导读:本文包含了共源极论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:共源极电感,开关损耗,碳化硅(SiC)MOSFET
共源极论文文献综述
董泽政,吴新科,盛况,张军明[1]（2016）在《共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究》一文中研究指出共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中,影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅(SiC)MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程,共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣,然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET的开关损耗,最后搭建了一台输出功率1kW、输出电压800V的全碳化硅Boost样机,从100kHz到500kHz进行实验验证。实验结果表明,当不含共源极电感时SiC MOSFET的开通损耗、关断损耗均有所减小。(本文来源于《电源学报》期刊2016年04期）
张建楠[2]（2010）在《垂直构型有机发光晶体管共源极的研究》一文中研究指出有机发光晶体管(Organic light-emitting transistor, OLET)是一种新型的电致发光器件。它是集有机发光二极管(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT)二者而成的。因而具有发光和晶体管调节电流两种功能,并可利用调解栅压来控制其发光强度。另外,由于该晶体管采用了垂直构型,缩短了沟道长度,从而降低了器件的工作电压,并提高了发光效率本文通过制备不同材料、形状及厚度的源电极,研究了源电极对VOLET器件光电特性的影响,具体包括以下几点：首先,以单层铝为源电极制作了多组VOLET器件ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Al(25 nm)/LiF(150 nm)/Al。发现栅压具有调控作用,但性能并不是很好。考虑中间铝源极是器件中最核心的部分,本文尝试通过改变中间共源极的各方面参数,以达到优化器件性能的目的。制作了以金为共源极的VOLET器件ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Au(25 nm)/LiF(150 nm)/Al,器件仍可以工作,且体现出较强的调控效果,说明电容部分确有克服高势垒,以实现载流子注入的功能。其次,制作一套掩膜板,用以改变铝源极的形貌。试图通过改变源极形貌来优化器件的性能。利用其中两种掩膜板制作了叁组不同厚度的双层源极器件,发现虽然有一定的电流调控效果,但发光性能很差,说明这种形貌并不利于提高器件的性能。最后,用掩膜板制作了四层源极结构的VOLET器件,其中第一层铝的制备方法和制作单层铝源极相同,但厚度非常薄,并在该层铝表面利用特制的掩膜板再蒸镀叁层。制作了叁组不同厚度的四层源极VOLET。其中以ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Al(5 nm,13 nm,21 nm,29 nm)/LiF(150 nm)/Al光电性能最好。其中Al(5 nm,13 nm,21 nm,29 nm)分别指铝源极不同区域的厚度。并在确定了源极厚度与形状的前提下,又对器件中起空穴传输以及平衡载流子作用的Pentacene层做了厚度的优化。从发光特性曲线中可以看出,当并五苯厚度为40 nm时,器件光电性能较优。(本文来源于《北京交通大学》期刊2010-05-01）
耿婧,石文孝,陈博[3]（2007）在《基于共源极CCⅢ的电流模式二阶滤波器》一文中研究指出为了改善共源极第3代电流传送器(CCⅢ:Third-generation Current Conveyer)的电路性能,采用Level3模型1.2μm CMOS工艺过程参数,实现了共源极CCⅢ电路。对其性能进行的仿真结果表明,该方法能使其Z端口的输出阻抗从360.542 kΩ增大到2.275 MΩ,并使其β值从Level 2的0.964 5提高到了0.984 7。同时提出了基于共源极CCⅢ电流模式二阶带通、低通和高通滤波器。该电路具有结构简单、电路灵敏度低、幅频特性好的优点,可实现高带宽滤波功能,适于实现全集成。(本文来源于《吉林大学学报(信息科学版)》期刊2007年05期）
朱利娜,付金山,尚游[4]（1999）在《MOS-FET共源极放大器频率特性的分析》一文中研究指出本文就MOS－FET的高频等效模型对MOS－FET共源极放大器的频率计算特性进行了系统分析，并与双极型晶体管放大器相比较，得出了几点重要结论：MOS管有很高的输入电阻．因此在相同的输人电容影响下，很高的输入电阻将影响其高频响应变差；MOS管用作放大时不能象双极管那样大的电压放大倍数；MOS冒产生的电噪声比双极型管要小，故适应于低噪声放大器的输入极。(本文来源于《平原大学学报》期刊1999年04期）
共源极论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
有机发光晶体管(Organic light-emitting transistor, OLET)是一种新型的电致发光器件。它是集有机发光二极管(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT)二者而成的。因而具有发光和晶体管调节电流两种功能,并可利用调解栅压来控制其发光强度。另外,由于该晶体管采用了垂直构型,缩短了沟道长度,从而降低了器件的工作电压,并提高了发光效率本文通过制备不同材料、形状及厚度的源电极,研究了源电极对VOLET器件光电特性的影响,具体包括以下几点：首先,以单层铝为源电极制作了多组VOLET器件ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Al(25 nm)/LiF(150 nm)/Al。发现栅压具有调控作用,但性能并不是很好。考虑中间铝源极是器件中最核心的部分,本文尝试通过改变中间共源极的各方面参数,以达到优化器件性能的目的。制作了以金为共源极的VOLET器件ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Au(25 nm)/LiF(150 nm)/Al,器件仍可以工作,且体现出较强的调控效果,说明电容部分确有克服高势垒,以实现载流子注入的功能。其次,制作一套掩膜板,用以改变铝源极的形貌。试图通过改变源极形貌来优化器件的性能。利用其中两种掩膜板制作了叁组不同厚度的双层源极器件,发现虽然有一定的电流调控效果,但发光性能很差,说明这种形貌并不利于提高器件的性能。最后,用掩膜板制作了四层源极结构的VOLET器件,其中第一层铝的制备方法和制作单层铝源极相同,但厚度非常薄,并在该层铝表面利用特制的掩膜板再蒸镀叁层。制作了叁组不同厚度的四层源极VOLET。其中以ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Al(5 nm,13 nm,21 nm,29 nm)/LiF(150 nm)/Al光电性能最好。其中Al(5 nm,13 nm,21 nm,29 nm)分别指铝源极不同区域的厚度。并在确定了源极厚度与形状的前提下,又对器件中起空穴传输以及平衡载流子作用的Pentacene层做了厚度的优化。从发光特性曲线中可以看出,当并五苯厚度为40 nm时,器件光电性能较优。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
共源极论文参考文献
[1].董泽政,吴新科,盛况,张军明.共源极电感对SiCMOSFET开关损耗影响的研究[J].电源学报.2016
[2].张建楠.垂直构型有机发光晶体管共源极的研究[D].北京交通大学.2010
[3].耿婧,石文孝,陈博.基于共源极CCⅢ的电流模式二阶滤波器[J].吉林大学学报(信息科学版).2007
[4].朱利娜,付金山,尚游.MOS-FET共源极放大器频率特性的分析[J].平原大学学报.1999
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