导读:本文包含了场发射阴极阵列论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:场发射阵列阴极,ANSYS模拟,过渡层,电阻层
场发射阴极阵列论文文献综述
葛延槟[1]（2016）在《Spindt型场发射阴极阵列中过渡和保护层的研究》一文中研究指出Spindt型场发射阴极具有工作温度低、可控制性强、发射电流大、响应时间短等优势,拥有广阔的应用前景,但场发射阴极阵列在制备过程中容易产生阴极微尖不均匀,甚至微尖脱落等问题,导致发射电流不均匀,性能不稳定。为了使场发射阴极阵列工作更稳定,性能更好,本论文在传统Spindt型场发射阴极的模型上,加入了非晶硅电阻层和钼过渡层,并采用六硼化镧作为发射层。利用非晶硅的高阻值特性限制异常发射的微尖,起到保护整个场发射阴极阵列的作用;利用钼和非晶硅、六硼化镧相近的热膨胀系数,提高整个发射体形貌的稳定性,并起到降低发射层受到的热应力的作用;利用LaB6的低逸出功和强抗离子轰击能力,增强阴极发射能力。本论文的主要工作有:第一,利用有限元分析软件ANSYS14.0模拟分析Spindt型场发射复合阴极中各层不同厚度对温度场和应力场的影响,由模拟结果可知,当场发射复合阴极结构中存在过渡层时可以减缓发射层的热应力,在此基础上得到最佳的模拟参数,即非晶硅电阻层的厚度为72nm,钼过渡层为200nm,发射层为728nm。第二,根据模拟仿真结果,采用电子束蒸发法制备了不同功率和基底温度下的非晶硅薄膜,通过SEM分析、XRD分析和电学性能测试等,得到最佳的非晶硅薄膜制备参数:蒸发功率107W,基底温度200℃。第叁,采用电子束蒸发法制备了不同功率和基底温度下的钼薄膜,通过SEM分析、XRD分析和四探针电学性能测试等,得到最佳的钼薄膜的制备参数为:蒸发功率312W,基底温度200℃。第四,在硅和钼薄膜制备的最佳参数下沉积多层结构薄膜,并进行薄膜热应力测试。测试结果表明,复合薄膜的热应力最大值出现在过渡层,发射层的热应力值较传统Spindt阴极降低了1/3,与模拟结果相比误差约9%。第五,根据半导体微细加工工艺制备出Spindt型复合阴极阵列,并对其进行场发射性能测试。结果表明,经过老练后场发射的最大电流可达5300μA,电流密度为0.5A/cm2,验证了加入电阻层和过渡层的可行性。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-04-14）
张永爱,林婷,林木飞,林锑杭,周雄图[2]（2014）在《基于氧化锡薄膜的表面传导场致发射阴极阵列的制备及性能研究》一文中研究指出利用磁控溅射和阳光刻技术在玻璃基底上成功制备了不同厚度SnO2的表面传导场致发射阴极阵列,并测试其场致发射性能。X射线衍射和X射线光电子谱测试表明,沉积在阴极和栅极之间的薄膜为SnO2薄膜;原子显微镜测试表明,SnO2薄膜形貌的粗糙度随沉积时间的增长而增加,晶粒大小也随着膜厚的增加而增大。场发射测试表明,制备的SnO2表面传导场致发射阴极阵列的传导电流和发射电流完全被栅极电压控制;在SnO2薄膜厚度为60nm时,阳极电压和栅极电压分别为3200 V和200 V,阴阳间距为500μm时,SnO2表面传导场致发射阴极阵列的电子发射效率为0.72%,发光亮度为650 cd/m2,表明SnO2薄膜在表面传导场致发射阴极阵列方面有着较好的应用潜力。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2014年08期）
雷达,孟根其其格,陈雷锋[3]（2014）在《一种带栅极碳纳米管阴极阵列的场发射性能研究》一文中研究指出研究碳纳米管与衬底之间的电学接触和器件结构尺寸的优化设计是提高碳纳米管冷阴极器件场发射特性的关键之一。本文利用镜像电荷法计算了一种背栅极碳纳米管阴极阵列的表面电场,给出碳纳米管顶端表面电场与接触电阻的关系,分析了接触电阻与栅极偏压对场发射电流、发射体顶端表面电场的影响。另外,还探究了最佳栅孔单元分布密度。结果表明,接触电阻大幅度降低了碳纳米管顶端表面电场与发射电流,当接触电阻高于1 MΨ时,器件对阳极驱动电压的要求更高,而栅极偏压的调制,能够有效地降低阳极驱动电压,最佳栅孔单元分布距离为约两倍的碳纳米管高度。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2014年04期）
刘维浩,张雅鑫,胡旻,周俊,刘盛纲[4]（2012）在《基于场致发射阴极阵列的太赫兹源的物理机理研究》一文中研究指出本文对一种基于场致发射阴极阵列(FEA)的太赫兹辐射源的物理机理进行了理论分析和粒子模拟验证.采用场匹配法分析了器件的高频场结构,确定π模作为器件的最优工作模式;利用线性理论分析了器件的注波互作用过程,揭示了高频场对FEA阴极发射电流的预调制作用以及电子在阴阳极间隙的渡越时间效应是器件起振的物理原因;分析得出了π模起振条件;粒子模拟结果与理论分析具有较好的一致性.(本文来源于《物理学报》期刊2012年12期）
林志贤,郭太良,张永爱,覃华芳[5]（2010）在《基于图形化生长纳米氧化锌场致发射阴极阵列的研究》一文中研究指出采用光刻技术在覆盖有氧化锌(ZnO)薄膜的ITO玻璃片衬底上实现图形化生长,结合水热法在衬底上制备出结构完整、排列一致的ZnO矩形和圆环型单元阵列。在图形化的基础上二次生长ZnO纳米锥阵列,锥长度最大可达到10μm,远大于一次生长的长度,并且发现锥顶有很多精细的类似针状的纳米量级微细结构。分析了非图形化、图形化一次以及图形化二次生长的ZnO纳米锥阵列的场致发射性能。使用图形化二次生长的ZnO纳米锥阴极阵列制作了12.7cm(5inch)的场发射显示器(FED),能实现全屏发光。实验结果表明,图形化二次生长的ZnO纳米锥阵列发射电流密度为最大,可达0.6mA/cm2,其开启场强为2.5V/μm。图形化生长ZnO纳米锥的方法是一种能较好改善材料场发射性能的好方法,为寻求良好场发射性能材料的制备提供了一条有效的实验途径。(本文来源于《光学学报》期刊2010年06期）
周飞,张军,苏海军,刘林,傅恒志[6]（2010）在《湿法腐蚀制备Si-TaSi_2场发射阴极阵列的工艺研究》一文中研究指出阴极阵列形貌是影响场致发射材料发光性能的关键因素。以Czochralski(Cz)法制备的Si-TaSi2共晶复合材料为场发射阴极材料,采用湿法腐蚀制备Si基TaSi2尖锥型场发射阴极阵列。通过调整腐蚀液配比、腐蚀时间和腐蚀液温度,研究了不同腐蚀条件对Si基TaSi2尖锥形貌及阴极阵列制备的影响,获得了Si基TaSi2尖锥阴极阵列的最佳制备工艺,并对其场发射性能进行了测试。结果表明:在室温17℃,腐蚀液配比v(HF)∶v(HNO3)=1∶4,腐蚀时间15 min下得到了高长径比的TaSi2尖锥,阵列具有较好的场发射性能,开启场强为3.84 V/μm。(本文来源于《铸造技术》期刊2010年05期）
王本莲,林祖伦,王小菊,曹伟[7]（2009）在《LaB_6场发射阴极阵列的制备工艺研究》一文中研究指出利用微细加工技术在单晶LaB6材料上制备出了场发射二极管阴极阵列。具体工作是结合半导体工艺,采用薄膜沉积、涂胶、曝光、显影、刻蚀以及电化学腐蚀等一系列工序制备出了性能良好的尖锥阵列。工作的重点是覆有掩膜层单晶LaB6材料的电化学腐蚀,通过大量实验摸索出了最佳的工艺参数(包括电解液类型及浓度、电解电流、电解时间等),得到了具有一定表面形貌及阵列高度且底面平整度良好的场发射阴极阵列。(本文来源于《电子器件》期刊2009年02期）
王小菊,蒋亚东,林祖伦,祁康成,陈泽祥[8]（2008）在《六硼化镧场发射阴极阵列的制作及特性(英文)》一文中研究指出采用氧等离子体氧化刻蚀工艺,制备出尖锐的六硼化镧(LaB6)微尖锥场发射阵列。在二极管结构中测试了LaB6-FEAs的场发射性能,得到了真空度为5×10-5Pa下的I-V曲线及相应的Fowler-Nordheim节点。结果表明,由于LaB6材料较低的逸出功,使得阴极的开启电压较小,开启场仅为7 V/μm。此外,将氧等离子体氧化刻蚀方法与氩氧等离子体刻蚀方法和电化学刻蚀方法进行了比较,表明氧等离子体氧化刻蚀方法是制备LaB6场发射阴极阵列的一种理想工艺。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2008年02期）
杨云青,王蜀霞,胡慧君,牛君杰,饶早英[9]（2007）在《碳纳米管场发射阴极阵列制备研究与进展》一文中研究指出碳纳米管具有良好的电子发射特性,成为理想的场致发射阴极材料,碳纳米管阵列制备研究是碳纳米管平板显示应用的前提。介绍了碳纳米管阴极阵列制备技术如丝网印制法、CVD原位生长法、光刻法和自组织法等研究与进展,并从薄膜残留去除、CNTs膜微结构改变及sp~3缺陷增加等方面概述了目前CNTs场发射性能优化的进展,指出了目前存在的问题并作了简单分析。(本文来源于《材料导报》期刊2007年12期）
崔春娟,张军,李波,刘林,傅恒志[10]（2007）在《Si-TaSi_2场发射阴极阵列制备工艺的研究》一文中研究指出Si-TaSi2共晶自生复合材料由于具有较低的功函数、良好的电传输特性和自生叁维肖特基结等特点,被认为是具有良好应用前景的场致发射材料之一。依据选择性腐蚀的原理,把电子束区熔技术制备的Si-TaSi2共晶自生复合材料制作为Si-TaSi2场发射阴极阵列。对影响选择性腐蚀工艺的两个因素:腐蚀时间和腐蚀液配比进行了系统的研究。研究表明,随着腐蚀时间的延长,TaSi2尖锥的曲率半径减小,长径比增大;制备Si-TaSi2场发射阴极阵列的最佳腐蚀液配比是浓硝酸和浓氢氟酸的体积比v(HNO3)∶v(HF)=4∶1,最佳的腐蚀时间是20~30min。采用透明阳极法对制备的Si-TaSi2阴极阵列进行了场发射性能的测试,结果表明该腐蚀工艺制作的Si-TaSi2阴极阵列有较好的场发射性能。(本文来源于《功能材料》期刊2007年11期）
场发射阴极阵列论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用磁控溅射和阳光刻技术在玻璃基底上成功制备了不同厚度SnO2的表面传导场致发射阴极阵列,并测试其场致发射性能。X射线衍射和X射线光电子谱测试表明,沉积在阴极和栅极之间的薄膜为SnO2薄膜;原子显微镜测试表明,SnO2薄膜形貌的粗糙度随沉积时间的增长而增加,晶粒大小也随着膜厚的增加而增大。场发射测试表明,制备的SnO2表面传导场致发射阴极阵列的传导电流和发射电流完全被栅极电压控制;在SnO2薄膜厚度为60nm时,阳极电压和栅极电压分别为3200 V和200 V,阴阳间距为500μm时,SnO2表面传导场致发射阴极阵列的电子发射效率为0.72%,发光亮度为650 cd/m2,表明SnO2薄膜在表面传导场致发射阴极阵列方面有着较好的应用潜力。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场发射阴极阵列论文参考文献
[1].葛延槟.Spindt型场发射阴极阵列中过渡和保护层的研究[D].电子科技大学.2016
[2].张永爱,林婷,林木飞,林锑杭,周雄图.基于氧化锡薄膜的表面传导场致发射阴极阵列的制备及性能研究[J].真空科学与技术学报.2014
[3].雷达,孟根其其格,陈雷锋.一种带栅极碳纳米管阴极阵列的场发射性能研究[J].真空科学与技术学报.2014
[4].刘维浩,张雅鑫,胡旻,周俊,刘盛纲.基于场致发射阴极阵列的太赫兹源的物理机理研究[J].物理学报.2012
[5].林志贤,郭太良,张永爱,覃华芳.基于图形化生长纳米氧化锌场致发射阴极阵列的研究[J].光学学报.2010
[6].周飞,张军,苏海军,刘林,傅恒志.湿法腐蚀制备Si-TaSi_2场发射阴极阵列的工艺研究[J].铸造技术.2010
[7].王本莲,林祖伦,王小菊,曹伟.LaB_6场发射阴极阵列的制备工艺研究[J].电子器件.2009
[8].王小菊,蒋亚东,林祖伦,祁康成,陈泽祥.六硼化镧场发射阴极阵列的制作及特性(英文)[J].强激光与粒子束.2008
[9].杨云青,王蜀霞,胡慧君,牛君杰,饶早英.碳纳米管场发射阴极阵列制备研究与进展[J].材料导报.2007
[10].崔春娟,张军,李波,刘林,傅恒志.Si-TaSi_2场发射阴极阵列制备工艺的研究[J].功能材料.2007