导读:本文包含了钛酸锶钡薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铁电薄膜,电子能带结构,光学特性,带尾
钛酸锶钡薄膜论文文献综述
李延青,吴曼,杨静[1]（2019）在《锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响（英文）》一文中研究指出通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰掺杂的收缩可以归因为锰3d轨道降低了导带底的能级及掺杂后晶格的减小.掺杂锰离子的随机占位和非等价掺杂后氧空位浓度的增加则是导致局域带尾态拓宽的主要原因.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年05期）
贺安鹏[2]（2019）在《P型非晶碳薄膜/钛酸锶表面电子气异质结光致负磁电阻的特性研究》一文中研究指出铝酸镧(LaAlO_3,LAO)与钛酸锶(SrTiO_3,STO)均是钙钛矿结构的绝缘氧化物。近年来,研究人员在LAO/STO异质结界面诱发出高浓度的电子气,其拥有量子霍尔效应、磁电阻、超导等绝缘氧化物所不具备的物理特性。而另一种制备电子气的方法是通过Ar~+轰击STO在其表面诱发氧空位,其产生的电子气与LAO/STO界面电子气具有许多相似的物理特性,如磁电阻、持续光电导效应等。尽管电子气是电子导电体系(n型),直到目前尚没有研究表明它可与p型材料构成p-n结。一个主要的难点是电子气一般隐藏在界面之中,很难与其它材料形成接触。而Ar~+轰击制备的STO表面电子气(STO surface electron gas,SSEG)恰恰能解决该问题。因此本研究主要关注于利用该方法构建p-n结及其相关的物理特性。SSEG通过Ar~+轰击单晶STO(100)制备。经200 V与400 V电压加速的Ar~+轰击STO制备了载流子面密度(n_s)不同的SSEG,尽管n_s更小的SSEG展现出更低的迁移率,但它们都表现出金属行为。在n_s不同的SSEG中研究了光与磁电阻、磁与光电导效应的关系。实验结果表明:光照射在较小n_s的样品中表现出对正磁电阻的增益效果,而在较大的n_s样品中将抑制正磁电阻效应;在磁场的作用下,n_s更小的SSEG的光电导效应会被轻微的抑制,而n_s更大的SSEG的光电导效应被显着增强。本研究开发了一种简单、普适的Ar~+辐射方法用于p型非晶碳薄膜(p-type amorphous carbon film,p-a-C)/SSEG(p-a-C/SSEG)p-n结的构建,该方法还适用于SSEG与其它p型半导体材料p-n结的制备。之后在低温环境下研究了p-n结在黑暗和光辐射下的磁电阻特性,随着激光器的开启,p-n结从正磁电阻态演变为负磁电阻态。此外,光功率密度的改变只影响正磁电阻态转变到负磁电阻态所需的时间,而不改变最终的负磁电阻态。另一个非常有趣的现象是:p-a-C/SSEG异质结在经历一个光脉冲转变为负磁电阻态后,在无光条件下仍然保持着负磁电阻态,这表明该p-n结对光信号具有长期记忆能力,并且在去掉外加磁场后就可以转变为正磁电阻态。因此,p-a-C/SSEG异质结在可擦写光记忆存储器件方面具有应用前景。(本文来源于《苏州科技大学》期刊2019-04-01）
周歧刚[3]（2018）在《镍掺杂钛酸钡薄膜的溶胶——凝胶法制备及其光学性质研究》一文中研究指出采用溶胶-凝胶薄膜制备方法,以钛酸丁酯和乙酸钡为主要原料,制备了不同镍掺杂的钛酸钡薄膜。对所制得的膜样品进行XRD衍射测试以及紫外-可见分光光度计透过率测试,分析了不同含量镍掺杂对钛酸钡薄膜结构和光学性能的影响。(本文来源于《中国金属通报》期刊2018年09期）
荀威[4]（2018）在《掺杂钛酸钡薄膜的电子结构及光学性质》一文中研究指出近年来,因为铁电材料在光电功能器件中的潜在应用,对铁电材料光学性质的研究很活跃。铁电薄膜具有电场调控光伏特性、较高的光电转换效率以及输出较高的光生电压等优点。由于自由载流子可以屏蔽偶极子之间库仑相互作用,铁电性一直被认为不能与金属性共存。但是最近,相关实验证明铁电性和金属性可以共存。例如随着钛酸钡材料电子掺杂浓度的提高,体系的电阻表现出金属材料的导电行为,且钛酸钡块材会发生四方相到立方相的结构相变。因此,研究电子掺杂铁电块材和铁电薄膜是非常有意义的,尤其是其中的金属-绝缘相变、结构相变以及光学性质等具有非常丰富的物理图像。本论文利用第一性原理计算方法,研究La掺杂BaTi O_3薄膜以及电子掺杂BaTiO_3块材,详细研究了掺杂对铁电材料电子结构以及光学性质的影响。我们的研究内容可以概括为以下两个方面:1、铁电薄膜的掺杂效应通过第一性原理计算,把BaTiO_3薄膜表面附近的BaO原子层中的Ba原子用La原子取代,研究了掺杂对铁电薄膜极化的影响。发现当自发极化指向薄膜内部时,在适当浓度的电子掺杂情况下,表面态将从金属态转变为绝缘态,并且从表面层到薄膜内部形成梯度能隙。极化向上情形下,La掺杂的体系表面总是表现为金属态。因此,在外电场作用下可以实现BaTiO_3薄膜表面的金属-绝缘相变。2、电子掺杂对BaTiO_3块材光学性质的影响对BaTiO_3块材进行均匀电子掺杂,随着电子掺杂浓度达到临界电子浓度0.11e/u.c时,BaTiO_3会发生四方相到立方相的结构相变,铁电性消失。并且由于导带底掺杂的电子跃迁到高能级,体系在低能区出现新的吸收峰,BaTiO_3原本带隙吸收边发生蓝移现象。此外,我们还在2*2*2的BaTiO_3超胞中掺入一个La原子(用La原子取代Ba原子,掺杂浓度为0.125e/u.c)。此掺杂浓度下,均匀电子掺杂体系表现为立方相,铁电性消失,而La原子掺杂体系中由于掺杂电子局域在La原子周围,不能完全屏蔽偶极子间的相互作用,体系中铁电性和金属性仍然可以共存。我们的理论研究有望为铁电材料对光电功能器件的应用和设计提供指导。(本文来源于《苏州科技大学》期刊2018-06-01）
董汉莛[5]（2017）在《贱金属衬底上钛酸锶钡薄膜的制备及介电性能的唯象理论研究》一文中研究指出铁电薄膜材料根据其介电、压电、热释电、铁电性能等物理性能常被用于铁电移相器、压电能量收集器、热释电探测器、铁电存储器等器件。作为常用的一类铁电薄膜材料,钛酸锶钡(BST)薄膜具有较大的介电非线性,且由于其在微波调谐器件的应用而受到广泛关注。基于在MEMS结构移相器的潜在应用,本论文采用溶胶凝胶工艺在贱金属衬底上制备了BST多层薄膜。通过多层结构设计提高薄膜的调谐率,并结合唯象理论,研究面内应力与静电耦合效应对BST薄膜介电性能的影响。首先,在不锈钢(SS)衬底上制备BST薄膜,研究了LaNiO_3(LNO)缓冲层对BST薄膜结构和性能的影响。结果表明,引入150 nm的LNO缓冲层,使BST薄膜的晶化温度从750 ~oC下降至720 ~oC,并提高了BST薄膜的调谐率,降低了介电损耗和漏电流密度。BST/LNO薄膜在1 MHz下的介电损耗为0.053,在300 kV/cm电场下的调谐率为26.3%。其次,为了进一步提高LNO/SS衬底上BST薄膜的调谐率,设计制备了叁明治结构和组分梯度结构BST薄膜。叁明治结构Ba_xSr_(1-x)TiO_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Ba_xSr_(1-x)TiO_3和Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Ba_xSr_(1-x)TiO_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3多层薄膜的介电常数和调谐率与平均Ba/Sr比和迭层秩序密切相关,中间层Ba/Sr比较小的薄膜具有较大的介电常数和调谐率。Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的调谐率最大,在300 kV/cm电场下达到30.0%。从上表面到底电极Ba/Sr比逐渐增大的组分梯度Ba_(0.6-x )Sr_(0.4+x)TiO_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Ba_(0.6+x)Sr_(0.4-x)TiO_3/LNO/SS多层薄膜具有较大的介电常数和调谐率,以及较小的损耗和较好的温度稳定性,当x=0.2时,其1 MHz下的损耗为0.040,400 kV/cm电场下的调谐率达到42.0%,介电温度系数(TCP)为2.3×10~(-4)/~oC。进一步,基于铁电-介电层之间的静电耦合效应,在LNO/Ti衬底上制备了不同厚度的PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3多层薄膜。该薄膜中PZT和BST两相共存,晶粒尺寸和漏电流密度都小于单一组分PZT和BST薄膜。当BST含量α=0.5时,300 nm厚的多层薄膜在1 MHz下介电常数和调谐率出现峰值,分别达到501和41.1%,损耗为0.064。TCP为2.7×10~(-4)/~oC,具有较好的温度稳定性。最后,引入Landau-Devonshire(L-D)唯象理论模型研究了贱金属衬底上多层薄膜的应力和静电耦合效应对其介电性能的影响。采用L-D模型研究非外延多晶薄膜的介电性能需要考虑应力在薄膜与衬底界面上的面内弛豫,本文结合铁电临界晶粒尺寸对L-D模型进行了修正。用修正的L-D模型计算贱金属衬底上叁明治结构和组分梯度等BST多层薄膜的介电常数、调谐率和应力,与实验结果一致,并发现当多层薄膜承受较小的压应力时,表现出较大的介电常数和调谐率。此外,Ti衬底上PZT/BST多层薄膜的介电常数和调谐率的测量值介于未耦合和完全耦合的计算值之间,表明PZT和BST薄膜在厚度方向上发生了静电耦合。假设静电耦合范围为150 nm,不同厚度PZT/BST多层薄膜的介电常数和调谐率的计算值与实验结果具有较好的一致性。(本文来源于《上海大学》期刊2017-10-01）
周帆[6]（2017）在《脉冲激光沉积法制备钛酸锶钡薄膜及性能研究》一文中研究指出Ba1-xSrxTiO3(BST)薄膜材料因具有较高的介电常数及优良的介电非线性效应,在动态随机存储器(DRAM)及电压可调微波器件等方面具有良好的应用前景。为了与半导体工艺兼容,Si基BST薄膜成为当前研究热点之一。目前这类BST薄膜存在的主要问题是薄膜的介电损耗较高,难以达到应用要求,而掺杂改性成为试图解决这类问题的重要手段。本文首先采用固相反应法制备不同浓度Mn掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷,作为脉冲激光沉积(PLD)法制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜材料的靶材,随后在Si(001)基片上探究了 BST/LNO/Si的制备工艺,并研究了 Mn掺杂对BST薄膜性能的影响。主要研究成果如下:(1)首先通过固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷,研究了烧结温度对陶瓷靶材性能的影响并确定1300 ℃为最终烧结温度。随后制备了不同浓度Mn掺杂BST陶瓷,研究Mn掺杂浓度对BST陶瓷性能的影响。发现Mn掺杂会影响BST陶瓷的介电性能,样品介电常数随Mn掺杂浓度升高而降低,介电损耗随掺杂浓度升高先减小后增大。(2)采用自制靶材,在制备好的LNO/Si上用PLD法沉积BST薄膜,研究了 PLD法制备BST薄膜过程中沉积气压、激光能量和脉冲频率对薄膜结构的影响,确定了 BST薄膜最优的生长工艺为衬底温度650 ℃、氧分压5 Pa、激光能量220 mJ、脉冲频率2 Hz、沉积时间 60 min、靶基距离 45 mm。。(3)研究了 Mn掺杂浓度变化对BST薄膜介电性能的影响。结果发现Mn掺杂薄膜样品与陶瓷样品的介电性能随掺杂浓度变化有着相似的规律,即薄膜介电常数随Mn掺杂浓度升高而降低,介电损耗随掺杂浓度先减小后增大。另外,Mn掺杂起到了改善BST薄膜漏电流的作用。结果表明BST薄膜在掺杂浓度为2 mol%时介电性能相对较好。(本文来源于《西安理工大学》期刊2017-06-30）
王欣[7]（2017）在《外延钛酸锶薄膜及介电调谐性能研究》一文中研究指出钛酸锶(STO)薄膜在液氮温区具有非常好的非线性介电性质,这种介电常数随着外加电场变化的特性,使得它在电可调谐微波集成器件上有着广阔的应用前景。虽然介电材料已经得到了广泛的研究,但如何在实现高调谐率的同时依然保持较低的介电损耗仍然是研究的难点。近年来,研究发现多层外延薄膜可以实现这种协调。镍酸镧(LNO)薄膜与STO同属钙钛矿结构,具有良好的导电性且与STO晶格匹配性好,因而可以成为外延STO薄膜优异的电极材料。本文从STO薄膜的热处理温度和上电极材料两方面对其介电调谐性能的影响进行了研究,取得以下研究成果:(1)采用溶胶-凝胶法在(00l)LAO基板上制备了以LNO为底电极的外延STO薄膜,研究了异质同构薄膜取向特性的检测方法,发现采用高指数晶面可以分析外延薄膜的面内取向。进一步研究了热处理温度对STO/LNO复合薄膜介电调谐性能的影响,发现随着热处理温度的提高,Pt/STO/LNO结构的介电调谐率增加,介电损耗降低,最佳热处理温度下制备的Pt/STO/LNO复合结构的调谐率为49.8%,介电损耗为0.0115,优值因子为43.3。(2)采用感光溶胶-凝胶法制备出了具有良好导电性的LNO图形化薄膜,将其应用于STO/LNO复合薄膜上电极的制备,形成上下电极对称的LNO/STO/LNO电容结构,介电性能分析表明LNO/STO/LNO结构比Pt/STO/LNO结构介电性能更加优异,其优值因子可达到82.4。(3)通过J-V特性分析了 Pt、LNO上电极材料对STO/LNO结构中STO介电性能的影响机理。研究发现,随着温度的降低(80～300 K温度范围内),Pt/STO/LNO和LNO/STO/LNO两种异质结构中的漏电流密度均减小,进一步分析发现Pt/STO/LNO结构中Pt/STO界面存在肖特基势垒,LNO/STO/LNO结构中并没有观察到明显的势垒,肖特基势垒的存在影响了 STO的极化过程,导致Pt/STO/LNO异质结构中更高的介电损耗。(本文来源于《西安理工大学》期刊2017-06-30）
何聚,黄志永,许媛,刘琦[8]（2017）在《退火气氛对Mn掺杂钛酸锶钡薄膜的影响》一文中研究指出采用金属有机物分解法制备了(Ba_(0.95)Mn_(0.05))_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3薄膜,比较了两种退火气氛对样品的微观特性及磁性能的影响。XRD和AFM测试结果表明两种薄膜均为标准的钙钛矿结构,氧气退火样品具有更好的a轴取向和更大的晶粒度。磁性测量发现两种样品都有自旋玻璃行为,并且氮气退火样品的矫顽场和饱和磁矩都大于氧气退火样品,具有软磁特征。分析表明样品的磁性可能来源于Mn离子之间的交换作用以及束缚磁极化子的交换作用,而铁磁与反铁磁的竞争失措则导致了自旋玻璃转变。(本文来源于《黄山学院学报》期刊2017年03期）
邓梦杰[9]（2017）在《钛酸锶钡修饰二氧化钛薄膜的制备及其气敏性能的研究》一文中研究指出二氧化钛(TiO_2)半导体在一定条件下对氢气(H_2)的物理或化学吸附过程会引起其内部载流子浓度以及与电极间的肖特基势垒发生变化,从而引起测量电阻的改变。基于这一电阻变化原理的TiO_2的氢气传感器性能稳定,价格低廉,制备简单,应用前景广阔。TiO_2对于氢气的敏感程度(灵敏度)是衡量气敏材料性能的重要指标之一,研究者们陆续采用了表面修饰、掺杂、改变材料形貌等方法来提高其性能,其中表面修饰一直被认为是众多方法中最热门的手段之一,受到国内外学者们的高度重视。本文采用水热法制备纳米尺度的钛酸锶钡(BST)粉末以及取向生长的TiO_2薄膜,再用旋涂法将BST颗粒修饰到TiO_2薄膜表面,通过退火使其形成表面异质结。研究了表面活性剂及退火对BST粒径以及分散性能的影响,粉末退火对传感器灵敏度,响应及恢复时间的影响并分析了相应的机制,主要结果如下:1.采用水热法制备四种比例的BST纳米颗粒,分别为BT(Ba:Sr:Ti=1:0:1),BST(Ba:Sr:Ti=2:1:2),BST(Ba:Sr:Ti=2:3:2),ST((Ba:Sr:Ti=0:1:1)),以一定量的油酸作为分散剂,均得到了粒径在10-20 nm的超细纳米颗粒。将BST粉末置于500℃条件下退火五小时,显着地改善了其分散性能。2.通过旋涂法将BST粉末均匀地修饰在Ti O_2薄膜表面,将其在500℃退火10 min,形成稳定BST-Ti O_2异质结。相比于纯TiO_2薄膜,室温下BST-TiO_2异质结对于氢气在各个浓度区间灵敏度均有不同程度的提升,最高提升至21%。3.BST粉末退火对于氢气传感器恢复时间有很大影响,在100 ppm氢气浓度之下,纯TiO_2氢气传感器恢复时间为63.6 s,未退火BST粉末修饰TiO_2薄膜氢气传感器恢复时间最短为120.8 s,退火BST粉末修饰Ti O_2薄膜氢气传感器恢复时间最短低至38.2 s.4.对于四种比例的BST粉末来说,粉末退火之后的氢气传感器灵敏度显着提高,BST(2:1:2)和BST(2:3:2)的修饰效果优于BT和ST的修饰效果。(本文来源于《湖北大学》期刊2017-05-10）
姜楠[10]（2017）在《钛酸锶钡（Ba_(1-x)Sr_xTiO_3）薄膜的制备及介电和挠曲电性能研究》一文中研究指出钛酸锶钡(BST)是一种常见的铁电材料,它具有优良的介电性、铁电性、压电性和挠曲电性,因此被广泛的应用于传感器等领域中。近年来,电子元器件朝着微型化、轻量化发展,因此对钛酸锶钡薄膜材料的研究具有十分重要的意义。本文采用溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜,并且用同样的方法制备了具有并联结构的多层复合的钛酸锶钡/二氧化锆(BST/ZrO_2)薄膜和钛酸锶钡/氧化镁(BST/MgO)薄膜,解决了单层BST薄膜介电常数不高,挠曲电信号较弱等问题。研究了不同的制备工艺和掺杂对BST薄膜介电性能和挠曲电性能的影响,以及不同的非功能层和内电极层对双层BST复合薄膜介电和挠曲电性能的影响。论文首先用溶胶-凝胶法制备了均匀稳定的BST溶胶、Zr O_2溶胶、MgO溶胶和La_xSr_(1-x)CO_3(LSCO)溶胶,并用旋涂法在Si/SiO_2/Ti/Pt基底上分别制备了BST薄膜。研究发现,改变溶胶的pH值,Y~(3+)的掺杂量和烧结条件可以改善BST薄膜的微观结构并提高薄膜的介电和挠曲电性能。当BST溶胶的pH值为4.1,Y~(3+)的掺杂量为1mol%,烧结温度为800℃,保温15min时,薄膜致密度高,表面无裂纹,介电和挠曲电性能最佳,介电常数为409,介电损耗为0.0104,横向挠曲电系数0.83μC/m,等效压电常数为10.67×104μC/N。在单层BST薄膜的研究基础上,制备了具有并联结构的多层复合BST/ZrO_2薄膜和BST/MgO薄膜,研究了烧结温度对复合薄膜表面形貌、介电性能、挠曲电性能的影响。研究发现,当烧结温度为750℃时,以Au为顶电极及内电极时的BST/ZrO_2复合薄膜介电常数为790,介电损耗为0.0510,横向挠曲电系数1.50μC/m,等效压电常数为19.82×104μC/N;BST/MgO复合薄膜介电常数为800,介电损耗为0.0412,横向挠曲电系数2.00μC/m,等效压电常数为25.10×104μC/N。论文对比了Au薄膜和LSCO薄膜作为两种内电极材料对多层复合BST/ZrO_2薄膜和BST/MgO复合薄膜微观结构和介电性能的影响。研究发现,当复合薄膜烧结温度在750℃以下时,内电极材料的改变对于复合薄膜的微观结构和介电性能影响不大;当复合薄膜的烧结温度超过750℃时,以LSCO为内电极层的复合薄膜性能优于以Au为内电极层的复合薄膜。在800℃烧结时,以LSCO为内电极层的复合薄膜的介电性能最佳,BST/Zr O_2复合薄膜介电常数804,介电损耗0.0467;BST/MgO复合薄膜介电常数816,介电损耗0.0373。(本文来源于《江苏大学》期刊2017-04-24）
钛酸锶钡薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
铝酸镧(LaAlO_3,LAO)与钛酸锶(SrTiO_3,STO)均是钙钛矿结构的绝缘氧化物。近年来,研究人员在LAO/STO异质结界面诱发出高浓度的电子气,其拥有量子霍尔效应、磁电阻、超导等绝缘氧化物所不具备的物理特性。而另一种制备电子气的方法是通过Ar~+轰击STO在其表面诱发氧空位,其产生的电子气与LAO/STO界面电子气具有许多相似的物理特性,如磁电阻、持续光电导效应等。尽管电子气是电子导电体系(n型),直到目前尚没有研究表明它可与p型材料构成p-n结。一个主要的难点是电子气一般隐藏在界面之中,很难与其它材料形成接触。而Ar~+轰击制备的STO表面电子气(STO surface electron gas,SSEG)恰恰能解决该问题。因此本研究主要关注于利用该方法构建p-n结及其相关的物理特性。SSEG通过Ar~+轰击单晶STO(100)制备。经200 V与400 V电压加速的Ar~+轰击STO制备了载流子面密度(n_s)不同的SSEG,尽管n_s更小的SSEG展现出更低的迁移率,但它们都表现出金属行为。在n_s不同的SSEG中研究了光与磁电阻、磁与光电导效应的关系。实验结果表明:光照射在较小n_s的样品中表现出对正磁电阻的增益效果,而在较大的n_s样品中将抑制正磁电阻效应;在磁场的作用下,n_s更小的SSEG的光电导效应会被轻微的抑制,而n_s更大的SSEG的光电导效应被显着增强。本研究开发了一种简单、普适的Ar~+辐射方法用于p型非晶碳薄膜(p-type amorphous carbon film,p-a-C)/SSEG(p-a-C/SSEG)p-n结的构建,该方法还适用于SSEG与其它p型半导体材料p-n结的制备。之后在低温环境下研究了p-n结在黑暗和光辐射下的磁电阻特性,随着激光器的开启,p-n结从正磁电阻态演变为负磁电阻态。此外,光功率密度的改变只影响正磁电阻态转变到负磁电阻态所需的时间,而不改变最终的负磁电阻态。另一个非常有趣的现象是:p-a-C/SSEG异质结在经历一个光脉冲转变为负磁电阻态后,在无光条件下仍然保持着负磁电阻态,这表明该p-n结对光信号具有长期记忆能力,并且在去掉外加磁场后就可以转变为正磁电阻态。因此,p-a-C/SSEG异质结在可擦写光记忆存储器件方面具有应用前景。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
钛酸锶钡薄膜论文参考文献
[1].李延青,吴曼,杨静.锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响（英文）[J].红外与毫米波学报.2019
[2].贺安鹏.P型非晶碳薄膜/钛酸锶表面电子气异质结光致负磁电阻的特性研究[D].苏州科技大学.2019
[3].周歧刚.镍掺杂钛酸钡薄膜的溶胶——凝胶法制备及其光学性质研究[J].中国金属通报.2018
[4].荀威.掺杂钛酸钡薄膜的电子结构及光学性质[D].苏州科技大学.2018
[5].董汉莛.贱金属衬底上钛酸锶钡薄膜的制备及介电性能的唯象理论研究[D].上海大学.2017
[6].周帆.脉冲激光沉积法制备钛酸锶钡薄膜及性能研究[D].西安理工大学.2017
[7].王欣.外延钛酸锶薄膜及介电调谐性能研究[D].西安理工大学.2017
[8].何聚,黄志永,许媛,刘琦.退火气氛对Mn掺杂钛酸锶钡薄膜的影响[J].黄山学院学报.2017
[9].邓梦杰.钛酸锶钡修饰二氧化钛薄膜的制备及其气敏性能的研究[D].湖北大学.2017
[10].姜楠.钛酸锶钡（Ba_(1-x)Sr_xTiO_3）薄膜的制备及介电和挠曲电性能研究[D].江苏大学.2017