导读:本文包含了双功能元件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氧敏,半导化,氧空位,SrTiO3功能材料
双功能元件论文文献综述
郝云芳,曹全喜[1]（2011）在《电压敏电容双功能元件制备》一文中研究指出为提高元件半导化原理并提高元件的氧气灵敏度,对以SrTiO3为基材的样品分别在强还原气体条件和大气条件下的N型电压敏、电容双功能元件和P型氧气敏感元件,分别测试了N型元件的压敏电压U1mA等电参数和P型元件在不同的温度下的阻温特性、氧敏特性,并进行了TPD测量。研究表明氧空位是在SrTiO3晶体中杂质扩散、实现半导化的重要条件,因此控制氧空位的浓度成为制备钙钛矿型半导体功能陶瓷元件的重要因素;还原气氛烧结产生的氧空位是材料实现N型半导化的重要手段;受主杂质所产生的氧空位促进了环境氧与晶格氧的交换,是材料实现P型半导化的重要手段,也提高了元件的氧气灵敏度。(本文来源于《现代电子技术》期刊2011年20期）
张帅谋,曹全喜[2]（2009）在《钛酸锶双功能元件固相合成工艺改进的研究》一文中研究指出对固相合成法工艺进行了改进。研究了球磨时间与粉料的粒径、均匀度间的关系,发现制备钛酸锶粉料的最佳球磨时间为150 min。通过实验对预焙烧温度参数的优化选择,发现,选择1100℃为预焙烧温度,可改善固相合成法粉料的微观结构及质量,从而可改善压敏-电容双功能元件的电性能。(本文来源于《压电与声光》期刊2009年01期）
张帅谋,曹全喜[3]（2008）在《环形SrTiO_3双功能元件的焊锡和通流能力研究》一文中研究指出采用固相合成法,研究了SiO2含量和收缩温度对环形SrTiO3压敏元件微观组织、气孔率的影响。结果表明:元件在1050℃时开始收缩;通过SEM分析,发现随着SiO2含量的增加,元件的气孔率有减少趋势;当x(SiO2)为0.05%～0.10%时,可以获得良好的微观组织。通过改进工艺参数制备压敏元件。焊锡并通100mA电流后,压敏电压的变化率ΔV·V–110mA为0.95%～3.60%,电容变化率ΔC·C–1为9.6%～16.4%。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2008年04期）
张帅谋[4]（2008）在《环形SrTiO_3双功能元件的研究》一文中研究指出SrTiO_3双功能元件以其优良的电性能而得到广泛应用。论文中分析了SrTiO_3双功能元件的压敏-电容机理,探讨了影响元件焊接和大电流冲击稳定性的主要因素。从元件的微观结构和热导的角度分析了在大电流冲击下元件气孔率对电性能的影响机理。论述了实现双功能特性的掺杂和还原烧结以及再氧化机理。并利用相图理论,对加入玻璃相SiO_2形成液相低共熔活化烧结,对改善元件气孔率和微观结构的机理进行了初步探讨。对比分析了草酸盐分解法和固相合成法两种方法制备的元件的常规电性能,以及焊接和耐大电流冲击的稳定性。通过SEM对元件微观结构进行分析,结果说明,粉料的制备方法不是决定气孔率的主要因素。采用固相合成法,通过研究添加玻璃相SiO_2与元件收缩率的关系,以及元件收缩率与烧结温度的关系,实验结果显示:随着SiO_2量的增加,SrTiO_3压敏陶瓷的气孔率下降,且微观结构更均匀,晶粒呈长大趋势;同时SrTiO_3陶瓷的收缩率与SiO_2添加量和烧结温度有关,随着SiO_2量的增加,烧结温度的升高,收缩率呈增大趋势。同时还得出结论:SrTiO_3功能陶瓷的开始体收缩温度点为1050℃左右,为陶瓷烧结工艺改进提供依据。实验还研究了添加SiO_2量在0.05(mol)%～0.1(mol)%范围,并对制备工艺参数优化:温度升到1050℃时,降低升温速率为0.5℃/min,改变烧结工艺曲线,可有效改善元件气孔率,获得焊接性和耐大电流冲击的优良压敏元件,压敏电压的变化率ΔV/V10mA=0.95%～3.6%,电容变化率ΔC/C=9.6%～16.4%。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2008-01-01）
徐林海,曹全喜[5]（2006）在《钛酸锶双功能元件电极的研究》一文中研究指出研究了电极的烧结温度、保温时间对其性能的影响。对电极的焊接性能做了大量实验研究,指出了铜、银电极在焊接方面表现出性能差异的主要原因在于银电极与基片之间形成的是非欧姆接触,而铜电极则形成了欧姆接触。同时分析了银电极形成非欧姆接触的原因,并提出了解决办法。(本文来源于《压电与声光》期刊2006年03期）
孟辉,季惠明,常杰[6]（2005）在《新型多层结构压敏电容双功能陶瓷元件的制备与性能研究》一文中研究指出本文选择ZnO和Pb(Mg13Nb23)O3为基体材料,利用轧膜技术制备了多层片式结构的压敏电容双功能陶瓷元件。通过工艺因素和SEM微观形貌分析,研究了ZnO基压敏材料和Pb(Mg13Nb23)O3基电容材料的制备过程、热行为匹配性、微观结构等在制备多层结构中的作用。以仿独石工艺形成了具有压敏-电容双功能的陶瓷元件,获得了降低元件压敏电压和提高其电容量的有效途径,为此类材料的应用打下研究基础。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2005年04期）
郝俊红,曹全喜[7]（2005）在《SrTiO_3片式化压敏-电容双功能元件研究》一文中研究指出阐述了SrTiO3片式化压敏-电容双功能元件的制作工艺、陶瓷成分及结构,并讨论了陶瓷成分、结构及烧结工艺对元件压敏、电容性能的影响。(本文来源于《压电与声光》期刊2005年03期）
孟辉[8]（2005）在《新型多层片式压敏—电容双功能电子陶瓷元件的制备与性能研究》一文中研究指出本实验以ZnO基压敏陶瓷和Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3(PMN)基介电陶瓷为基元材料,采用多层片式陶瓷电容器(MLC)的制备方法制备了多层片式压敏-电容双功能陶瓷元件(MLVC),并研究了其电性能特点和微观结构。首先分别选出ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷和PMN基介电陶瓷作为双功能元件中起压敏效应和电容效应的基元材料。以传统陶瓷制备工艺,通过调整配方和改善烧结条件,研究了这两种电子陶瓷的电性能特点。实验表明:掺入适量玻璃料的ZnO-Bi_2O_3压敏陶瓷,可在较低的烧结温度(960℃,1.5h)下具有良好的压敏性能(压敏电压V1mA为701.4V/mm,非线性系数α为32.0);PMN基介电陶瓷也可在相同的条件下烧结,在室温1KHz下测得其相对介电常数ε/εo为9000,损耗tanδ<5.0×10-2,绝缘电阻率达到10~(13)Ω·cm。从烧结膨胀收缩变化、界面反应程度这两个角度重点分析了这两种陶瓷共烧的相容性。分析说明:ZnO2~#压敏陶瓷和PMN6~#介电陶瓷烧结收缩行为相似且共烧时没有发现两者存在界面反应,充分肯定了两者共烧的可行性。因此,采用轧膜工艺制备了ZnO2~#压敏陶瓷和PMN6~#介电陶瓷的坯片,利用MLC制备方法中的内电极印刷、迭层技术,一次性烧结制备了多个以Ag/Pd或Pt为内电极的MLVC。实验表明,以Ag/Pd为内电极的MLVC随着迭片层数的增加,MLVC的压敏电压有所下降,V1mA在200～250V之间,非线性系数基本不变,α值约为20。在迭片层数、方式相同的情况下,以Pt为内电极MLVC的压敏电压比以Ag/Pd为内电极MLVC的稍高,α值也为20左右,这主要是由两种内电极与ZnO2~#陶瓷的微观接触界面反应不同造成的。迭片方式对MLVC压敏性能的影响不大,但对MLVC电容性能却有很大影响。非交错迭片型MLVC比交错迭片型MLVC的电容量大,可达几十纳法,而交错迭片型MLVC的电容量一般只有几纳法。观察MLVC中陶瓷与陶瓷、内电极与陶瓷之间的相界,发现它们之间几乎没有界面反应,界面呈现的微观结构特点与MLVC的电性能变化一致。根据PMN1#介质瓷的烧结收缩特点,制备了以PMN1#介质瓷为原料的MLC,它与以ZnO2~#压敏陶瓷为原料制备的MLV相结合,成功制备出同样具有压敏-电容双功能的MLVC。它与一次性烧结制备的MLVC相比,压敏电压V1mA偏高(250～370V),α值约为20,电容量很大,达数十纳法。本实验成功制备了具有双功能的MLVC,为开发低压压敏、高电容量双功能陶瓷材料或元件提供了有益的参考,这种保护性电子元件在现代电子设备中具有广泛的应用前景。(本文来源于《天津大学》期刊2005-01-01）
李红耘,熊西周[9]（2004）在《SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷元件》一文中研究指出由SrCO_3与TiO_2经高温合成的SrTiO3为主要原料,添加Nb2O5,La2O3等金属氧化物或稀土氧化物,在由液氨分解制得N2+H2的混合气氛中烧结,再经低温下氧化处理,低成本商品化生产的SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷元件,主要电性能指标达到国际先进水平。该元件应用范围十分广泛,特别是作为微电机灭弧消噪的EMI对策元件受到世界的瞩目。(本文来源于《佛山陶瓷》期刊2004年01期）
籍聪麟[10]（2002）在《SrTiO_3双功能元件的研究》一文中研究指出本论文分析研究了SrTiO_3双功能元件的机理和制备过程中的工艺技术。目的在于对工业生产提出合理可行的配方及工艺，从而提高产品质量及成品率。从对比草酸盐分解法和固相合成法这两种制备SrTiO_3主晶相的方法开始，在予合成料的制备过程中分析了施主Nb_2O_5、Y_2O_3、La_2O_3以及CaCO_3所产生的影响；在TiO_2掺杂的问题上，综合考虑了Ti/Sr比、烧结温度、氧分压、施主掺杂、晶粒的微观生长与成瓷后的元件宏观电性能等之间的相互关系。在主合成料制备过程中利用正交实验法分析了Cu与碱金属所起的作用，并从微观结构的角度上做出了解释；介绍了晶界层的形成原理；对于电子陶瓷中广泛使用的Mn，从理论与试验结果两方面对其相变温度进行了计算，得出了一致的结果，还分析了它的受主作用与对电性能的影响。最后还提出了涂敷银浆与瓷片的配合使用问题及热处理对元件性能的改善问题。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2002-01-01）
双功能元件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对固相合成法工艺进行了改进。研究了球磨时间与粉料的粒径、均匀度间的关系,发现制备钛酸锶粉料的最佳球磨时间为150 min。通过实验对预焙烧温度参数的优化选择,发现,选择1100℃为预焙烧温度,可改善固相合成法粉料的微观结构及质量,从而可改善压敏-电容双功能元件的电性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双功能元件论文参考文献
[1].郝云芳,曹全喜.电压敏电容双功能元件制备[J].现代电子技术.2011
[2].张帅谋,曹全喜.钛酸锶双功能元件固相合成工艺改进的研究[J].压电与声光.2009
[3].张帅谋,曹全喜.环形SrTiO_3双功能元件的焊锡和通流能力研究[J].电子元件与材料.2008
[4].张帅谋.环形SrTiO_3双功能元件的研究[D].西安电子科技大学.2008
[5].徐林海,曹全喜.钛酸锶双功能元件电极的研究[J].压电与声光.2006
[6].孟辉,季惠明,常杰.新型多层结构压敏电容双功能陶瓷元件的制备与性能研究[J].材料科学与工程学报.2005
[7].郝俊红,曹全喜.SrTiO_3片式化压敏-电容双功能元件研究[J].压电与声光.2005
[8].孟辉.新型多层片式压敏—电容双功能电子陶瓷元件的制备与性能研究[D].天津大学.2005
[9].李红耘,熊西周.SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷元件[J].佛山陶瓷.2004
[10].籍聪麟.SrTiO_3双功能元件的研究[D].西安电子科技大学.2002
标签：氧敏; 半导化; 氧空位; SrTiO3功能材料;