导读:本文包含了有机集成电路论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:有机薄膜晶体管,SPICE模型,电子设计自动化(EDA),有机集成电路
有机集成电路论文文献综述
尹飞飞[1]（2017）在《有机薄膜晶体管模型建立及其集成电路设计》一文中研究指出以有机薄膜晶体管(OTFT)为基础的有机电路以其特有的材料和工艺优势,正成为备受关注的研究热点,以有机射频识别标签(ORFID)为代表的有机集成电路将成为传统硅基集成电路的有益补充,乃至进一步的替代。本文基于大规模有机集成电路的EDA设计方法,建立了 OTFT可用于SPICE仿真的器件模型,同时实验制备选取性能最优的OTFT器件,作为基础器件,为其构建器件模型,设计了一款有机模数转换器(OADC)电路,并采用HSPICE软件完成了其功能的验证与性能的仿真,给出了最终工艺掩膜版版图。电路仿真结果满足预期的要求,验证了提出OTFT模型的实用性,为大规模有机集成电路的设计,生产及应用奠定了基础。首先,本文为有机集成电路的基础器件——OTFT,建立了可用于SPICE仿真的器件模型。OTFT器件中,载流子传输机制复杂,用物理方法很难对其进行分析,因此模型基于OTFT沟道中的电流电压传输特性,引入了载流子迁移率的经验公式及迁移率幂律参数γa来研究沟道载流子迁移率μFET随栅压Vgs的变化趋势及其载流子传输机制。此外,考虑到OTFT结构及材料的特性,模型中引入了对其沟道电流的影响不可忽略的漏、源接触电阻RS、RD;同时,基于沟道长度调制效应、沟道中陷阱和表面散射所产生的载流子速度饱和以及泄漏电流的影响,引入了沟道长度调制系数λ、弯曲经验参数m、饱和调制参数αsat、泄漏电流参数SIGMA0、场效应迁移率的特征电压Vaa等经验参数,建立完整的OTFT电流电压模型,并对其提出了一种提取模型中经验参数的方法,通过对实验测得的OTFT器件的输出特性曲线和转移特性曲线进行相应的计算和处理,准确地获得模型中的7个经验参数。实验制备了一种基于并五苯(Pentacene)的底栅顶接触(TC)结构的OTFT,并对其进行参数提取,构建其可用于SPICE仿真的器件模型,对其电流电压特性进行模拟,得到的仿真结果与测试结果相比较发现,该OTFT的输出特性和转移特性曲线无论在线性区还是在饱和区,仿真曲线和测试曲线都具有较强的一致性,验证了建立的OTFT器件模型及其参数提取方法的精确性。其次,本文制备了不同物理参数,不同绝缘层材料的OTFT,通过对其性能进行研究,确定可设计的物理参数,并为设计的有机集成电路选取性能优良的基础器件。首先,为了研究OTFT沟道宽长W/L,以及绝缘层厚度tox等物理参数对器件性能的影响,以Si为衬底,SiO_2为绝缘层,Pentacene为有源层,分别制备了不同绝缘层厚度tox的OTFT,和不同沟道宽长W/L的绝缘层,通过对比提取的参数发现,所有OTFT器件均有载流子迁移率幂率参数γaa>0,表现为载流子的有效迁移率随栅压增大而增大,这说明,制作的OTFT表现出与非晶硅和纳米晶硅TFT相类的传输机制,其载流子传输机制中,跳跃机制占据主导地位;此外,对比不同绝缘层厚度的OTFT器件发现,载流子迁移率μFET会随着栅绝缘层厚度的逐渐增加而减小,说明其对绝缘层厚度tox有一定的依赖性,对比其它模型参数发现也存在较大差异,这说明,不同绝缘层厚度的OTFT器件,其模型内的参数值不同,因此,他们在电路设计中不能够应用同一个OTFT器件模型,因此绝缘层厚度tox不能够作为可设计参数。而通过对不同沟道宽长W/L OTFT提取载流子迁移率μFET等参数,并进行对比发现,它们的载流子迁移率μFET以及其他参数均差异很小,说明同种工艺,同种结构的器件,沟道宽长W/L不同,绝缘层厚度相同时,可采用具有相同经验参数的同一个OTFT模型,将沟道宽长W/L作为可设计的参数,进行器件和电路的仿真。此外,实验制备了基于不同栅绝缘层材料的OTFT,并通过提取载流子迁移率等参数对其性能进行比较分析,结果发现,基于PVP栅绝缘层的OTFT器件的性能最优,因而将其选定为设计电路的基础器件。最后,以选取的性能较优的基于PVP绝缘层的OTFT为基础器件,并利用所提取的该器件的经验参数,建立其用于电路设计模拟的SPICE模型,设计了一款4位逐次逼近型(SAR)模数转换电路,采用H-SPICE仿真工具对其性能进行仿真验证,并根据设计的电路完成了相应的掩膜版版图设计。设计的SAR型ADC,在 100Hz 采样频率下,性能如下:DNL=0.55LSB,INL=0.55LSB,SFDR=31.5dB,SNDR=21dB,有效位数3.2位,在60V电源电压下,平均电流298μA,整体电路使用OTFT共409个。设计结果表明所建立的OTFT器件模型及使用的参数提取方法可以有效的应用在有机集成电路设计中,可以为大规模有机集成电路提供较为精确的预测。(本文来源于《北京交通大学》期刊2017-06-01）
杨为,马晓鸥,陈妍娜,许江波,费继宏[2]（2015）在《离子交换法处理集成电路封装有机废水的研究》一文中研究指出采用离子交换法处理集成电路封装去胶产生的有机废水.静态实验研究结果表明,弱酸型阳离子交换树脂OD5对该废水中的有机物具有吸附容量大、再生性能好等特点.废水经10.0g树脂吸附后,COD从760.0mg/L降至272.6mg/L;再经芬顿氧化,废水COD降至55.2mg/L,COD总去除率达到92.7%.吸附动力学研究表明,OD5树脂吸附COD受内扩散控制,吸附速率常数为k=7.6×10-3min-1.(本文来源于《五邑大学学报(自然科学版)》期刊2015年03期）
王宏[3]（2012）在《基于并五苯和酞菁铜的有机效应管及其集成电路研究》一文中研究指出有机电子学由于其低成本、柔性、可大面积制备等优势在有机射频标签、传感器、大面积显示等领域受到广泛关注。有机场效应晶体管(OFETs)是有机半导体领域最重要的基本单元之一,而低操作电压,多功能的OFETs及其集成电路是目前研究的热点,本论文围绕着降低OFETs操作电压,开发功能型OFETs,制备基于OFETs的集成电路几个方面开展了以下的工作：1)、降低OFETs的工作电压：采用超薄无机介质层和单层有机自组装层修饰界面的方法,制备了工作电压低于5V,迁移率达到1.29cm2V-1s-1的OFETs器件。2)、研究了OFETs的光响应特性：对OFETs的光致回滞效应进行了系统的研究,分别对以Si02和OTS/SiO2为介质层,并五苯为有机半导体材料的OFETs光致回滞效应进行了研究,发现可以通过并五苯薄膜颗粒大小,起始扫描栅电压,采用不同的绝缘介质层等来调控OFETs光致回滞窗口。最后,基于跃迁传输理论,建立了OFETs的阈值电压模型,在阈值电压模型的基础上,建立了OFETs光致回滞窗口的模型,发现了影响OFETs光致回滞窗口大小的参数。通过起始扫描栅电压,半导体载流子的能量无序度等可以调控OFETs光致回滞窗口。3)、基于OFETs的非挥发性存储器：对浮栅型OFETs存储器进行了深入研究,提出了一种新的光助编程的方法。我们以并五苯为有源层,以PMMA为隧穿介质层,金纳米晶为浮栅存储层,Si02为阻挡介质层,制备了纳米晶浮栅型OFETs存储器,采用传统的编程方法,存储窗口为18V,存储开关比为102。采用光助编程的方法,存储窗口提高到63V,存储开关比提高到105,最长数据保持时间达到107秒。4)、对有机电路中最重要的基础电路有机整流器和有机门电路进行了研究。首先对有机整流器中的有机二极管界面效应对二极管性能的影响进行了研究,发现采用CuTCNQ修饰Cu电极作为二极管的阳极时器件的整流比可以达到106,整流频率可以达到13.56MHz,基本满足了商业应用的需求。接着对有机二极管和电容组成的有机整流器集成技术进行了研究,通过光刻和镂空掩膜的技术相结合,制备了集成的有机整流器,通过优化器件参数,制备工艺,制备的有机整流器整流频率在空气中达到1MHz。利用光刻技术制备了顶接触的OFETs器件,利用光刻技术制备的OFETs易于集成,而且性能可以与镂空掩膜技术制备的顶接触OFETs相比。分别采用COMS和PMOS的电路结构,利用光刻制备技术和镂空掩膜制备技术,底栅顶接触的OFETs和顶栅底接触的OFETs器件结构,采用多种路线制备了有机门电路：反相器、与非门和或非门。(本文来源于《兰州大学》期刊2012-04-01）
廖燕平,王军[4]（2007）在《有机薄膜晶体管及其集成电路》一文中研究指出首先介绍了有机薄膜晶体管的基本结构、工作原理以及近期的研究进展。其次阐述了有机集成电路的重要组成部分——有机双极型晶体管的构建、工作机制和相关的发展状况。最后就有机集成电路的构建、加工以及未来的发展前景作了相关的阐述。(本文来源于《现代显示》期刊2007年08期）
闻瑞梅,梁骏吾[5]（2003）在《降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型》一文中研究指出本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一致 ,证实了本模型的正确性 .使高纯水中的TOC由 4 2 0 0 μg/l降至 0 .3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平 .(本文来源于《电子学报》期刊2003年11期）
闻瑞梅,陈胜利[6]（2001）在《控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究》一文中研究指出本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水中的溶解氧 .结合用双级反渗透 (RO)及电脱盐 (EDI) [1～ 3 ] 再加上 185nm紫外光照射高纯水 ,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至 0 6 μg/L和 0 7μg/L,并用键能理论解释了 185nm紫外降低TOC的机理(本文来源于《电子学报》期刊2001年08期）
王政[7]（2001）在《用于集成电路封装的有机复合高导热灌封料》一文中研究指出1 概述随着混合集成技术的高速发展和电子产品集成度的不断提高 ,集成电路对封装有机材料的要求也越来越高。目前 ,功率电路模块进一步实现高性能、高可靠性和小型化的主要因素在于集成电路的组装和封装方式。封装材料应具有优良的导热性能、热匹配性能以及电性能 ,才(本文来源于《安徽化工》期刊2001年01期）
王鹏飞,张卫,王季陶,李伟[8]（2000）在《用作超大规模集成电路低k材料的有机薄膜》一文中研究指出详细介绍了几种可用于超大规模集成电路的低介电常数有机薄膜材料 ,比如聚酰亚胺类有机薄膜、聚对二甲苯类有机薄膜和聚烯链类有机薄膜。比较了这几种薄膜之间的特性和制备工艺 ,并就薄膜的结构和制备方法对性能的影响做了进一步的探讨。(本文来源于《微电子技术》期刊2000年01期）
Robert,Haddon,Angelo,Lamola,江世亮[9]（1984）在《有机电子计算机——细菌能建造集成电路块吗?》一文中研究指出在计算机硬件设计中,体积日趋微型化。不再有人认为,迄今携带成千比特信息的集成硅片和用集成电路块精巧组装起来的计算机已经是尽善尽美的了。已有一些计算机专家在设想,有朝一日生物分子本身将起到计算机的作用,这种计算机不是用集成块组装而成,而是用一个个分子构造而就。他们认为,计算机可由成千上万个细菌来建造这一革命性设想的付诸实现将是遗传工程面临的一大任务。(本文来源于《世界科学》期刊1984年04期）
有机集成电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用离子交换法处理集成电路封装去胶产生的有机废水.静态实验研究结果表明,弱酸型阳离子交换树脂OD5对该废水中的有机物具有吸附容量大、再生性能好等特点.废水经10.0g树脂吸附后,COD从760.0mg/L降至272.6mg/L;再经芬顿氧化,废水COD降至55.2mg/L,COD总去除率达到92.7%.吸附动力学研究表明,OD5树脂吸附COD受内扩散控制,吸附速率常数为k=7.6×10-3min-1.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
有机集成电路论文参考文献
[1].尹飞飞.有机薄膜晶体管模型建立及其集成电路设计[D].北京交通大学.2017
[2].杨为,马晓鸥,陈妍娜,许江波,费继宏.离子交换法处理集成电路封装有机废水的研究[J].五邑大学学报(自然科学版).2015
[3].王宏.基于并五苯和酞菁铜的有机效应管及其集成电路研究[D].兰州大学.2012
[4].廖燕平,王军.有机薄膜晶体管及其集成电路[J].现代显示.2007
[5].闻瑞梅,梁骏吾.降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型[J].电子学报.2003
[6].闻瑞梅,陈胜利.控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究[J].电子学报.2001
[7].王政.用于集成电路封装的有机复合高导热灌封料[J].安徽化工.2001
[8].王鹏飞,张卫,王季陶,李伟.用作超大规模集成电路低k材料的有机薄膜[J].微电子技术.2000
[9].Robert,Haddon,Angelo,Lamola,江世亮.有机电子计算机——细菌能建造集成电路块吗?[J].世界科学.1984
标签：有机薄膜晶体管; SPICE模型; 电子设计自动化(EDA); 有机集成电路;