导读:本文包含了圆片级论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:微系统,圆片级叁维封装,玻璃回流工艺
圆片级论文文献综述
苏兆喜,邢朝洋,罗斌,汪子及,梁栋国[1]（2019）在《基于玻璃-硅复合基板的微系统圆片级叁维封装》一文中研究指出随着微系统追求更小的尺寸、更高的集成度,圆片级叁维封装技术已成为未来微系统封装的发展趋势。基于玻璃回流工艺,提出了一种新型圆片级叁维封装技术。设计了用于实现单模光纤阵列与玻璃基板上平面光波导之间耦合封装的U型槽阵列,采用高导硅作为垂直电引出,制备了玻璃-硅复合基板,并用玻璃帽实现了封装。玻璃-硅复合基板技术在叁维微系统和光电子封装领域中具有重要的应用前景。(本文来源于《导航与控制》期刊2019年02期）
齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷[2]（2019）在《圆片级迭层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用》一文中研究指出针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的迭层键合。采用玻璃—硅—玻璃叁层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10~(-9)Pa·m~3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年02期）
汪学方[3]（2018）在《内置皮拉尼计的硅通孔圆片级MEMS真空封装研究》一文中研究指出针对现有的圆片级真空封装存在检测难、易泄漏等问题,提出了内置皮拉尼计的硅通孔圆片级MEMS真空封装方法。研制了用于圆片级真空封装导线互连的硅通孔,探讨了玻璃盖板与硅圆片之间阳极键合工艺与硅圆片与硅圆片之间的金硅共晶键合工艺,研制了用于检测封装壳体内部真空度的皮拉尼计;研制了内置皮拉尼计的4英寸硅通孔圆片级真空封装,研制了低温激活非蒸散型吸气剂。实验研究表明,该研究解决了长时间保持真空度的问题。(本文来源于《机械与电子》期刊2018年10期）
赵永祺,石云波,赵思晗,焦静静,李飞[4]（2018）在《一种提高抗过载能力的圆片级真空封装》一文中研究指出为提高现有的MEMS高量程压阻式加速度传感器的抗过载能力,优化设计了一种新型圆片级封装结构。通过在敏感结构上增加防护层阻挡质量块位移来减小悬臂梁根部应力,从而防止其断裂,提高了传感器的抗过载和循环使用的能力。针对这一封装设计了一种后释放悬臂梁的加工工艺,减小了封装对悬臂梁的影响,通过抛光和阳极键合工艺实现真空封装,仿真分析封装前后传感器的固有频率和等效应力。结果表明该封装对加速度计的固有频率基本无影响,而抗过载能力提高了两倍以上,说明所设计的圆片级封装结构可以有效提高该类加速度传感器的抗过载能力。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2018年11期）
杨静,韩焕鹏,杨洪星,王雄龙,张伟才[5]（2018）在《圆片级封装用玻璃通孔晶片的减薄工艺》一文中研究指出对圆片级封装用玻璃通孔(TGV)晶片的减薄加工工艺进行了研究并最终确定出工艺路线。该减薄加工工艺主要包括机械研磨及化学机械抛光(CMP)过程。通过机械研磨,玻璃通孔晶片的残余玻璃层及硅层得到有效去除,整个晶片的平整度显着提高,用平面度测量仪测试该晶片研磨后的翘曲度与总厚度变化(TTV)值分别为7.149μm与3.706μm。CMP过程使得TGV晶片的表面粗糙度大幅度降低,经白光干涉仪测试抛光后TGV晶片的表面粗糙度为4.275 nm。通过该减薄工艺加工的TGV晶片能够较好满足圆片级封装时的气密性要求。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2018年09期）
罗荣峰[6]（2018）在《面向扇出型圆片级封装的内嵌硅转接板技术基础研究》一文中研究指出随着信息社会快速发展,人们对智能设备无论是外观设计还是性能应用上的需求与依赖都在不断提高。这些智能设备的核心则是基于半导体技术的微电子芯片。ITRS半导体技术蓝图2.0报告预测2021年最小晶体管尺寸将不再缩小,芯片层面集成与先进封装被认为是延续突破摩尔定律的关键路径,其中扇出型圆片级封装(Fan-Out Wafer Level Package,简称“FOWLP”)为先进封装的典型代表。根据国内外扇出型圆片级封装技术最新进展,本文提出了内嵌硅转接板技术,设计了面向不同应用的内嵌硅转接板实现扇出型圆片级封装迭层,该内嵌转接板衬底上含有数个凹坑结构,凹坑侧壁具有金属布线层,凹坑底部具有垂直贯穿衬底的电互连结构,两者结合实现贯穿内嵌硅转接板两个表面的电互连;微电子芯片通过正面贴装或倒装焊方式集成在凹坑底部,不同凹坑内芯片之间可通过上表面重布线层实现电连接,基于此种内嵌硅转接板迭层结构实现了扇出型圆片级3D封装。本文主要研究内容如下:(1)针对低频数字IC扇出型圆片级封装应用,提出了 一种以低阻硅柱为电互连的内嵌硅转接板设计结构。开发了玻璃回流工艺和KOH湿法腐蚀工艺,在凹坑衬底上实现了低阻硅柱与衬底的隔离,形成穿过硅转接板(Through Silicon Interposer,简称“TSI”)的垂直互连结构。研究了玻璃回流温度、深宽比等因素对环形深槽填充深度的影响规律,验证了硅转接板表面与凹坑上的TSI垂直互连结构通过凹坑侧壁金属布线形成电气连接,成功制备出具有内嵌TSI硅转接板的演示样品。同时,利用TSI阻值测试和击穿电压测试检测了其电学性能,利用红外光弹成像技术测试了硅转接板的TSI热应力分布情况,分析了该转接板在热循环下的应力情况;利用氦质谱检漏方法进行了气密性测试。(2)针对射频微电子芯片系统级封装应用,提出了一种基于空心铜TSV(Through Silicon Via,简称“TSV”)的内嵌硅转接板结构设计,开发了超声辅助四甲基氢氧化铵(TMAH)湿法腐蚀硅工艺,实现了光滑平整的内嵌凹坑,其表面粗糙度低至22.6nm,开发了双面TSV电镀工艺,在硅转接板两个表面、衬底凹坑内表面及TSV孔侧壁一次性电镀形成图形化金属层,成功制备了基于空心铜TSV的内嵌硅转接板样品。(3)为了验证开发的面向射频微电子芯片系统封装应用的空心铜TSV内嵌硅转接板,设计了射频多功能芯片3D迭层封装结构与装配工艺流程,仿真分析了集成装配过程中产生的热应力与热塑性应变分布情况,并分析了共面波导(Coplanar Waveguide,简称“CPW”)传输线密度的和TSV布局因素对热应力的影响规律,完成了射频芯片的装配与测试,初步验证了空心铜TSV的射频装配可行性。(本文来源于《厦门大学》期刊2018-06-30）
周杨,刘建峰,王波,吴博文,罗乐[7]（2018）在《一种天线、电感、电容圆片级集成工艺设计》一文中研究指出通信技术与消费电子产品的迅猛发展,使得小型化系统级集成的需求愈加迫切,其中最主要的问题之一是无源器件的集成,有时无源器件甚至决定了整体系统的性能。本文提出了一种天线-电感-电容圆片级集成结构,并给出了详细的工艺方案。最后提出了天线-电感-电容作为无源转接板的应用模型,同时基于ANSYS HFSS平台对双面互连穿硅通孔(TSV)传输结构进行了设计与仿真。(本文来源于《2018年全国微波毫米波会议论文集(上册)》期刊2018-05-06）
丁蕾,陈靖,杜国平,刘米丰,王立春[8]（2018）在《圆片级BCB键合的Cu-Cu互连技术研究》一文中研究指出研究了基于圆片级苯并环丁烯(Benzocyclobutence,BCB)键合技术的Cu-Cu互连的界面情况。提出一种Cu凸点插针形式的圆片级BCB键合结构,研究BCB预固化程度、键合压力以及BCB与Cu厚度差等因素对晶圆界面键合质量的影响,并对此键合结构进行了键合空洞检测与剖面SEM分析,以及温循可靠性评价。结果表明,当预固化温度为210℃、键合压力为2×10~5 Pa,电流密度为20mA/cm~2、Cu与BCB厚度差值为3μm时,键合结构界面无空洞、键合质量高,并且Cu-Cu互连导通良好,接触电阻小于10mΩ。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年02期）
胡启方,李男男,邢朝洋,刘宇,庄海涵[9]（2017）在《一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS叁明治电容式加速度计》一文中研究指出全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有叁层硅结构的MEMS叁明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双面KOH湿法腐蚀制造,腐蚀过程中使用台阶化的SiO_2作为硬掩模。硅盖板的加工主要通过KOH各向异性腐蚀和电感耦合等离子体垂直刻蚀完成。最后,上、下硅盖板通过基于Au-Si共晶反应的全硅键合技术从两侧与硅中间摆片进行键合,并实现圆片级真空封装。叁明治加速度计的腔体内封装了压力为200 Pa的高纯氮气。测试结果表明,所述加速度计的闭环输出灵敏度为0.575 V/g,零位误差为0.43 g。加速度计的-3dB带宽为278.14Hz。加速度计1 h的输出稳定性为2.23×10-4 g(1σ)。加速度计在全温范围(-40℃~60℃)内的输出漂移为45.78 mg,最大温度滞环为3.725 mg。(本文来源于《中国惯性技术学报》期刊2017年06期）
胡启方,李男男,梅崴,杨博,邢朝洋[10]（2017）在《MEMS惯性器件全硅圆片级真空封装技术进展》一文中研究指出MEMS惯性器件的具有体积小、重量轻、成本低、可集成性强等优势。然而,高精度的MEMS惯性器件如MEMS陀螺仪、MEMS谐振式加速度计需要工作在高真空、低应力环境中。采用金属管壳对高精度MEMS惯性器件进行真空封装将占用60~80%的制造成本,同时造成整表体积增大,使得MEMS惯性器件的优势降低。MEMS全硅化圆片级真空封装技术将MEMS惯性器件的真空封装流程和MEMS工艺加工流程进行整合,实现了MEMS惯性器件的零级真空封装。目前,国外主流的MEMS工艺厂商以及器件厂商已经广泛采用全硅化的MEMS圆片级真空封装技术进行高精度惯性产品的设计、开发、生产。本文对国内外相关技术领域,特别是产业届的技术进展进行了调研分析,并展望了未来MEMS圆片级真空封装的发展趋势,为我国下一代高精度MEMS惯性器件的研发,以及MEMS惯性微系统异构集成技术的发展提供支持。(本文来源于《航天电子军民融合论坛暨第十四届学术交流会优秀论文集（2017年）》期刊2017-12-05）
圆片级论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的迭层键合。采用玻璃—硅—玻璃叁层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10~(-9)Pa·m~3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
圆片级论文参考文献
[1].苏兆喜,邢朝洋,罗斌,汪子及,梁栋国.基于玻璃-硅复合基板的微系统圆片级叁维封装[J].导航与控制.2019
[2].齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷.圆片级迭层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用[J].传感器与微系统.2019
[3].汪学方.内置皮拉尼计的硅通孔圆片级MEMS真空封装研究[J].机械与电子.2018
[4].赵永祺,石云波,赵思晗,焦静静,李飞.一种提高抗过载能力的圆片级真空封装[J].微纳电子技术.2018
[5].杨静,韩焕鹏,杨洪星,王雄龙,张伟才.圆片级封装用玻璃通孔晶片的减薄工艺[J].微纳电子技术.2018
[6].罗荣峰.面向扇出型圆片级封装的内嵌硅转接板技术基础研究[D].厦门大学.2018
[7].周杨,刘建峰,王波,吴博文,罗乐.一种天线、电感、电容圆片级集成工艺设计[C].2018年全国微波毫米波会议论文集(上册).2018
[8].丁蕾,陈靖,杜国平,刘米丰,王立春.圆片级BCB键合的Cu-Cu互连技术研究[J].固体电子学研究与进展.2018
[9].胡启方,李男男,邢朝洋,刘宇,庄海涵.一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS叁明治电容式加速度计[J].中国惯性技术学报.2017
[10].胡启方,李男男,梅崴,杨博,邢朝洋.MEMS惯性器件全硅圆片级真空封装技术进展[C].航天电子军民融合论坛暨第十四届学术交流会优秀论文集（2017年）.2017