舟.EBCMOS微光成像器件性能测试平台的设计及研究[D].长春理工大学.2018
[2].张海舟,母一宁,王连锴,詹丹,宋德.EBCMOS微光成像器件的研究[J].真空科学与技术学报.2017
[3].刘智超,樊桂花,郭惠超,范有臣.新型微光成像器件及应用[J].红外技术.2015
[4].马浩文.垂直电荷成像器件（VPS）的工作机理及其微光夜视可行性的研究[D].南京大学.2013
[5].徐江涛,闫磊,程耀进,侯志鹏,刘蓓蓓.微光成像器件阴极封接铟锡合金焊料杂质分析研究[J].真空电子技术.2012
[6].邵冲.微光成像器件制冷结构设计与噪声性能分析研究[D].上海交通大学.2008
[7].谢剑锋,王英瑞.微光CCD成像器件性能比较研究[C].2006年全国光电技术学术交流会会议文集（E光电子器件技术专题）.2006
[8].谢剑锋,王英瑞.微光CCD成像器件性能比较研究[J].红外与激光工程.2006
[9].李震,税东冬,邹永星.电荷耦合器件图像传感器在微光成像系统中的应用[J].电子质量.2003
[10].姜忠宝,高俊国,段少丽,陈雷,王昌盛.弹载微光电荷耦合器件及其成像技术研究[J].电子元器件应用.2003