导读:本文包含了饱和漏电流论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:晶体管,沟道长度,漂移区长度,饱和电流
饱和漏电流论文文献综述
于朝辉,刘斯扬,张春伟,孙伟锋[1]（2013）在《高压SOI pLDMOS饱和漏电流热载流子退化研究》一文中研究指出依据退化实验结果,并结合半导体器件工艺模拟软件TCAD仿真,详细研究了高压绝缘体上硅(SOI)p型横向双扩散MOSFET(pLDMOS)饱和电流的热载流子退化机理,以及不同沟道长度和漂移区长度对器件热载流子退化的影响。研究结果表明,在应力初始阶段,热电子注入机制强于界面态机制,饱和电流随着应力时间的增加而增加;应力后期,界面态机制强于电子注入机制,饱和电流逐渐减小。此外,研究还发现,器件沟道越长,饱和电流退化越小;漂移区越长,饱和电流退化也越小。(本文来源于《电力电子技术》期刊2013年12期）
李晓光,王同祥,李效白,杨瑞霞[2]（2004）在《硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究》一文中研究指出硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素.对样品进行225℃退火可使饱和源漏电流恢复到钝化前的水平.(本文来源于《河北工业大学学报》期刊2004年03期）
宁众[3]（1988）在《具有高跨导和高峰值饱和漏电流的FET》一文中研究指出据报导,美国桑迪亚国立实验室已研制成一种新的多应变量子阱场效应晶体管。这种晶体管是具有两个平行的10nm量子阱的GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As结构,用Be从顶部和底部进行调制掺杂。晶体管的栅为1×150μm~2Ti/Au、(本文来源于《半导体情报》期刊1988年04期）
饱和漏电流论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素.对样品进行225℃退火可使饱和源漏电流恢复到钝化前的水平.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
饱和漏电流论文参考文献
[1].于朝辉,刘斯扬,张春伟,孙伟锋.高压SOIpLDMOS饱和漏电流热载流子退化研究[J].电力电子技术.2013
[2].李晓光,王同祥,李效白,杨瑞霞.硫钝化对GaAsMESFET饱和源漏电流影响的实验研究[J].河北工业大学学报.2004
[3].宁众.具有高跨导和高峰值饱和漏电流的FET[J].半导体情报.1988