导读:本文包含了自加热效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:带间级联激光器,中红外,分子束外延
自加热效应论文文献综述
余成章,徐志成,陈建新,何力[1]（2019）在《InAs基中红外带间级联激光器中的自加热效应（英文）》一文中研究指出制备并测试了Ⅱ型中红外带间级联激光器,制备的器件在脉冲和连续工作模式下最高工作温度分别为275 K和226 K. 80 K下器件激射波长为3. 8μm左右,阈值电流密度约17 A/cm~2.对器件在连续工作模式下的自加热效应进行了分析,并利用有限元方法模拟了器件连续工作时的温度分布图.分析和模拟结果均表明自加热效应是限制器件连续工作温度的重要因素.提高散热性能将是进一步提升器件工作温度的有效手段.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年04期）
刘会刚,梁达,张时雨,廖沁悦,任立儒[2]（2015）在《应用于硅基等离子天线的LPIN二极管的自加热效应》一文中研究指出介绍了LPIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,从理论上分析了LPIN二极管自加热效应及其对本征区载流子浓度的影响。仿真分析了不同SOI埋层材料对LPIN二极管本征区载流子浓度的影响。仿真结果显示,LPIN二极管的自加热效应会降低其本征区载流子浓度,通过改变埋层的材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应,从而增加本征区载流子浓度,提高硅基等离子天线效率。(本文来源于《半导体光电》期刊2015年05期）
董艳红,吴云飞,王洪涛,崔虹云,张漫[3]（2015）在《GaN基HFET多栅指结构自加热效应及其优化》一文中研究指出研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件的有源沟道层的温度升高,影响到器件的工作特性。首先分析了多栅指结构的Ga N HFET器件在一定功耗条件下的的温度分布情况,然后在此基础之上,对Ga N HFET做了相应的优化,使得器件的温度有一定程度的降低。(本文来源于《齐齐哈尔大学学报(自然科学版)》期刊2015年05期）
王天虎,徐进良,王晓东[4]（2014）在《自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响》一文中研究指出在自加热效应下,对有、无AlGaInN电子阻挡层的两种发光二极管芯片进行了数值研究系统分析了芯片能带结构,载流子输运与分布特性,内部焦耳热和复合热特性,内量子效率衰落的物理机制,并讨论了不同俄偈复合系数在自加热效应下对效率衰落效应的影响.模拟结果表明:当在p-GaN层与活性层间插入AlGaInN电子阻挡层后,效率衰落效应得到显着改善,芯片结温明显升高.俄偈复合热不是内热源的主要贡献,可忽略不计.效率衰落效应受芯片结温影响不大,电子漏电流与俄偈复合是效率衰落的主要原因.(本文来源于《科学通报》期刊2014年16期）
曾令艳,毕迎鑫,张先休[5]（2013）在《对基于GaN晶体管自加热效应的研究(英文)》一文中研究指出采用有限元分析方法(FEM)求解泊松方程,连续性方程,以及热传导方程对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的自加热效应进行了数值模拟研究。着重比较了晶体管在SiC、Si及蓝宝石衬底上的沟道温度和漏电流。同时讨论了在外延层和衬底接触处的热边界电阻对晶体管电行为的影响。数值模拟表明,由于SiC的热导比较大,晶体管在其衬底上有较大的漏电流和较低的沟道温度,热边界电阻对其电行为有比较大的影响。相反,由于蓝宝石的热导比较小,晶体管在其衬底上有较低的漏电流和较高的沟道温度,显现出了比较大的自加热效应,热边界电阻对其电行为的影响可以忽略。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2013年26期）
朱世敏,侯春良,郭得峰[6]（2012）在《全耗尽SOI MOSFET自加热效应的模拟研究》一文中研究指出利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应。在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的温度分布规律。在低温和高栅偏压时,SOI结构中自加热效应明显。此现象归因于低温和高栅偏压时,SOI n-MOSFET中的漏电流密度大,热载流子使晶格升温迅速。(本文来源于《重庆科技学院学报(自然科学版)》期刊2012年06期）
曹磊,刘红侠[7]（2012）在《新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究》一文中研究指出本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN(silicon on aluminum nitride with nothing),用AIN代替传统的SiO2材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道.分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AIN做为SOI埋氧化层的材料,降低了晶格温度,有效抑制了自加热效应.埋氧化层中的空洞,可以进一步提供散热通道,使埋氧化层的介电常数下降,减小了电力线从漏端通过埋氧到源端的耦合,有效抑制了漏致势垒降低DIBL(drain Induced barrier lowering)效应.因此,本文提出的新型SOANN结构可以提高SOI器件的整体性能,具有优良的可靠性.(本文来源于《物理学报》期刊2012年17期）
邓永锋,谭畅,韩先伟[8]（2011）在《大气环境电子束等离子体自加热效应数值研究》一文中研究指出近几十年来,随着等离子体产生技术的发展及其应用领域的扩展,许多应用领域,如材料表面改性、废气处理、高超声速进气道附面层控制和超燃燃烧室助燃等都要求产生稳定可靠、大体积、高密度非均匀等离子体。高能电子束与气体碰撞产生等离子体己经被证明是一种高效的电离方式,且由于其产生等离子体的过程不依赖于气体压强而在这些非传统领域得到应用。(本文来源于《第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集》期刊2011-08-08）
李家贵,李德昌[9]（2009）在《SOILDMOS晶体管的自加热效应》一文中研究指出与常规体硅器件相比,SOI器件由于其独特的结构,常常会产生较严重的自加热效应,影响器件的可靠性。文中阐述SOILDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。研究证明采用新材料,结构可对同加热效应起到有效抑制作用提高了件的可靠性。(本文来源于《电子科技》期刊2009年04期）
丁磊[10]（2008）在《多晶硅薄膜晶体管自加热效应和KINK效应的模拟技术研究》一文中研究指出多晶硅薄膜晶体管技术在液晶显示器制造中扮演着很重要的角色,它增进了同时将有源矩阵及周边电路整合在一起的能力。然而,多晶硅薄膜晶体管存在着一些不良的效应,比如自加热效应、KINK效应。这些效应主要是由于薄膜晶体管本身固有的SOI(silicon on isolator)结构引起的。对于自加热效应,由于高热阻的玻璃衬底的存在,沟道内产生的功率热不能及时地散发出到周围环境中去,使得器件内部的工作温度升高。对于KINK效应,由于玻璃衬底的存在,在沟道底部出现浮体区域,当器件工作且漏极电压较大时,漏极附近出现较强的电场,碰撞离子化效应发生,产生的空穴积累在浮体区,使得器件阈值电压下降,另一方面,碰撞离子化产生的电子增加了沟道载流子密度,使沟道电流在饱和区出现继续增大的现象。自加热效应和KINK效应对器件参数,如阈值电压、漏电流、开态电流、亚阈值斜率都有影响。本文借助TCAD工具,通过工艺模拟软件TSUPREM4来建立其器件结构,通过器件模拟软件MEDICI来计算其电学特性,来研究自加热效应和KINK效应。首先,建立了LDD结构的器件,来研究漏极低电场对这两个效应的影响,发现LDD结构对单位漏极电流下升高的温度影响并不大,但是可以降低KINK效应对器件的影响,且在LDD的掺杂参数(如掺杂剂量、掺杂能量、LDD的长度)不同时,KINK效应相应地增强或减弱。基于TCAD工具的计算结果,给出了合适的LDD参数,使KINK效应的影响降到最低。其次,对于自加热效应,讨论了温度对器件性能的影响,自加热效应对器件性能的影响以及器件参数对自加热效应的影响,给出了影响自加热效应的几个关键的因素。由模拟可知,薄膜晶体管的自加热效应使其阈值电压降低、漏电流增大、亚阈值斜率变大、漏电流在饱和区出现继续增大的现象。对多晶硅薄膜晶体管影响较大的有器件沟道厚度、衬底厚度和材料等。对于KINK效应,讨论了KINK效应对器件性能的影响以及几个参数对KINK效应的影响。模拟表明,KINK效应使器件的输出特性曲线在饱和区出现向上的翘曲,漏极电导出现不稳定的现象。(本文来源于《江南大学》期刊2008-08-01）
自加热效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介绍了LPIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,从理论上分析了LPIN二极管自加热效应及其对本征区载流子浓度的影响。仿真分析了不同SOI埋层材料对LPIN二极管本征区载流子浓度的影响。仿真结果显示,LPIN二极管的自加热效应会降低其本征区载流子浓度,通过改变埋层的材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应,从而增加本征区载流子浓度,提高硅基等离子天线效率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
自加热效应论文参考文献
[1].余成章,徐志成,陈建新,何力.InAs基中红外带间级联激光器中的自加热效应（英文）[J].红外与毫米波学报.2019
[2].刘会刚,梁达,张时雨,廖沁悦,任立儒.应用于硅基等离子天线的LPIN二极管的自加热效应[J].半导体光电.2015
[3].董艳红,吴云飞,王洪涛,崔虹云,张漫.GaN基HFET多栅指结构自加热效应及其优化[J].齐齐哈尔大学学报(自然科学版).2015
[4].王天虎,徐进良,王晓东.自加热效应下AlGaInN电子阻挡层对LED性能的影响[J].科学通报.2014
[5].曾令艳,毕迎鑫,张先休.对基于GaN晶体管自加热效应的研究(英文)[J].科学技术与工程.2013
[6].朱世敏,侯春良,郭得峰.全耗尽SOIMOSFET自加热效应的模拟研究[J].重庆科技学院学报(自然科学版).2012
[7].曹磊,刘红侠.新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究[J].物理学报.2012
[8].邓永锋,谭畅,韩先伟.大气环境电子束等离子体自加热效应数值研究[C].第十五届全国等离子体科学技术会议会议摘要集.2011
[9].李家贵,李德昌.SOILDMOS晶体管的自加热效应[J].电子科技.2009
[10].丁磊.多晶硅薄膜晶体管自加热效应和KINK效应的模拟技术研究[D].江南大学.2008