导读:本文包含了致密化工艺论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CSs,均匀弥散,铜基触头材料,致密化
致密化工艺论文文献综述
丁一,祝志祥,邵文柱,张璐,陈保安[1]（2019）在《前驱体伪共沉淀法制备CSs(纳米碳球)/Cu触头材料及致密化工艺研究》一文中研究指出通过前驱体伪共沉淀法制备出第二相均匀弥散分布的CSs(纳米碳球)/Cu触头材料,通过研究制备工艺以及第二相含量对CSs/Cu复合材料微观组织结构、机械物理性能及接触电阻的影响规律,为高性能铜基低压电器触头材料设计原则提供理论依据。(本文来源于《功能材料》期刊2019年09期）
伍晶晶[2]（2019）在《SiC素坯快速成型及渗硅致密化工艺研究》一文中研究指出碳化硅陶瓷作为新一代空间反射镜用材料,具有质量轻、热膨胀系数低、弹性模量高、熔点高、热稳定性好、光学性质与光学玻璃相当等优点,所以在航天航空领域一直是研究的热点。碳化硅陶瓷传统成型工艺现在已经无法满足工业化生产对复杂结构碳化硅陶瓷零部件日益增长的需求,因此不需要依赖模具的3D打印快速成型工艺在近几年成为了碳化硅陶瓷成型领域的研究热点。选择性激光烧结(SLS)是一种基于离散堆积成型思想的快速成型工艺。先通过计算机软件设计出复杂结构的空间反射镜模型,将文件转成STL格式进行分层切割处理,将一系列的二维截面信息传输到数控成型系统,再由成型系统控制激光束按照截面信息有选择地照射陶瓷粉末进行逐层烧结成型,得到SiC陶瓷素坯。再经碳化、反应烧结后最终得到复杂结构的SiC空间反射镜。观察材料的微观形貌,发现其表面存在一些孔洞,陶瓷中含硅量较高,密度为2.729g/cm3。材料的弯曲强度为198±14MPa,断裂韧性为2.97±0.13MPa·m~(1/2)。为了进一步提高SiC陶瓷的致密度及力学性能,提出了一种碳化硅陶瓷热固化成型工艺。热固化快速成型工艺过程是将制备出的碳化硅浆料用刷子涂刷在玻璃板上,在烘箱中逐层迭加成型,得到碳化硅素坯,经过碳化处理使坯体内的酚醛树脂脱脂并去除残留的有机溶剂,得到多孔含碳坯体,在通过反应烧结渗硅最终得到性能优异的致密碳化硅陶瓷。热固化快速成型工艺最关键的一步就是SiC陶瓷浆料的制备,热固化快速成型工艺需要制备出高固相含量、固化前后体积收缩量小的陶瓷浆料。采用控制变量法对分散剂的含量、碳化硅颗粒粒径选择、固相含量、碳化硅颗粒配比进行细致的研究,设计了4组不同的浆料配比方案。测定浆料粘度、固化前后体积变化量、素坯密度并观察碳化后素坯断口形貌,确定浆料中分散剂的最佳含量为浆料中粉末质量的20%,浆料中固相含量为65%,240目和100nm的碳化硅粉末质量比为1:1。将得到的碳化硅陶瓷最佳浆料应用于热固化成型/RBCS复合工艺制备出碳化硅陶瓷,测试其性能分别为密度3.03g/cm~3,弯曲强度为462±13MPa,断裂韧性为4.32±0.17MPa·m~(1/2)。通过对两种不同快速成型工艺制备的SiC陶瓷从微观组织、力学性能的角度进行比较分析,得出热固化快速成型工艺更适合制备致密度高、性能优异的SiC陶瓷的结论。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
李俊涛,郝彦君[3]（2019）在《无压烧结制备TiAl合金的致密化工艺研究》一文中研究指出以Ti-48Al-2Cr-2Nb预合金粉末为主要原料,进行冷等静压结合无压烧结制备TiAl合金的致密化工艺研究。重点研究预合金粉末粒径、烧结气氛以及其他元素粉末掺杂对TiAl合金显微组织及力学性能的影响,确定最优的工艺参数。结果表明:在800°C以内烧结时,通氢气气氛能显着降低合金的氧化程度;在合金粉中掺杂少量的Al粉能够显着提高合金的致密度,使其具有良好的综合力学性能。(本文来源于《兵器材料科学与工程》期刊2019年04期）
范晓孟,殷小玮,张立同,成来飞[4]（2017）在《低温致密化工艺制备C/SiC-Ti_3Si(Al)C_2复合材料的强韧性研究》一文中研究指出根据基体致密度的不同,常将化学气相渗透(Chemical Vapor Infiltration, CVI)所制备的C/SiC称为多孔C/SiC,而反应熔体渗透(Reactive melt infiltration, RMI)所制备的C/SiC则称为致密C/SiC。相比于多孔C/SiC,致密C/SiC的强韧性不足,这可以归结于两方面原因:一方面为致密基体内部增韧机制的匮乏,另一方面为较高的制备温度所带来的高残余热应力。针对此,采用Al-Si合金渗透工艺取代液硅渗透工艺,材料的致密化温度从1600oC降低到1300oC,有利于降低材料内部的残余热应力;同时采用Al-Si合金渗透工艺在基体内部原位自生MAX相基体,提高基体的损伤容限并丰富基体的增韧机制。实验结果表明,随着基体内部大量MAX相的生成,纤维束内外基体间会发生脱粘,从而释放残余热应力,使得不同纤维束间的协同作用增强并具有较长的纤维拔出长度,故所制备C/SiC-Ti_3Si(Al)C_2的抗弯强度和断裂韧性分别达到556±33MPa和21.6±0.9MPa·m1/2,明显高于C/SiC-Si和C/SiC-Ti_3SiC_2的性能。C/SiC-Ti_3Si(Al)C_2的强度和韧性均已达到甚至超过CVI所制备C/SiC的性能水平,显示出低温致密化工艺制备MAX相陶瓷改性C/SiC复合材料的优势。(本文来源于《第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场1-5》期刊2017-10-21）
单康宁[5]（2017）在《水热法制备La_2O_3掺杂W-70Cu复合粉末及其烧结致密化工艺研究》一文中研究指出钨铜复合材料集合了钨铜两组分的优异性能:钨组分的低热膨胀系数、高熔点和高强度特点以及铜组分的高导热和导电性。这些特点使得W-Cu复合材料可以用来制作热沉积材料、超高压电接触材料和弹头材料等产品,广泛应用于航空领域、电器仪表工业和军事工业。但是由于钨、铜元素在密度和熔点上有着极大差别,同时二者相溶性非常差,传统粉末冶金制备的产品易出现钨铜分布不均、致密度差、晶粒粗大等缺点,物理和力学性能有待提高。元素分布均匀、颗粒掺杂增强的纳米粉体及其烧结致密化技术成为制备高性能钨铜合金的关键。基于此,本文以Na2WO4·2H_2O、Cu(NO3)2·3H_2O和La(NO3)3·nH_2O等为原料,采用水热共沉淀-煅烧工艺成功制备出La_2O_3掺杂W-70C u前驱体粉末,借助SEM、HRTEM、DTA/TG及XRD等手段对复合粉体的物相、形貌和微观结构进行了表征。结果表明,制备的La_2O_3掺杂钨铜水热产物的最佳水热温度为180℃,最佳水热反应时间为25h,以及最佳溶液p H为5.5。随着镧掺杂量的增加,粉体越来越细小且不容易团聚。随着镧含量的增加,煅烧粉体粒径变得均匀;当掺杂量为2.0wt%时,500℃下煅烧60min后得到的粉末分散性最好。煅烧后产物中出现新的物相钨酸镧La2(WO4)3。单一制备CuO的水热反应,随着时间的增加粉体会出现团聚。水热温度为180℃反应16h,前驱粉体粒径最均匀且不易团聚。La_2O_3掺杂W-Cu复合粉体的还原工艺研究表明,采用775℃×2h一段还原工艺时,还原粉体颗粒不均匀,Cu相易大尺寸聚集。采用两段还原工艺时,第一段400℃还原30min可得到单质Cu相;第二段775℃还原2h可制备出颗粒细小、分布均匀的钨铜复合粉末。含镧元素相由煅烧态的La2(WO4)3转变为La_2O_3,La_2O_3均匀分布在钨铜颗粒的周围,将钨铜颗粒包覆、分隔,一定程度上抑制了形核长大,从而细化了晶粒。相比于一段还原,两段还原所得的W-Cu复合粉末粒度明显细小,分布更加均匀,分散性更好。采用冷等静压制坯-氢气烧结制备La_2O_3掺杂W-70Cu合金。结果表明,烧结温度越高,铜晶粒越大;在1090℃时相对密度达到最大为97.24%,硬度最大为113HB,导电率最高为71.4%IACS。采用SPS烧结工艺时,温度越高,越易出现成分与组织的偏析,不利于合金性能提升。950℃烧结5min时工艺最优,致密度可达97.86%,硬度最大为117HB,导电率最高为74.8%IACS。在两种不同的烧结工艺中,La_2O_3掺杂在钨铜合金中均起到细化晶粒、减少偏聚现象产生的作用,从而促进致密度、硬度等性能的提升。本论文通过水热-共还原法制备出的纳米复合粉体不仅可以保证钨、铜、镧元素在粉体中分布的均匀性,而且掺杂加入的稀土元素可以起到进一步细化粉体,提高复合粉体的烧结活性,降低烧结温度,净化晶界,保证合金高致密性,提高复合材料性能,具有较高的实用价值。(本文来源于《河南科技大学》期刊2017-06-01）
李瑗茹[6]（2017）在《RGO/Cu复合材料致密化工艺及电接触特性研究》一文中研究指出目前,低压电器用电触头材料主要是银基材料。这类材料消耗了大量价格昂贵、资源稀缺的贵金属银。另外,目前综合性能最为优异的Ag-Cd O材料中Cd具有较大毒性,其应用在很大程度上受到限制。由于铜具有与银接近的力学和电学性能,且廉价易得,无毒环保,故有发展前景和空间。铜作为电接触材料最大的问题在于其易于氧化,且生成的氧化膜不导电。石墨烯具有良好的综合性能但难以分散。故本文选择分散性较好且可通过热还原得到还原氧化石墨烯(RGO)的的氧化石墨烯(GO)为添加相,借助渗流理论与有效介质理论计算合理添加量,并对材料进行致密化工艺研究与性能测试。本文使用有效介质理论计算了铜基电接触材料中片层状第二相的渗流阈值,利用粉末冶金法制备了石墨烯优化铜基电接触材料,研究了材料的致密化工艺并分析了粉末冶金工艺以及复压、复烧、轧制、挤压工艺对石墨烯优化铜基电接触材料组织和性能的影响,同时研究了氧化石墨烯添加量对材料各项性能的影响及其规律。借助有效介质理论并引入结构因子与退极化因子,模拟计算的得到了第二相粒子在材料中的渗流阈值并绘制了渗流阈值与粒子长径比的关系曲线。铜基体中的第二相粒子长径比为10-6/10-4/10-2/1/10时对应的渗流阈值分比为0.0018/0.0177/0.1761/12.82/34.62/0.030。在工艺上对粉末压制密实化过程各阶段进行了研究。石墨烯优化铜基材料混合粉末密实化过程符合一般的压制规律及其他铜和其合金粉末的冶金规律。Zn Sn O3第二相颗粒的存在对压实过程存在阻碍作用。初烧后材料随初压压力增大呈现先收缩后膨胀的规律。复压压力过大会严重影响材料致密度。退火工艺可得到相对密度为为96%晶粒尺寸均匀的试样。研究了RGO对材料性能的影响及存在形式。GO添加量在0.2wt%以上时Zn Sn O3第二相颗粒与基体的结合更为紧密,且此时晶粒得到细化。0.2wt%GO/Cu样品中观察到了粒径为1μm左右的RGO片层存在,合金样品中碳元素分布均匀,未观察到RGO颗粒。对比了不同工艺得到的样品各项性能。对于退火和复烧制得的试样,硬度多数呈现在某一GO加入量达到峰值的规律。合金基体中硬度最大出现在900MPa复压后复烧得到的样品,其硬度为77.8HV0.1,对应GO添加量为0.2wt%。挤压轧制工艺后得到的试样硬度比复烧退火样品有着明显提升,轧制纯合金的硬度可达130.1HV0.2。GO添加量超过0.02wt%后材料的抗拉强度得到显着提升,最高可达298MPa。研究了RGO/Cu材料的电接触特性。本实验得到的RGO/Cu材料最大电导率为94.5%IACS。添加了适量GO的合金材料在5000次电弧烧蚀测试后接触电阻约为600mΩ,明显低于同条件下的纯合金材料。观察了烧蚀后材料表面工作层形貌,添加GO的样品裂纹的宽度和密集程度明显少于同条件下的纯合金材料。RGO的存在可保证材料电导率并提升材料抗电弧烧蚀特性,抑制裂纹的产生及扩展,并可在烧蚀工作层内形成导通体系。可作为新型铜基电接触材料设计的依据。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2017-06-01）
蔡翔[7]（2017）在《高体分SiC_p/Al复合材料致密化工艺及组织性能研究》一文中研究指出作为一种新型的电子封装材料,高体分铝基复合材料展现出低密度、良好的导热性能以及线膨胀系数可控制等优异的特性,被广泛的应用于航天航空、汽车、电子和军事领域。本文采用粉末冶金直接热挤压法制备30%、40%(体积分数)SiCp/Al复合材料,通过光学显微镜、扫描电镜、拉伸试验机、布氏硬度计、热膨胀仪和热导率测试仪等对其显微组织、力学性能和物理性能等进行分析,研究了 30%、40%SiCp/Al复合材料经过450 ℃热挤压成型后材料的屈服强度、抗拉强度、断裂伸长率、硬度、颗粒分布均匀性程度、线膨胀系数以及热导率和碳化硅体积分数之间的关系。体积分数更高的50%～75%SiCp/Al复合材料则采用热压工艺制备,探索研究碳化硅体积分数以及热压工艺中的压力和热压温度对材料致密度的影响,并通过不同工艺的对比,得到不同碳化硅含量的高体分SiCp/Al复合材料的较好的热压工艺。研究的主要成果如下:(1)不同含量SiCp/Al复合材料应采用不同制备工艺,当SiCp体积分数小于50%的SiCp/Al复合材料可以采用粉末热挤压成形工艺制备,对于SiCp体积分数等于50%及以上的SiCp/Al复合材料则可采用粉末热压成形工艺。(2)通过粉末热挤压成形工艺制备出来的SiCp/Al复合材料,随着复合材料中SiCp颗粒含量提高,材料硬度提高,材料致密度变小,材料塑性变差,伸长率发生明显下降。材料线膨胀系数随着SiCp体积分数增加而降低,SiCp颗粒分布均匀性有所提高而使得材料导热率上升。(3)采用粉末热压成形工艺制备的SiCp/Al复合材料,随着热压温度或热压力的提高,材料内部孔洞会逐渐减少,致密度也逐渐提高,在达到某一最佳工艺后,材料的致密度达到最高,随着热压温度或热压力继续提高,材料缺陷又重新增多,致密度也开始降低。不同碳化硅含量的SiCp/Al复合材料最佳热压工艺是不同的。(4)SiCp体积分数对SiCp/Al复合材料的致密度同样也有很重要的影响。随着碳化硅体积分数从50%提高至75%,复合材料的致密度下降。(5)50%SiCp/Al复合材料的最佳真空热压烧结工艺为:热压烧结温度620℃,热压压力60MPa;60%SiCp/Al复合材料的密度的变化确定其最佳热压工艺为:热压烧结温度630℃,热压压力50MPa。(本文来源于《湖南大学》期刊2017-05-17）
张会杰[8]（2015）在《W-30Cu合金的水热合成法制备及致密化工艺研究》一文中研究指出钨铜合金兼具W和Cu两种金属的特性,具有密度高、抗拉强度高、良好的电性能和导热性能以及较强的吸收射线能力等,因而被广泛的应用于航空航天、军事工业、电器仪表工业等领域。然而,由于钨铜几乎不互溶,加之W的熔点(3410℃)与铜的熔点(1083℃)相差太大,传统粉末冶金制备工艺普遍存在致密化程度低、微观组织不均匀等一系列问题,极大地限制了W-Cu合金的应用范围。一些研究表明,对于以颗粒重排为烧结致密化主导机制的钨铜体系来说,粒度细小、成分均匀分布的粉末有助于提高烧结致密化速度和烧结密度,因此,近年来钨铜合金的制备转向了细颗粒钨铜复合粉末的制备工艺方面。结合实际条件,本文设计了以水热合成为基础,结合等离子烧结和包套热挤压工艺制备细晶钨铜复合材料的工艺过程,并对材料的电接触特性进行研究。主要研究成果如下:在p H=5.2的条件下,采用水热合成法制备出了由Cu WO4·2H2O和Cu2WO4(OH)2组成的水热共沉淀产物。粉末呈规则的类球形状,颗粒细小且均匀,粒度约为10 nm,有软团聚现象。经550℃煅烧2 h后获得了混合氧化物粉末,粉末主要成分为Cu WO4-x,形貌为规则的多边形,粒度约为50 nm。氧化产物于800℃氢气还原1 h完全转化为W-Cu复合粉末。粉末的粒度介于100-200 nm,微观结构为Cu壳包覆W核心的结构,而并非W和Cu颗粒简单的机械混合。粉末中同时存在粒度为20-30 nm的微粒,呈独特的W包覆Cu结构。结果表明,Cu相的存在对氧化钨的还原起到了催化作用,而且也起到了细化晶粒的作用。还原粉末不经压制,直接采用等离子快速烧结在1050℃即可获得组织均匀、细密的细晶W-Cu合金,特别是合金中W颗粒的粒度有了极大的细化。材料的致密度特别是硬度也有很大的提高,但材料的导电率普遍较低。通过真空烧结和包套热挤压技术可以制备出性能优良的超细晶W-Cu复合材料。1050℃真空烧结后的坯体相对密度较低只有91.5%,经包套热挤压后致密度提高到97.07%,硬度达到223 HB。热挤压过程中铜相熔融软化形成的毛细管力促进W颗粒重排和填充孔隙,使组织更加细密均匀,形成了典型的钨骨架和铜网络结构。同时,W相和Cu相分布均匀,钨颗粒细小(1-3μm)。后续热处理能消除残余应力,使组织和性能得到进一步改善。材料的致密度和电导率达到最大值,分别为98.82%和43.31%IACS,形成良好的综合性能指标匹配。热挤压制备的触头材料电接触性能良好。在电压36 V时,触点材料的转移方向发生了改变,由阴极失重转变为阳极失重。电流一定时,接触电阻比较稳定,表明材料耐烧蚀性能比较好;燃弧时间和燃弧能量值随电压的增大而增大,且电压越大波动越大。由触头侵蚀形貌分析可知,阳极表面出现大量凹坑、孔洞和熔池,阴极表面主要为凝固后的材料熔化区和熔滴。(本文来源于《河南科技大学》期刊2015-06-01）
郑蕊,李艳,嵇阿琳,张国辉[9]（2015）在《致密化工艺对针刺无纬布C/C复合材料性能的影响》一文中研究指出比较了两种不同工艺制备的针刺无纬布C/C复合材料。研究表明,在沥青浸渍/碳化之前对针刺预制体进行CVI预增密处理后,其C/C复合材料轴向拉伸强度提高了234%,层剪强度提高了126%;热扩散率明显升高,轴向线胀系数下降,表现出良好的综合性能。(本文来源于《宇航材料工艺》期刊2015年02期）
杨路,姜淑文,王志强,林海[10]（2014）在《特种陶瓷烧结致密化工艺研究进展》一文中研究指出特种陶瓷的性能主要取决于其烧结工艺。为获得均一致密的陶瓷结构而发展出各种各样的烧结工艺,每种工艺都有其特有的优势与不足。通过综述特种陶瓷烧结致密化工艺的研究现状,包括传统烧结方法的新工艺路线以及近年来发展的新型烧结方法及工艺,评价了这些工艺的特点、机理以及烧结致密化效果,为特种陶瓷制备工艺的选择提供参考。(本文来源于《材料导报》期刊2014年07期）
致密化工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
碳化硅陶瓷作为新一代空间反射镜用材料,具有质量轻、热膨胀系数低、弹性模量高、熔点高、热稳定性好、光学性质与光学玻璃相当等优点,所以在航天航空领域一直是研究的热点。碳化硅陶瓷传统成型工艺现在已经无法满足工业化生产对复杂结构碳化硅陶瓷零部件日益增长的需求,因此不需要依赖模具的3D打印快速成型工艺在近几年成为了碳化硅陶瓷成型领域的研究热点。选择性激光烧结(SLS)是一种基于离散堆积成型思想的快速成型工艺。先通过计算机软件设计出复杂结构的空间反射镜模型,将文件转成STL格式进行分层切割处理,将一系列的二维截面信息传输到数控成型系统,再由成型系统控制激光束按照截面信息有选择地照射陶瓷粉末进行逐层烧结成型,得到SiC陶瓷素坯。再经碳化、反应烧结后最终得到复杂结构的SiC空间反射镜。观察材料的微观形貌,发现其表面存在一些孔洞,陶瓷中含硅量较高,密度为2.729g/cm3。材料的弯曲强度为198±14MPa,断裂韧性为2.97±0.13MPa·m~(1/2)。为了进一步提高SiC陶瓷的致密度及力学性能,提出了一种碳化硅陶瓷热固化成型工艺。热固化快速成型工艺过程是将制备出的碳化硅浆料用刷子涂刷在玻璃板上,在烘箱中逐层迭加成型,得到碳化硅素坯,经过碳化处理使坯体内的酚醛树脂脱脂并去除残留的有机溶剂,得到多孔含碳坯体,在通过反应烧结渗硅最终得到性能优异的致密碳化硅陶瓷。热固化快速成型工艺最关键的一步就是SiC陶瓷浆料的制备,热固化快速成型工艺需要制备出高固相含量、固化前后体积收缩量小的陶瓷浆料。采用控制变量法对分散剂的含量、碳化硅颗粒粒径选择、固相含量、碳化硅颗粒配比进行细致的研究,设计了4组不同的浆料配比方案。测定浆料粘度、固化前后体积变化量、素坯密度并观察碳化后素坯断口形貌,确定浆料中分散剂的最佳含量为浆料中粉末质量的20%,浆料中固相含量为65%,240目和100nm的碳化硅粉末质量比为1:1。将得到的碳化硅陶瓷最佳浆料应用于热固化成型/RBCS复合工艺制备出碳化硅陶瓷,测试其性能分别为密度3.03g/cm~3,弯曲强度为462±13MPa,断裂韧性为4.32±0.17MPa·m~(1/2)。通过对两种不同快速成型工艺制备的SiC陶瓷从微观组织、力学性能的角度进行比较分析,得出热固化快速成型工艺更适合制备致密度高、性能优异的SiC陶瓷的结论。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
致密化工艺论文参考文献
[1].丁一,祝志祥,邵文柱,张璐,陈保安.前驱体伪共沉淀法制备CSs(纳米碳球)/Cu触头材料及致密化工艺研究[J].功能材料.2019
[2].伍晶晶.SiC素坯快速成型及渗硅致密化工艺研究[D].哈尔滨工业大学.2019
[3].李俊涛,郝彦君.无压烧结制备TiAl合金的致密化工艺研究[J].兵器材料科学与工程.2019
[4].范晓孟,殷小玮,张立同,成来飞.低温致密化工艺制备C/SiC-Ti_3Si(Al)C_2复合材料的强韧性研究[C].第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场1-5.2017
[5].单康宁.水热法制备La_2O_3掺杂W-70Cu复合粉末及其烧结致密化工艺研究[D].河南科技大学.2017
[6].李瑗茹.RGO/Cu复合材料致密化工艺及电接触特性研究[D].哈尔滨工业大学.2017
[7].蔡翔.高体分SiC_p/Al复合材料致密化工艺及组织性能研究[D].湖南大学.2017
[8].张会杰.W-30Cu合金的水热合成法制备及致密化工艺研究[D].河南科技大学.2015
[9].郑蕊,李艳,嵇阿琳,张国辉.致密化工艺对针刺无纬布C/C复合材料性能的影响[J].宇航材料工艺.2015
[10].杨路,姜淑文,王志强,林海.特种陶瓷烧结致密化工艺研究进展[J].材料导报.2014