本文主要研究内容
作者赵红东,韩铁成（2019）在《纳米Si薄膜生长及其Monte-Carlo模拟》一文中研究指出：在玻璃衬底到靶的不同水平距离W (0.5、0.8和1.3 cm)条件下,使用脉冲激光沉积(PLD)方法分别制备了纳米Si薄膜。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,在三种样品上形成的纳米Si颗粒尺寸会随W的增加而增大。为了解释该现象,使用Monte-Carlo方法模拟了薄膜生长。对粒子相互作用范围α和最大行走步长进行实验和筛选,当α取2时,随着粒子在衬底上最大行走步长的增大,薄膜生长方式从分散生长转化为簇状生长。仿真结果表明粒子岛的平均尺寸呈逐渐增大趋势,这与实验结果具有良好的一致性。因此,随着W的增加,Si原子落到衬底上时更大的初始动能是导致纳米Si颗粒尺寸增大的主要原因。
Abstract
zai bo li chen de dao ba de bu tong shui ping ju li W (0.5、0.8he 1.3 cm)tiao jian xia ,shi yong mai chong ji guang chen ji (PLD)fang fa fen bie zhi bei le na mi Sibao mo 。sao miao dian zi xian wei jing (SEM)jie guo xian shi ,zai san chong yang pin shang xing cheng de na mi Sike li che cun hui sui Wde zeng jia er zeng da 。wei le jie shi gai xian xiang ,shi yong Monte-Carlofang fa mo ni le bao mo sheng chang 。dui li zi xiang hu zuo yong fan wei αhe zui da hang zou bu chang jin hang shi yan he shai shua ,dang αqu 2shi ,sui zhao li zi zai chen de shang zui da hang zou bu chang de zeng da ,bao mo sheng chang fang shi cong fen san sheng chang zhuai hua wei cu zhuang sheng chang 。fang zhen jie guo biao ming li zi dao de ping jun che cun cheng zhu jian zeng da qu shi ,zhe yu shi yan jie guo ju you liang hao de yi zhi xing 。yin ci ,sui zhao Wde zeng jia ,Siyuan zi la dao chen de shang shi geng da de chu shi dong neng shi dao zhi na mi Sike li che cun zeng da de zhu yao yuan yin 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自微纳电子技术的赵红东,韩铁成，发表于刊物微纳电子技术2019年08期论文，是一篇关于纳米材料论文,薄膜生长论文,脉冲激光沉积论文,模拟论文,微纳电子技术2019年08期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自微纳电子技术2019年08期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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