导读:本文包含了岛状薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氧化锌,电泵浦激光,随机激光,光电子集成
岛状薄膜论文文献综述
刘春阳,鞠莹,王帅,母一宁[1]（2018）在《基于岛状多晶氧化锌薄膜的电泵浦紫外随机激光》一文中研究指出光电子集成是当前光电技术和信息工程领域的新趋势和研究热点,其中光源集成化和工艺相容性已成为制约其进一步发展和应用的关键问题。报道了一种设计简单的、可直接集成在硅衬底上面的激子型激光二极管器件和工艺。基于岛状多晶氧化锌薄膜构建了一个金属/绝缘体/半导体(Au/MgO/ZnO MIS)异质结器件。利用Si衬底与ZnO外延层之间天然的大晶格失配,诱导ZnO薄膜表面形成了高度无序的多晶岛状纳米结构,从而在异质结激活层(ZnO/MgO界面区域)形成了高度无序的折射率随空间变化的散射介质。这极大增强了光学散射,有利于获得低阈值的随机激射。文中这种简单的光源器件结构设计和制备工艺提供了一种自下而上的实现氧化锌基集成光电子器件的新思路。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2018年12期）
王继飞[2]（2011）在《银纳米岛状薄膜的制备及其性能研究》一文中研究指出金属纳米颗粒独特的光学和化学特性,引起了学者们的广泛关注,被应用于光学转换器、生物探测、传感器和薄膜太阳能电池等众多领域。研究表明,银纳米颗粒薄膜的表面等离子体特性能够有效的增强有机太阳能电池的光学吸收,提高电池的光电流。为了适应不同材料的需求,对银纳米岛状薄膜等离子体共振光吸收波段的调控显得至关重要。为此,本文重点探讨了银纳米岛状薄膜表面等离子体共振光吸收波段的影响因素,对薄膜的吸收光谱进行了理论模拟,并解释了其物理机制。将银纳米岛状薄膜引入到酞菁铜薄膜中,研究了对其吸收光谱的影响。使用磁控溅射设备制备银纳米岛状薄膜。通过改变薄膜制备条件来改变薄膜的光学常数和几何参数。发现基底温度对于薄膜的光学常数有重要影响,改变淀积时间对粒子的尺寸、粒径比、薄膜的体积分数有明显影响,通过引入Ti02薄膜来改变基底介电环境,可调控银纳米岛状薄膜的共振光吸收波长。用M-G有效介质理论建立模型进行模拟分析,对实验现象进行了解释说明；利用银纳米薄膜表面等离子体特性来增强酞菁铜薄膜的光学吸收,并制备了ITO/Ag/CuPc/Ag单质结结构的有机太阳能电池,研究了银纳米岛状薄膜对电池电性能的影响。通过改变银纳米岛状薄膜的厚度、银纳米岛状薄膜以及酞菁铜薄膜的淀积顺序探讨对酞菁铜吸收光谱的影响,并从理论上对薄膜吸收光谱的变化进行解释。(本文来源于《中南大学》期刊2011-05-01）
李连碧,陈治明,李青民[3]（2009）在《SiC衬底上SiCGe薄膜的岛状机理分析》一文中研究指出对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC(0001)面上外延生长的SiCGe薄膜结构进行了机理分析.SiCGe薄膜具有球形岛和叁角形层状堆迭岛两种岛状结构,球形岛为金刚石型结构,而叁角形层状堆迭岛则为闪锌矿型结构.认为球形岛是Ge富集后,高温析出形成的,而叁角岛则是堆垛层错形成四面体的露头.生长温度的变化会引起球形岛和叁角岛的相互转变,其原因主要有两方面:一方面,高温时,立方SiC相比SiCGe相更为稳定,随着温度的升高,SiCGe相逐渐向SiC相转变,替位式的Ge原子的数量会有所下降,从而使SiCGe外延层和SiC衬底间的晶格失配度减小,于是薄膜的生长模式由3D岛状变为2D生长,仅仅靠产生叁角形堆垛层错释放失配应力;另一方面,生长温度越高,原子能量就越大,达到理想位置的原子比例越高,就会表现出材料本身的结构特征,而面心立方的{111}面上这种结构特征的体现就是叁角形堆垛层错的产生.(本文来源于《材料科学与工艺》期刊2009年05期）
李连碧,陈治明,林涛,蒲红斌,李佳[4]（2007）在《SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理》一文中研究指出对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC(0001)面上外延生长的 SiCGe 薄膜进行了结构分析。发现薄膜具有球形岛和叁角型层状堆迭岛两种岛状结构,球形岛为金刚石型结构,而叁角型层状堆迭岛则为闪锌矿型结构。两种岛的生长都沿着〈111〉方向,这有利于与衬底6H-SiC 的晶格匹配。(本文来源于《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》期刊2007-09-01）
李连碧[5]（2007）在《SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理》一文中研究指出SiC由于禁带较宽，对可见光和近红外光都不敏感，其光电子学应用因而受到极大限制。在SiC上外延生长SiCGe薄膜，通过调节SiCGe中各组分的比例来调节SiCGe材料的禁带宽度，实现对近红外和可见光的较强吸收，进而开发碳化硅在光电子技术领域的新应用，具有很高的实用价值。本文介绍利用热壁化学气相沉积(HWCVD)法在SiC衬底上异质外延生长SiCGe合金薄膜的方法以及工艺条件对薄膜岛状生长特征的影响。主要结论如下：1．岛的形貌结构主要受控于生长温度。提高生长温度，薄膜表面自发形成的岛由金刚石型的球形结构转变为闪锌矿型的叁角型层状堆迭结构；同时，也观察到SiCGe薄膜的生长遵循SK(Stranski-Krasannov)模式。在两种结构的岛的下方，近衬底处存在闪锌矿型二维(2D)生长层，其厚度取决于生长温度。在较高的生长温度下，2D生长层较厚，达到了40 nm，约为生长温度较低时的两倍。2．源气体对薄膜岛状特征的影响分为两方面来考虑。一方面，增大GeH_4流量，有利于生长尺寸大、密度高的岛。在GeH_4流量为10 SCCM时，得到了直径约30 nm、密度极高的纳米岛，且岛的排布也相当均匀而有规律：另一方面，降低C_3H_8流量，有利于生长粒径小、密度大、粒径均匀性好的样品。3．SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长包括形核、成长和联并叁个过程。对初始形核密度较低的生长条件，在初始形核岛联并之前的成长过程中，仍有可能发生新岛的形核。(本文来源于《西安理工大学》期刊2007-03-01）
贡辉[6]（2003）在《岛状纳米结构薄膜的电化学制备及其特殊红外性能》一文中研究指出Pt、Ru、Pd、Rh等铂族金属以及它们的合金通常具有良好的催化性能，作为催化剂材料被广泛地应用于能源转化、绿色合成等重大领域。具有纳米结构、纳米尺度的铂族金属纳米材料往往表现出更优异的催化性能从而备受关注。纳米材料的性能与其结构密切相关。因此深入研究纳米材料的结构与性能之间的内在联系与规律，对于揭示其特殊性能的本质、进一步优化和提高纳米材料的性能等方面具有深刻的意义。本研究小组采用电化学循环伏安电沉积法在GC基底上制备层状纳米结构金属薄膜，以CO作为分子探针，观察到异常红外效应(AIREs)光谱特征，即CO等探针分子发生红外吸收增强、红外谱峰方向倒反(反吸收)和谱峰变宽(振动能级离散程度增加)。研究结果进一步证明，AIREs是纳米结构铂族金属及合金薄膜材料普遍具有的特殊红外光学性能。深入认识AIREs与纳米结构的关系，对于探索AIREs的机理、发展纳米科技的基础理论等方面无疑将具有重要的意义。 本论文采用快速电位扫描法(FPCTW或SWORC)、循环伏安(CV)电沉积、FPCTW和CV电沉积联用等方法，在单根可寻址微铂电极(PtME)阵列(individually addressable microelectrode array, MEA1)上制备了PtME(T_τ)(FPCTW处理τ时间)、PtME(S_τ)(SWORC处理τ时间)、Pt(n)／PtME(PtME上电沉积n周Pt)、Pt(10)／PtME(T_τ)(PtME(T_τ)上电沉积10周Pt)、Ru(n)／PtME(PtME上电沉积n周Ru)、Pd(n)／PtME(PtME上电沉积n周Pd)、Rh(n)／PtME(PtME上电沉积n周Rh)、Rh(10)／PtME(T_τ)(PtME(T_τ)上电沉积10周Rh)等一系列纳米结构薄膜的微电极阵列。同时运用组合论的思想，发展了单根可寻址微电极阵列与原位显微镜傅立叶变换红外反射光谱(in situ MFTIRS)相结合的表面组合检测方法。以CO分子为探针，系统地研究了纳米结构薄膜材料的特殊红外性能。使用CV、STM(扫描隧道显微镜)、SEM(扫描电镜)等方法对各种纳米结构薄膜材料的结构作了系统的考察，由此获得金属薄膜的红外性能与其纳米结构之间的内在联系。结果进一步表明AIREs与基底、制备方法无关。本论文首次观察到特定纳米结构薄膜(厚度大于13nm，岛状结构)材料的Fano类型光谱特征(Fano-like spectral feature)。这一发现为深入认识低维纳米材料特殊红外光学性能的本质提供了新的实验依据。本文还首次观察到随着纳米结构的变化，探针分子的光谱特征从正常的红外吸收到Fano类型光谱，最后到AIREs光谱的转化过程。还发现吸附在纳米结构薄膜上的CO在SPAFTIR(或SNIFTIR)和MSFTIR光谱中的谱峰形状具有规律性的对应关系。本论文对发展表面组合电化学的方法进行了有益的探索。结果表明，表面组合电化学方法具有显着缩短研究周期和提高研究效率等优点，因此有望成为一种新方法被应用在电化学的研究之中。本论文的研究结果对于揭示低维纳米材料的结构与性能的关系，认识低维纳米结构材料的本质，发展红外反射光谱学、纳米科技等相关的基础理论，以及筛选性能优良电催化剂等方面具有重要价值。 本论文工作的主要内容及研究结果如下:1.分子水平表面组合电化学研究方法初探 以电化学in situ MFTIRS为分析检测手段，自行设计和制备MEAI，在分子水平上开展表面组合电化学研究。 定量地研究T insituMFTIRS方法的光谱分辨率(Res)与信噪比(S/N)的关系。发现在单光束光谱采集次数不变的情况下，s闪随Re，的变化顺序为:1 cm”<2cm’’<4cm’’<8 cm一’<16cm’’。在S队FTIRS和SNIFTIRS实验中，探讨了阶跃电位差(业)对COad红外谱峰强度的影响。观察到CO记红外双极谱峰的峰峰值(In-P)和正向峰和负向峰积分强度之和(Aco)都随着刁君的增加逐渐增大。纳米结构薄膜RME(T--somin)电极上coad的红外吸收能够被显着增强。使用PtME(T--80min)电极得到的红外检测灵敏度相对于使用本体PtME提高了2一3倍。使用sPA盯IRS方法研究了coad的谱峰强度随红外显微镜方形光阑尺寸的变化关系。测得电化学in:itu MFTIRs的最大空间分辨率为40x40”衬，以及所使用的红外显微镜能够检测到的最大面积为33ox330”m2.发挥MEAI上所有电极的电位能够被灵活控制的操作优势，从实验的角度验证了PtME直径为0.2mm、相邻PtME间距为lmm的MEAI上不存在电化学偶合现象。结果指出MEAI上的MEij可以被看作电化学行为上相对独立，可以进行平行实验研究的9根RME。采用MEAI开展纳米结构与红外性能关系的研究，对于提高实验数据间可比性等发挥了重要作用。2.岛状纳米结构薄膜的电化学制备及其特殊红外性能研究 本文以MEAI为基底，分别使用FPCTW、SWORC、CV电沉积法、FPCTW和CV电沉积联用等四种电化学方法，制备了四类金属(Pt、Ru、Pd、孙)不同纳米结构的薄膜。使用Cv、STM、SEM等方法对各种纳米结构薄膜作了系统的研究。依据组合论的思想，以CO为探针分子，结合单根可寻址的微电极阵列和in situ MFTIRS，快速系统地研究了各种纳米结构金属薄膜的特殊红外性能。 cv研究中发现，纳米结构薄膜PtME(T--r)和Pt(10)用tME(T--力电极的电化学表面相对粗糙度 (Rr)随着动增加趋近一稳定值，分别为2.26和12.5。然而(本文来源于《厦门大学》期刊2003-04-01）
岛状薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
金属纳米颗粒独特的光学和化学特性,引起了学者们的广泛关注,被应用于光学转换器、生物探测、传感器和薄膜太阳能电池等众多领域。研究表明,银纳米颗粒薄膜的表面等离子体特性能够有效的增强有机太阳能电池的光学吸收,提高电池的光电流。为了适应不同材料的需求,对银纳米岛状薄膜等离子体共振光吸收波段的调控显得至关重要。为此,本文重点探讨了银纳米岛状薄膜表面等离子体共振光吸收波段的影响因素,对薄膜的吸收光谱进行了理论模拟,并解释了其物理机制。将银纳米岛状薄膜引入到酞菁铜薄膜中,研究了对其吸收光谱的影响。使用磁控溅射设备制备银纳米岛状薄膜。通过改变薄膜制备条件来改变薄膜的光学常数和几何参数。发现基底温度对于薄膜的光学常数有重要影响,改变淀积时间对粒子的尺寸、粒径比、薄膜的体积分数有明显影响,通过引入Ti02薄膜来改变基底介电环境,可调控银纳米岛状薄膜的共振光吸收波长。用M-G有效介质理论建立模型进行模拟分析,对实验现象进行了解释说明；利用银纳米薄膜表面等离子体特性来增强酞菁铜薄膜的光学吸收,并制备了ITO/Ag/CuPc/Ag单质结结构的有机太阳能电池,研究了银纳米岛状薄膜对电池电性能的影响。通过改变银纳米岛状薄膜的厚度、银纳米岛状薄膜以及酞菁铜薄膜的淀积顺序探讨对酞菁铜吸收光谱的影响,并从理论上对薄膜吸收光谱的变化进行解释。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
岛状薄膜论文参考文献
[1].刘春阳,鞠莹,王帅,母一宁.基于岛状多晶氧化锌薄膜的电泵浦紫外随机激光[J].红外与激光工程.2018
[2].王继飞.银纳米岛状薄膜的制备及其性能研究[D].中南大学.2011
[3].李连碧,陈治明,李青民.SiC衬底上SiCGe薄膜的岛状机理分析[J].材料科学与工艺.2009
[4].李连碧,陈治明,林涛,蒲红斌,李佳.SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理[C].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007
[5].李连碧.SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理[D].西安理工大学.2007
[6].贡辉.岛状纳米结构薄膜的电化学制备及其特殊红外性能[D].厦门大学.2003