本文主要研究内容
作者苏杭,姜燕,刘平,赵阳,罗德荣,朱伟进（2019）在《7.5 kW电动汽车碳化硅逆变器设计》一文中研究指出：第三代功率半导体碳化硅SiC(silicon carbide)具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点,能显著提高电动汽车驱动系统的效率、功率密度和可靠性。首先,设计了两电平三相逆变器主电路和带有保护功能的隔离型驱动电路,使用LTSpice仿真分析了门极电阻对驱动性能的影响;其次,建立了逆变器的功率损耗与热阻模型,使用Icepak对散热器进行了散热分析;再次,讨论了PCB板寄生参数对主电路和驱动电路的影响,并提出了减少寄生参数的措施;最后,采用CREE公司的1 200 V/40 mΩSiC MOSFET制作了1台7.5 kW的实验样机,并给出了测试结果。
Abstract
di san dai gong lv ban dao ti tan hua gui SiC(silicon carbide)ju you gao nai ya deng ji 、kai guan su du kuai yi ji nai gao wen de te dian ,neng xian zhe di gao dian dong qi che qu dong ji tong de xiao lv 、gong lv mi du he ke kao xing 。shou xian ,she ji le liang dian ping san xiang ni bian qi zhu dian lu he dai you bao hu gong neng de ge li xing qu dong dian lu ,shi yong LTSpicefang zhen fen xi le men ji dian zu dui qu dong xing neng de ying xiang ;ji ci ,jian li le ni bian qi de gong lv sun hao yu re zu mo xing ,shi yong Icepakdui san re qi jin hang le san re fen xi ;zai ci ,tao lun le PCBban ji sheng can shu dui zhu dian lu he qu dong dian lu de ying xiang ,bing di chu le jian shao ji sheng can shu de cuo shi ;zui hou ,cai yong CREEgong si de 1 200 V/40 mΩSiC MOSFETzhi zuo le 1tai 7.5 kWde shi yan yang ji ,bing gei chu le ce shi jie guo 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电源学报的苏杭,姜燕,刘平,赵阳,罗德荣,朱伟进，发表于刊物电源学报2019年03期论文，是一篇关于碳化硅论文,逆变器论文,散热器论文,电动汽车论文,电源学报2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电源学报2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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