本文主要研究内容
作者魏明龙,江雪,王颖玥,赖芮涟,王建波,邱晓燕（2019）在《金属基底层上NiO(111)外延薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制》一文中研究指出：利用射频磁控溅射方法在Pt层上制备了沿<111>晶向外延生长的NiO薄膜,研究了其晶体微结构和变温电阻开关特性.微结构观测分析发现, NiO(111)薄膜与Pt层满足"立方-立方"晶格生长关系.在周期性外电场作用下,薄膜中氧空位的定向漂移和电极附近银离子的氧化还原反应相互促进,使得在较低的翻转电压下即可在薄膜中形成周期性导通/截断的氧空位导电丝通道,从而使得Ag/NiO(111)/Pt存储单元在室温至80°C测试温度范围里的电流-电压曲线均呈现稳定的双极性电阻开关特性.运用Arrhenius作图法以及肖特基热激发隧穿公式拟合薄膜高阻态电流-温度曲线符合线性关系,表明薄膜高阻态漏电流符合肖特基热激发隧穿机制.
Abstract
li yong she pin ci kong jian she fang fa zai Ptceng shang zhi bei le yan <111>jing xiang wai yan sheng chang de NiObao mo ,yan jiu le ji jing ti wei jie gou he bian wen dian zu kai guan te xing .wei jie gou guan ce fen xi fa xian , NiO(111)bao mo yu Ptceng man zu "li fang -li fang "jing ge sheng chang guan ji .zai zhou ji xing wai dian chang zuo yong xia ,bao mo zhong yang kong wei de ding xiang piao yi he dian ji fu jin yin li zi de yang hua hai yuan fan ying xiang hu cu jin ,shi de zai jiao di de fan zhuai dian ya xia ji ke zai bao mo zhong xing cheng zhou ji xing dao tong /jie duan de yang kong wei dao dian si tong dao ,cong er shi de Ag/NiO(111)/Ptcun chu chan yuan zai shi wen zhi 80°Cce shi wen du fan wei li de dian liu -dian ya qu xian jun cheng xian wen ding de shuang ji xing dian zu kai guan te xing .yun yong Arrheniuszuo tu fa yi ji xiao te ji re ji fa sui chuan gong shi ni ge bao mo gao zu tai dian liu -wen du qu xian fu ge xian xing guan ji ,biao ming bao mo gao zu tai lou dian liu fu ge xiao te ji re ji fa sui chuan ji zhi .
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自中国科学:物理学 力学 天文学的魏明龙,江雪,王颖玥,赖芮涟,王建波,邱晓燕，发表于刊物中国科学:物理学 力学 天文学2019年04期论文，是一篇关于外延薄膜论文,变温论文,电阻开关特性论文,隧穿机制论文,中国科学:物理学 力学 天文学2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自中国科学:物理学 力学 天文学2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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