本文主要研究内容
作者崔延,孙朝阳,许敏,杨静凯（2019）在《富含氧空位F-SnO2光催化剂的构筑及性能增强机理研究》一文中研究指出：SnO2作为一种宽禁带半导体材料,应用十分广泛。在SnO2中引入氧缺陷,能够有效的改善电子能带结构,电荷输运,同时在光催化反应中它作为重要的吸附位和活性点,显著地影响光催化活性。在SnO2的改性研究中,F掺杂可以通过调控带隙改变SnO2的光电性质,提高光吸收利用效率。我们系统的展开了对F-SnO2的研究:（1）利用水热法合成了高比表面积的FTO纳米颗粒,探究了紫外光下对甲基橙(MO
Abstract
SnO2zuo wei yi chong kuan jin dai ban dao ti cai liao ,ying yong shi fen an fan 。zai SnO2zhong yin ru yang que xian ,neng gou you xiao de gai shan dian zi neng dai jie gou ,dian he shu yun ,tong shi zai guang cui hua fan ying zhong ta zuo wei chong yao de xi fu wei he huo xing dian ,xian zhe de ying xiang guang cui hua huo xing 。zai SnO2de gai xing yan jiu zhong ,Fcan za ke yi tong guo diao kong dai xi gai bian SnO2de guang dian xing zhi ,di gao guang xi shou li yong xiao lv 。wo men ji tong de zhan kai le dui F-SnO2de yan jiu :（1）li yong shui re fa ge cheng le gao bi biao mian ji de FTOna mi ke li ,tan jiu le zi wai guang xia dui jia ji cheng (MO
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自2019第三届全国光催化材料创新与应用学术研讨会的崔延,孙朝阳,许敏,杨静凯，发表于刊物2019第三届全国光催化材料创新与应用学术研讨会2019-09-20论文，是一篇关于,2019第三届全国光催化材料创新与应用学术研讨会2019-09-20论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自2019第三届全国光催化材料创新与应用学术研讨会2019-09-20论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。