导读:本文包含了掩蔽层论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:MgO薄膜,刻蚀选择比,掩蔽层,图形化
掩蔽层论文文献综述
马睿,蔡长龙[1]（2013）在《MgO掩蔽层及其腐蚀法图形化工艺的探究》一文中研究指出MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对MgO薄膜图形化的工艺参数。(本文来源于《电子测试》期刊2013年08期）
郑志霞[2]（2012）在《双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀》一文中研究指出由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求。提出使用双重掩蔽层的方法实现石英晶体的高深宽比刻蚀,即石英晶体和单晶硅键合,然后在单晶硅表面生长二氧化硅,二氧化硅作为刻蚀单晶硅的掩蔽层,单晶硅作为刻蚀石英晶体的掩蔽层。ICP刻蚀过程使用SF6作为刻蚀气体、C4H8作为钝化气体、He作为冷却气体。控制好气体的流量和配比,选择合适的射频功率,能刻蚀出深度为30μm,宽度为50μm的深槽。该工艺对开发新型石英晶体器件有积极的意义。(本文来源于《半导体技术》期刊2012年02期）
蔡长龙,马睿,刘卫国,刘欢,周顺[3]（2009）在《硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究》一文中研究指出基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证。研究了在感应耦合等离子体刻蚀过程中射频功率和气体流量对不同材料刻蚀性能的影响,获得了在SF6等离子体中Si,SiO2,MgO以及Al等材料的刻蚀速率,同时获得了在该等离子体中Si相对SiO2,MgO以及Al的选择比。通过比较研究,得到了硅深刻蚀中最佳的掩蔽层材料及刻蚀工艺参数。(本文来源于《半导体光电》期刊2009年02期）
蔡长龙,马睿,刘卫国[4]（2008）在《硅深刻蚀中掩蔽层材料的研究》一文中研究指出掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,Al及Si刻蚀速率变化的影响,获得了SF6等离子体对Si与SiO2,Si与MgO,Si与Al的选择比.结果表明:MgO薄膜作为掩蔽层、射频功率为800 W,气体流量为50 sccm或80 sccm是深刻蚀中适宜的工艺参数.(本文来源于《西安工业大学学报》期刊2008年04期）
刘晶海[5]（1997）在《地震折射法中掩蔽层问题的一种近似解》一文中研究指出对于多层地质结构，如果地层速度往下依次增大，可以用折射法求界面深度。但是，假设存在速度倒转或者层位太薄，或者它的速度虽高于上层，但数值不合适，以至于不能得到它的初至时间，就不能用常规方法探测它。在这种情况下，时距曲线上得不到相应层的线段，也就是说该层被隐(本文来源于《吉林水利》期刊1997年08期）
何奕骅,许春芳,范焕章,孙卓,王学军[6]（1995）在《用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜》一文中研究指出本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。(本文来源于《华东师范大学学报(自然科学版)》期刊1995年04期）
JohnF,R,李祥[7]（1995）在《半导体生产中硬质掩蔽层(SiN,SiN/Poly)的去除》一文中研究指出半导体生产对掩蔽层有强烈的依赖关系。因为在许多步骤中，掩蔽层对其下层结构有保护作用。大家熟悉的光刻软质膜基本是由有机材料组成的。至于硬质掩蔽层，象局部氧化用（LOCOS）SiN层，是无机的，它可承受更加恶劣的工艺环境。同样，它们要求用专门的去除技术，本文讨论了湿法和干法硬质掩蔽层的去除方法。(本文来源于《微电子技术》期刊1995年06期）
G.J.Dolan,张友谕[8]（1978）在《用于剥离光刻的补偿掩蔽层》一文中研究指出描述了一种用单一掩蔽层的光刻剥离工艺制作亚微米薄膜图形和简单的多层结构的技术。此技术采用在衬底上的掩蔽层补偿及倾斜淀积薄膜的方法。它提供一个制作小面积的Josephson结和厚度变化的超导桥的简单方法。对于制作电路中的这类器件,此法也是适用的。作为例子,强调了它在超导技术中的应用,但是在其它领域里也可找到它的用途。(本文来源于《半导体情报》期刊1978年06期）
掩蔽层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求。提出使用双重掩蔽层的方法实现石英晶体的高深宽比刻蚀,即石英晶体和单晶硅键合,然后在单晶硅表面生长二氧化硅,二氧化硅作为刻蚀单晶硅的掩蔽层,单晶硅作为刻蚀石英晶体的掩蔽层。ICP刻蚀过程使用SF6作为刻蚀气体、C4H8作为钝化气体、He作为冷却气体。控制好气体的流量和配比,选择合适的射频功率,能刻蚀出深度为30μm,宽度为50μm的深槽。该工艺对开发新型石英晶体器件有积极的意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
掩蔽层论文参考文献
[1].马睿,蔡长龙.MgO掩蔽层及其腐蚀法图形化工艺的探究[J].电子测试.2013
[2].郑志霞.双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀[J].半导体技术.2012
[3].蔡长龙,马睿,刘卫国,刘欢,周顺.硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究[J].半导体光电.2009
[4].蔡长龙,马睿,刘卫国.硅深刻蚀中掩蔽层材料的研究[J].西安工业大学学报.2008
[5].刘晶海.地震折射法中掩蔽层问题的一种近似解[J].吉林水利.1997
[6].何奕骅,许春芳,范焕章,孙卓,王学军.用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜[J].华东师范大学学报(自然科学版).1995
[7].JohnF,R,李祥.半导体生产中硬质掩蔽层(SiN,SiN/Poly)的去除[J].微电子技术.1995
[8].G.J.Dolan,张友谕.用于剥离光刻的补偿掩蔽层[J].半导体情报.1978