导读:本文包含了缺陷回复论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电力电缆,绝缘受潮,绝缘检测,回复电压法
缺陷回复论文文献综述
陈莉,杨彩梅,赵军磊[1]（2018）在《电力电缆典型缺陷的回复电压特性仿真研究》一文中研究指出本文以6kV交联聚乙烯电缆为例计算电缆的相关电气参数,搭建电缆绝缘的德拜扩展模型(Debye),利用理论公式推导出德拜模型中的相关参数。在德拜扩展模型的基础上,建立了不同受潮程度电缆的电路模型,选择基于介电谱时域绝缘诊断技术的回复电压法(RVM)对配电电缆绝缘相关劣化进行仿真,分析了电缆绝缘受潮等典型劣化现象的RVM特性变化规律。(本文来源于《河南科技》期刊2018年34期）
赵荣荣[2]（2018）在《中子辐照6H-SiC单晶的缺陷回复研究》一文中研究指出SiC是继Si和GaAs之后发现的半导体材料,与ZnO、金刚石以及GaN同为第叁代半导体材料,它弥补了Si和GaAs这些传统半导体器件不能满足现代电子技术对耐高温、高频、高压以及抗辐射要求的缺陷。SiC电子器件航天航空、化工、通信、能源和空间科学等领域的应用非常有前景,特别是在核能技术方面有着广泛的应用,是核裂变和核聚变反应堆的后备材料。本文的研究对象是高剂量中子辐照后的6H-SiC单晶,中子辐照的总剂量为2.85×10~(20) n/cm~2,对其进行室温至1700℃的等时退火处理,使中子辐照产生的缺陷得到回复。本文利用了X射线衍射(XRD)这一基础测试手段,将6H-SiC单晶(0001)晶面衍射峰作为观测的主要对象,对中子辐照在6H-SiC单晶内引起的缺陷机制及其退火回复规律进行了研究,得出了如下结果:1、等时退火处理后,辐照缺陷逐渐消失,辐照缺陷在室温至600℃回复明显,在600℃-1400℃没有明显变化,但在1400℃之后又开始回复,最后接近辐照前数值。2、晶面间距d在室温至1400℃时持续减小,随后又随退火温度的升高而变大,最后接近辐照前数值。3、通过对辐照损伤回复规律的分析,认为中子辐照使样品内部出现了大量点缺陷和线缺陷,而这些缺陷大多可以通过高温退火得到很好的消除。在进行XRD测试的过程中,由于晶体的斜切使得晶体表面与晶面不在同一平面上,这对XRD测试造成了很大的影响,针对这种情况使用了一种定向测量方法,这种方法无需在宏观尺度上对样品进行各向同性的要求就能够获得准确的数据信息。(本文来源于《天津大学》期刊2018-05-01）
张涛,张斌,薛尚青[3]（2016）在《绝缘缺陷对回复电压极化谱的影响》一文中研究指出回复电压法利用极化完全建立的时间(主时间常数)评估油纸绝缘的老化状态,但老化的油纸绝缘系统易出现多个回复电压峰值,影响其主时间常数的确定。因此,在实验室条件下,搭建变压器油纸绝缘的模拟模型,从充电电压、绝缘结构、不均匀老化叁个方面研究不均匀绝缘介质对回复电压峰值曲线的影响。结果表明,绝缘纸层数和绝缘缺陷会引起回复电压峰值曲线出现多个峰值,该现象可用于分析油纸绝缘状态的局部缺陷。(本文来源于《水电能源科学》期刊2016年11期）
伍海彪,曹兴忠,吴建平,成国栋,李卓昕[4]（2012）在《Fe-1.5wt% Cu合金中Cu纳米颗粒与微观缺陷热回复过程研究》一文中研究指出不锈钢结构材料中Cu纳米团簇是导致核反应堆压力容器钢脆化的主要原因之一。本文用扫描电子显微镜(SEM)和正电子湮没谱学(PAT)研究材料中的纳米Cu颗粒以及微观缺陷经热处理后的回复过程。PAT测量结果表明,Fe-1.5wt%Cu合金在1 173 K高真空退火处理后,主要缺陷得以回复,合金中存在Cu纳米颗粒且能吸引并捕获热化后的局域态正电子。SEM对不同温度退火样品的微观结构进行表征,结果表明,随着退火温度的升高,合金中Cu纳米颗粒的浓度逐渐降低。1473 K退火,SEM未观测到明显的Cu纳米颗粒,而多普勒展宽能谱的W参数表明合金中仍存在微小Cu纳米颗粒。(本文来源于《核技术》期刊2012年09期）
成国栋,曹兴忠,伍海彪,李卓昕,于润升[5]（2012）在《应用正电子湮没谱学研究Fe-Cu合金微观缺陷的热处理回复过程》一文中研究指出作为核电站第二道安全屏障的反应堆压力容器,主要以不锈钢材料为主。在高温、高压和强辐照环境下,压力容器钢材料内部会产生大量的缺陷和溶质原子聚集,如空位、位错和空位团等缺陷,以及Cu、Ni、P等溶质原子的聚集。其中Cu原子的聚集和偏析,是导致结构材料辐照脆化的主要因素之一,对结构材料的延展性和力学性能产生显着的影响。通常采用Fe-Cu二元模型合金模拟并简化反应堆压力容器结构材料,对Cu的析出机制进行研究。众所周知,正电子对空位型缺陷的存在(本文来源于《第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集》期刊2012-09-01）
黄丽[6]（2012）在《中子辐照6H-SiC的缺陷回复及其拉曼光谱研究》一文中研究指出拉曼光谱是一种有效的、无损的探测材料和材料缺陷的方法。本文首先利用空间群理论及“大区域及区域折迭”的方法计算了6H-SiC的晶格振动模式。基于理论计算的结果，检测和分析了中子辐照6H-SiC晶体及其退火后拉曼光谱的变化，鉴别其辐照损伤的程度及随退火温度结晶度的回复过程；我们也利用UV-可见吸收光谱和X射线衍射手段来对中子辐照产生的损伤及其退火回复规律进行了广泛深入的研究。研究结果如下：1、分析了中子辐照损伤及其退火回复的拉曼光谱特性：研究了剂量为1.67×1019n/cm~2和1.72×1020n/cm~2的中子辐照n型6H-SiC造成的损伤程度，发现损伤水平随剂量的增加而增大，在其晶体内部可能有局部非晶区域的产生。而1.72×1020n/cm~2的高剂量辐照在其晶体内部产生了石墨簇。辐照引起的纵光学支LO及横光学支TO不同程度的下移及其线型的变化主要是由于声子限制效应引起的；由其退火回复规律的演变可知，辐照导致LO-TO频率分裂发生轻微降低的主要缺陷类型可能归于孤立的空位和间隙缺陷。2、分析了辐照及其退火回复引起的光吸收特性：辐照引起的吸收谱线的红移及吸收系数的增加与禁带附近引入的局域缺陷态有关。由其退火行为可知，辐照产生的不同类型的复杂缺陷簇引起的光散射导致了带边出现波动起伏的强烈吸收。另外，吸收随退火回复的演变在800℃之前保持不变，而800℃之后开始逐渐降低的回复趋势与辐照产生的不同类型缺陷的回复有关。3、结合X射线衍射分析了辐照及辐照后经退火引起的晶格有序度变化：辐照导致晶格有序度降低，半高宽增大；随退火温度增加，有序度又逐渐恢复，半高宽呈现规律性的回复，根据这种规律性在实际中可发展一种新型的测温方法。由以上叁种手段对中子辐照6H-SiC的退火回复特性的实验研究，表明退火温度800℃左右为其辐照缺陷转变及复合的一个重要的温度点，在800℃之前的回复可能主要是近距离的弗伦克尔缺陷及间隙子移动引起的回复；在800℃之后的回复主要是归于辐照产生的非晶区域的再结晶、空位移动及复杂缺陷簇的分解等引起的缺陷复合湮灭；经1600℃退火后，辐照产生的缺陷已基本回复。(本文来源于《天津大学》期刊2012-05-01）
李卓昕,王丹妮,张兰芝,秦秀波,王宝义[7]（2009）在《中子辐照TiAl合金缺陷特性及回复机理的正电子湮没研究》一文中研究指出TiAl基金属间化合物是一种新型高温结构材料,具有轻质、耐磨、耐高温以及优异的抗氧化性能和较小的中子诱发放射性等特点,成为当代航空航天工业、核工业以及民用工业等领域的候选材料之一,具有重要的应用潜力。TiAl合金在室温下呈脆性,加工性能差,比较有效的方法是掺杂适当合金元素以细(本文来源于《第十届中国核靶技术学术交流会摘要集》期刊2009-08-10）
张宗扬,艾红军[8]（2008）在《AZ31B可降解镁合金的遗传毒性评价:鼠伤寒沙门氏菌营养缺陷型回复突变试验》一文中研究指出背景:鼠伤寒沙门氏菌回复突变试验具有一定的预测致癌物的能力,其敏感性、特异性、准确性较高。目的:对AZ31B可降解镁合金进行鼠伤寒沙门氏菌回复突变(Ames)试验,以评价材料的潜在致突变性。设计、时间及地点:对比观察的体外实验,2007-06/07在国家沈阳新药安全评价研究中心实验室完成。材料:成年雄性SD大鼠5只用于制备S-9混合液。AZ31B可降解镁合金,合金片(5cm×5cm×0.1cm),由中国科学院金属研究所提供,贮存于沈阳市安全评价中心样品室。试验菌株:组氨酸营养缺陷型鼠伤寒沙门氏菌:TA97、TA98、TA100、TA102,由沈阳市安全评价中心遗传毒性室提供。方法:采用标准平板掺入法,计数TA97,TA98,TA100,TA102标准测试菌株在标准浸提液(原液)、2倍、4倍、1/2倍原液4个不同质量浓度浸提液下,37℃48h后的回变菌落数。加S-9混合液作为体外代谢活化系统。主要观察指标:各平皿细菌回变菌落数,凡高于阴性对照2倍以上者即为阳性结果。结果:AZ31B可降解镁合金细菌回复突变试验(Ames),各菌株对应各质量浓度浸提液细菌回变菌落数小于阴性对照组细菌回变菌落数的2倍。且各组无论代谢活化与否,皆为阴性试验结果。结论:AZ31B可降解镁合金经细菌回复突变试验(Ames)未见潜在致突变性。(本文来源于《中国组织工程研究与临床康复》期刊2008年32期）
崔云凤[9]（2007）在《小麦赤霉病菌对多菌灵的抗药性及致病性缺陷菌株的回复突变检测》一文中研究指出由镰刀菌引起的赤霉病是危害多种粮食作物的一种重要病害，广泛分布于世界温暖潮湿地区。赤霉病不仅造成产量损失，而且产生的真菌毒素严重威胁人畜健康。在我国，禾谷镰刀菌(Fusarium graminearum Schwabe)是小麦赤霉病的主要致病菌种，其有性阶段为玉蜀黍赤霉菌(Gibberella zeae)。近年来，华东地区的小麦赤霉病菌已经对多菌灵产生了抗药性，增加了小麦赤霉病防治的难度。为进一步了解国内其它地区的小麦赤霉对多菌灵的抗药性情况，我们从黑龙江、吉林和河南等8个省市采集了小麦赤霉病55个样本进行多菌灵敏感性实验。并对小麦赤霉病菌致病缺陷性突变菌株进行了回复突变检测，建立了一套回复突变检测体系。1．小麦赤霉病菌对多菌灵的抗药性从黑龙江、吉林、上海、河南、陕西、北京、湖北和四川等不同地区的小麦病穗上单孢分离得到55株小麦赤霉病菌菌株。对55株小麦赤霉病菌中31株代表菌株的保守基因EF-1-alpha基因PCR扩增并测序的结果显示，除两株从吉林地区分离出来的菌株是F.acuminatum外，其余29株均为禾谷镰刀菌(F.graminearum)。应用菌丝生长速率法测定各菌株对多菌灵的抗药水平，结果发现：所测不同菌株对多菌灵的抗性水平同属敏感型，但菌株间有一定差异，EC_(50)值在0.3241～2.1055μg／mL之间，产孢量在菌株间有显着差异。以上结果说明黑龙江、吉林、河南和湖北等地田间采集的小麦赤霉病菌样本在离体培养条件下均对多菌灵敏感，这个结论给多菌灵使用的安全性提供了一定的理论依据。2．小麦赤霉病菌致病力缺陷菌株的回复突变本试验是在美国普尔度大学植物与植物病理系许景荣博士课题组已构建的小麦赤霉病菌FST7基因缺失突变菌株(fst7)的基础上进行的，已初步确定FST7基因与小麦赤霉病菌致病过程相关。为进一步了解小麦赤霉病菌FST7基因的功能，本试验利用PEG／原生质体介导的方法将野生型FST7基因成功导入突变菌株(fst7)，构建了回复突变菌株，并通过PCR方法验证了其基因型。经过3代以上的继代培养后转化子仍具有G418抗性，说明抗性标记在回复突变菌株的染色体内稳定遗传。各项表型试验表明回复突变转化子菌株与野生型菌株表型相似。通过小麦胚芽鞘的侵染实验证明缺失突变菌株fst7的致病性低于野生型菌株，回复突变菌株的致病性恢复到野生型菌株的水平，FST7基因在小麦赤霉病菌致病过程中起重要作用。(本文来源于《四川农业大学》期刊2007-05-01）
陈世国,吉世印,张一云[10]（2006）在《等离子体喷涂铁合金涂层缺陷回复行为的正电子寿命谱》一文中研究指出用正电子湮没寿命谱方法结合硬度测试手段,对等离子体喷涂铁合金涂层退火处理后的微观结构及缺陷进行了研究,讨论了不同退火温度下缺陷的回复行为,提出退火回复的主要机制。(本文来源于《贵州教育学院学报(自然科学)》期刊2006年02期）
缺陷回复论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
SiC是继Si和GaAs之后发现的半导体材料,与ZnO、金刚石以及GaN同为第叁代半导体材料,它弥补了Si和GaAs这些传统半导体器件不能满足现代电子技术对耐高温、高频、高压以及抗辐射要求的缺陷。SiC电子器件航天航空、化工、通信、能源和空间科学等领域的应用非常有前景,特别是在核能技术方面有着广泛的应用,是核裂变和核聚变反应堆的后备材料。本文的研究对象是高剂量中子辐照后的6H-SiC单晶,中子辐照的总剂量为2.85×10~(20) n/cm~2,对其进行室温至1700℃的等时退火处理,使中子辐照产生的缺陷得到回复。本文利用了X射线衍射(XRD)这一基础测试手段,将6H-SiC单晶(0001)晶面衍射峰作为观测的主要对象,对中子辐照在6H-SiC单晶内引起的缺陷机制及其退火回复规律进行了研究,得出了如下结果:1、等时退火处理后,辐照缺陷逐渐消失,辐照缺陷在室温至600℃回复明显,在600℃-1400℃没有明显变化,但在1400℃之后又开始回复,最后接近辐照前数值。2、晶面间距d在室温至1400℃时持续减小,随后又随退火温度的升高而变大,最后接近辐照前数值。3、通过对辐照损伤回复规律的分析,认为中子辐照使样品内部出现了大量点缺陷和线缺陷,而这些缺陷大多可以通过高温退火得到很好的消除。在进行XRD测试的过程中,由于晶体的斜切使得晶体表面与晶面不在同一平面上,这对XRD测试造成了很大的影响,针对这种情况使用了一种定向测量方法,这种方法无需在宏观尺度上对样品进行各向同性的要求就能够获得准确的数据信息。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
缺陷回复论文参考文献
[1].陈莉,杨彩梅,赵军磊.电力电缆典型缺陷的回复电压特性仿真研究[J].河南科技.2018
[2].赵荣荣.中子辐照6H-SiC单晶的缺陷回复研究[D].天津大学.2018
[3].张涛,张斌,薛尚青.绝缘缺陷对回复电压极化谱的影响[J].水电能源科学.2016
[4].伍海彪,曹兴忠,吴建平,成国栋,李卓昕.Fe-1.5wt%Cu合金中Cu纳米颗粒与微观缺陷热回复过程研究[J].核技术.2012
[5].成国栋,曹兴忠,伍海彪,李卓昕,于润升.应用正电子湮没谱学研究Fe-Cu合金微观缺陷的热处理回复过程[C].第十一届全国正电子湮没谱学会议论文集.2012
[6].黄丽.中子辐照6H-SiC的缺陷回复及其拉曼光谱研究[D].天津大学.2012
[7].李卓昕,王丹妮,张兰芝,秦秀波,王宝义.中子辐照TiAl合金缺陷特性及回复机理的正电子湮没研究[C].第十届中国核靶技术学术交流会摘要集.2009
[8].张宗扬,艾红军.AZ31B可降解镁合金的遗传毒性评价:鼠伤寒沙门氏菌营养缺陷型回复突变试验[J].中国组织工程研究与临床康复.2008
[9].崔云凤.小麦赤霉病菌对多菌灵的抗药性及致病性缺陷菌株的回复突变检测[D].四川农业大学.2007
[10].陈世国,吉世印,张一云.等离子体喷涂铁合金涂层缺陷回复行为的正电子寿命谱[J].贵州教育学院学报(自然科学).2006