导读:本文包含了能带转型论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:四元混晶,量子阱,静压力,能带转型
能带转型论文文献综述
张院生,郭子政[1]（2010）在《四元混晶InGaAsP应变量子阱在压力调制下的能带转型》一文中研究指出采用模型固体理论计算了四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/In0.85Ga0.15As0.7P0.3/In1-xGaxAsyP1-y单量子阱系统中电子和空穴的能带结构,研究了流体静压力对能带的调制作用.结果表明:通过引入流体静压力,可以方便地实现单量子阱的能带转型(类型Ⅰ到类型Ⅱ的转变);当x=0.2,y=0.7时,电子、重空穴、轻空穴能带转型时的临界压力分别约为0.5,8,1.5GPa;0.5GPa≤P<8GPa时,量子阱的能带均为类型Ⅱ.(本文来源于《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》期刊2010年02期）
张院生[2]（2009）在《四元混晶In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InGaAsP量子阱在组分和压力调制下的能带转型》一文中研究指出四元混晶半导体材料具有两个独立的组分变量,同二元和叁元材料相比,其晶格常数、禁带宽度和介电常数等物理性质可以通过改变混晶中各元素的组分比而更方便地人为改变。目前,对四元混晶系材料的带隙、晶格振动特性、光学性质及其构成的量子阱器件等已有了较广泛的研究,并得到一些有意义的结果。但是,对于完全由同一种四元混晶系半导体材料组成的量子阱结构还很少有研究,尤其是对能带转型问题的研究至今还未见报道。能带结构的调控(如能带转型)在能带工程中具有重要意义,它是能带剪裁、器件设计和性能优化以及改变掺杂性质的有效途径。能带结构的调控除了组分调制、掺杂调制之外,高压调制目前也已经成为半导体低维结构研究的重要手段。本论文我们通过改变材料组分和引入流体静压力来调控完全由InGaAsP材料组成的量子阱系统的能带结构。本文采用模型固体理论,计算了四元混晶半导体应变量子阱的能带结构,研究组分和流体静压力对能带的调制作用以及对量子阱中应变的调制效应,进而探讨组分和压力调制下能带转型和应变转型的可能性;同时还讨论了量子阱在多层时组分对能带的调制作用。对于完全由InGaAsP四元混晶材料组成的量子阱结构,考虑由于晶格失配而在异质结界面处引起的双轴应变效应的影响,讨论了垒材料与InP衬底晶格匹配情况下的In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)量子阱中电子和空穴的能带;计算了导带带阶、价带带阶、晶格失配(应变)、以及带隙随阱材料中Ga组分x和As组分y的变化关系。结果表明:当固定垒材料组分而改变阱材料组分时,量子阱的能带出现类型Ⅰ到类型Ⅱ转变,量子阱内的应变也相应地由压应变转为张应变;当阱材料为多层时,通过控制组分还可以实现抛物阱。对上述量子阱系统,引入流体静压力后,仍采用模型固体理论,考虑压力对晶格常数和弹性常数等物理参数的影响,讨论了量子阱中电子和空穴能带的压力效应;数值计算了导带带阶、价带带阶以及晶格失配随静压力和组分的变化关系。计算时垒层中只考虑静压应变的影响,而阱层中同时计入静压应变和内部双轴应变的影响。结果表明:无论是固定阱材料组分还是固定垒材料组分,压力调制都能够导致量子阱的能带转型;此外,压力调制还能够实现量子阱内的应变转型。进一步计算发现,当固定阱材料组分时,垒材料中的As组分y越小,转变压力越大;Ga组分x越小,转变压力越小。(本文来源于《内蒙古师范大学》期刊2009-04-20）
张院生,郭子政[3]（2009）在《四元混晶InGaAsP应变量子阱在组分调制下的能带转型》一文中研究指出采用模型固体理论,在计入晶格失配造成的应变效应的情况下,计算了In1-xGaxAsyP1-y/InGaAsP单量子阱中电子和空穴的能带.结果表明:通过调整混晶组分,可以方便地调制能带结构,实现能带转型;当阱由单层变为多层时,通过控制组分可使势阱由方阱变为抛物阱.(本文来源于《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》期刊2009年01期）
能带转型论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
四元混晶半导体材料具有两个独立的组分变量,同二元和叁元材料相比,其晶格常数、禁带宽度和介电常数等物理性质可以通过改变混晶中各元素的组分比而更方便地人为改变。目前,对四元混晶系材料的带隙、晶格振动特性、光学性质及其构成的量子阱器件等已有了较广泛的研究,并得到一些有意义的结果。但是,对于完全由同一种四元混晶系半导体材料组成的量子阱结构还很少有研究,尤其是对能带转型问题的研究至今还未见报道。能带结构的调控(如能带转型)在能带工程中具有重要意义,它是能带剪裁、器件设计和性能优化以及改变掺杂性质的有效途径。能带结构的调控除了组分调制、掺杂调制之外,高压调制目前也已经成为半导体低维结构研究的重要手段。本论文我们通过改变材料组分和引入流体静压力来调控完全由InGaAsP材料组成的量子阱系统的能带结构。本文采用模型固体理论,计算了四元混晶半导体应变量子阱的能带结构,研究组分和流体静压力对能带的调制作用以及对量子阱中应变的调制效应,进而探讨组分和压力调制下能带转型和应变转型的可能性;同时还讨论了量子阱在多层时组分对能带的调制作用。对于完全由InGaAsP四元混晶材料组成的量子阱结构,考虑由于晶格失配而在异质结界面处引起的双轴应变效应的影响,讨论了垒材料与InP衬底晶格匹配情况下的In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)量子阱中电子和空穴的能带;计算了导带带阶、价带带阶、晶格失配(应变)、以及带隙随阱材料中Ga组分x和As组分y的变化关系。结果表明:当固定垒材料组分而改变阱材料组分时,量子阱的能带出现类型Ⅰ到类型Ⅱ转变,量子阱内的应变也相应地由压应变转为张应变;当阱材料为多层时,通过控制组分还可以实现抛物阱。对上述量子阱系统,引入流体静压力后,仍采用模型固体理论,考虑压力对晶格常数和弹性常数等物理参数的影响,讨论了量子阱中电子和空穴能带的压力效应;数值计算了导带带阶、价带带阶以及晶格失配随静压力和组分的变化关系。计算时垒层中只考虑静压应变的影响,而阱层中同时计入静压应变和内部双轴应变的影响。结果表明:无论是固定阱材料组分还是固定垒材料组分,压力调制都能够导致量子阱的能带转型;此外,压力调制还能够实现量子阱内的应变转型。进一步计算发现,当固定阱材料组分时,垒材料中的As组分y越小,转变压力越大;Ga组分x越小,转变压力越小。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
能带转型论文参考文献
[1].张院生,郭子政.四元混晶InGaAsP应变量子阱在压力调制下的能带转型[J].内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版).2010
[2].张院生.四元混晶In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InGaAsP量子阱在组分和压力调制下的能带转型[D].内蒙古师范大学.2009
[3].张院生,郭子政.四元混晶InGaAsP应变量子阱在组分调制下的能带转型[J].内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版).2009