导读:本文包含了微波噪声论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:宽带放大器,噪声系数,增益平坦度,驻波
微波噪声论文文献综述
郭志刚,田舒婷,范志鹏[1]（2019）在《超宽带低噪声微波放大器设计方法浅谈》一文中研究指出所述放大器采用Hittite公司的QFN封装单片低噪声放大芯片和罗杰斯的RO5880板材;并利用全新的导电胶粘接工艺,结构上采用分腔的方法,输入输出射频端口的连接器采用玻璃绝缘子实现了2～18 GHz超宽带射频信号放大,带内增益大于25 dB,增益平坦度小于3. 0 d B,噪声系数小于4. 0 dB。(本文来源于《2019航空装备服务保障与维修技术论坛暨中国航空工业技术装备工程协会年会论文集》期刊2019-12-05）
贺文华,肖湘辉,洪俊[2]（2019）在《直调微波光链路噪声系数的建模与仿真》一文中研究指出本文基于直调型微波光链路,对其噪声系数进行了建模与仿真,分析了激光器相对强度噪声、转换效率以及光纤损耗对噪声系数的影响,结果表明,激光器的相对强度噪声越小、转换效率越高直调微波光链路的噪声系数越低;光纤损耗越小对应的噪声系数越低。所涉方法、模型与仿真数值对应工程应用具有较好的借鉴作用。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2019年18期）
马翠红,靳伟超,陈宇擎,杨友良[3]（2019）在《基于ADS宽带微波低噪声放大器设计与仿真》一文中研究指出文章主要研究低噪声放大器在宽频带范围内增益平坦度低、阻抗匹配差的问题。选用Avago公司生产的具有高动态范围和低噪声特性的PHEMT器件ATF-38143晶体管,采用自给偏置共源,负反馈结构,基于ADS仿真设计完成一款两级级联的宽带低噪声放大器。该放大器利用源极串联反馈电感和输入端接双支节微带线的匹配方法。仿真结果显示放大器在1.0～3.0 GHz的频带范围内,输入输出回波损耗均小于-10 dB;系统稳定性因子K> 1;噪声系数为(1.6±0.4)dB;最大增益为26.5 dB,增益平坦度缩小到±0.5 dB。(本文来源于《现代电子技术》期刊2019年15期）
王晓阳[4]（2019）在《微波宽带低噪声放大器的研究与设计》一文中研究指出近年来,无线通信广泛应用于航天、军事、移动通讯以及物联网等各个领域,随着5G时代的到来其应用领域将进一步拓展延伸,整个行业向着更高的频段、更高的传输率、更广的覆盖范围、更强的兼容性的目标发展。这些都对无线通信设备提出了更高的要求,其中的一个关键点就是拓展设备的带宽。提高带宽可以满足设备对不同通信标准的兼容性,满足不同应用场景的需求,在设备成本,功耗和体积等方面拥有巨大的优势。作为接收前端关键模块之一,低噪声放大器决定着接收前端的整体性能。微波宽带低噪声放大器已经成为如今学术和工业界研究的热点,具有广泛的应用前景和巨大的市场价值。本文主要围绕宽带低噪声放大器这一课题,主要阐述了以下内容:首先,我们对近几年微波宽带低噪声放大器相关的国内外文献进行了调研和总结,然后对低噪声放大器的基本理论和关键指标进行了简要说明,同时对噪声的来源和分类进行了介绍和总结。接着对低噪声放大器的宽带技术进行了深入地研究与总结。最后设计了叁款低噪声放大器并对其设计过程进行了详细分析说明。围绕Sub-GHz频段的应用,本文基于GaAs pHEMT工艺设计了两款宽带低噪声放大器。第一款低噪声放大器主要利用Cascode结构实现高增益和高隔离度,利用RC负反馈实现宽带的输入输出匹配。测试结果表明,在20 MHz-1 GHz的频带内,放大器增益为19±0.25 dB,输入输出回波损耗小于-15 dB,输出P-1dB大于23 dBm,噪声系数小于1 dB(仿真结果)。第二款低噪声放大器同样利用RC负反馈结构实现宽带特性,利用增强型晶体管和耗尽型晶体管构成的达林顿结构进一步拓展带宽同时实现电路自偏置。测试结果表明在工作频带内放大器可以实现16 dB增益和22dBm的输出P-1dB,输入输出回波损耗小于-10 dB,噪声系数为1 dB(仿真结果)。围绕毫米波段的应用,本文基于GaAs pHEMT工艺设计了一款18-40 GHz的宽带低噪声放大器。该电路在四级共源级联结构的基础上结合多节滤波器匹配结构和串并联电感峰值技术在宽带范围内实现较高的增益和输出P-1dB。测试结果显示,电路在18-40 GHz的频带内增益大于20 dB,输出P-1dB达到22 dBm,输入输出回波损耗小于-10 dB。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-05）
廖盛嘉[5]（2019）在《基于硅基工艺的微波低噪声放大器芯片设计》一文中研究指出近年来,无线技术凭借着自身易部署、建设成本低廉、适应环境强等诸多优势,已逐渐被广泛应用在各个行业领域。微波电路作为无线技术重要的硬件载体,主要负责信号的发送与接收。低噪声放大器是射频接收链路中的前置放大模块,在放大微弱信号的同时并尽可能减小自身噪声对信号的影响,其性能的好坏将直接决定整个接收机的灵敏度。相比其他工艺,硅基集成电路有着低功耗、低成本、高集成的优势。近几十年以来,硅基衬底工艺得到了巨大发展,其噪声系数和截止频率等性能都取得了重大突破,已经可以满足一定微波应用领域的要求,所以设计基于硅基工艺的微波低噪声放大器芯片具有重要意义。文章在开始部分,针对硅基工艺的微波低噪声放大器的研究背景以及国内外发展现状进行了调研,然后对低噪声放大器的基本理论和常用结构进行了详细的介绍与分析,之后对低噪声放大器设计的流程问题,包括电路结构的确定、晶体管尺寸大小和偏压的选择以及版图设计问题都提供了一定的理论指导。本文设计的第一款低噪声放大器芯片是基于SiGe BiCMOS 130 nm工艺。该放大器总共由四级共射结构组成,主要目的是提高放大器的增益和拓展频带带宽。鉴于叁极管温度稳定性较差,因此设计了温度补偿偏置电路,该温度补偿电路对放大器温度稳定性有较明显的改善作用。另外为了节约面积和提高设计的灵活性,电路中使用的巴伦、电感和电容全部为自主设计。后仿结果表明,在工作频率33GHz-37GHz内,增益S_(21)大于28.6dB,噪声系数小于3.25dB,输入输出回波损耗小于-13dB,后仿结果相比预期指标要求,留有较多的余量,已成功投片。其次,本文还设计了一种基于CMOS 110 nm工艺的低噪声放大器芯片。在该设计中,采用两个串联巴伦构成片上环形器,避免了由于外接环形器而导致的面积和成本问题。放大器的两级结构均采用新型结构,第一级为基于交叉耦合电容Gm-boost共栅结构,第二级为加中和电容的共源结构。相比传统结构,新型结构在增益、噪声系数和稳定性等参数方面都有较大的改善。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
贾晓菲,何亮[6]（2019）在《微波集成电路的低频噪声测试方法》一文中研究指出噪声检测是小型化微波集成电路可靠性诊断的一种无损检测手段,针对GaAs PHEMT单片微波集成电路(MMIC)功率放大器的可靠性问题,进行了噪声测试实验,研究了其低频噪声的测试方法。分析了合格与失效电路的噪声功率谱密度和时间序列,并提取GaAs PHEMT MMIC功率放大器1/f噪声的幅度值、噪声指数和转折频率。测试结果表明,MMIC功率放大器的噪声主要为1/f噪声和热噪声。从噪声功率谱密度来看,失效电路的噪声比合格电路的噪声大;从时间序列来看,失效与合格电路的噪声谱幅值不同,失效电路的噪声谱幅值变化无规律且为爆裂噪声,合格电路的噪声谱幅值变化有规律且主要是1/f噪声;从噪声参量提取来看,1/f噪声的幅度值、噪声指数和转折频率均可作为噪声的表征参量。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年02期）
葛茂川[7]（2018）在《探讨2.4GHz微波低噪声放大器设计与应用》一文中研究指出随着现代无线通信、卫星、雷达电子系统的发展,低噪声放大器应用于电子接收系统的前端,用于提高系统灵敏度、放大信号、抑制噪声干扰的作用。本文主要设计基于ADS 2008、Microwave office 2002仿真软件的低噪声放大器,将其应用于在蓝牙频段进行无线通信,并达到预期的应用效果。(本文来源于《计算机产品与流通》期刊2018年12期）
董帅,王振占,李彬,陆浩,贺秋瑞[8]（2018）在《C波段有源微波冷噪声源设计及其性能分析》一文中研究指出本文在介绍国内外有源微波冷噪声源技术发展的基础上,分析了有源微波冷噪声源的工作原理和关键技术.提出了一种有源微波冷噪声源设计方法,重点分析了设计过程中的关键环节对噪声源性能产生的影响.采用p HEMT型场效应管研制了C波段有源微波冷噪声源器件,并对该器件的性能进行了测试和分析.(本文来源于《电子学报》期刊2018年11期）
张野,张升伟,何杰颖[9]（2018）在《微波辐射计定标注入噪声特性分析与校正》一文中研究指出与星载微波辐射计不同,地基微波辐射计由于没有宇宙冷空背景作为低温定标参考,通常在系统中利用内置黑体和噪声源耦合注入进行实时定标。但是,作为定标基准信号,接收机注入噪声的偏差直接影响辐射计的定标精度。本文着重介绍了一种K波段地基微波辐射计的系统结构和噪声注入非线性定标方法,并以网络散射参量为基础建立了辐射计噪声注入信号的传输模型,在对注入噪声进行理论分析的基础上使用线性补偿方法修正接收机的注入噪声值。实验结果表明,该方法能够校正接收机的注入噪声,使其偏差小于1K。(本文来源于《电子设计工程》期刊2018年05期）
朱熔琦[10]（2017）在《超宽带微波低噪声放大器研究》一文中研究指出现代的通讯系统随着信息量的爆炸增长,对于带宽,信息容量的要求与日俱增。超宽带(UWB)无线通讯技术的出现能够很好地解决上诉问题。而低噪声放大器电路作为超宽带接收机的前级电路,其性能关系着整体的带宽,噪声系数,灵敏度,线性度等关键性指标。因此,设计在多倍频程内具有平坦增益的低噪声放大器是实现超宽带通讯系统的核心技术之一,具有重要的研究价值和广阔的发展前景。与此同时,单片微波集成电路技术发展迅速,由于其具有小体积、良好的一致性、高稳定性,批量成本低等特点,被广泛应用于最新低噪声放大器电路的研制中。对比了四种不同的宽带拓扑结构,结合设计带宽要求,采用行波分布式结构理论,对超宽带匹配问题进行了研究,其核心思想是将晶体管的输入输出电容与级间电感结合构成了栅极与漏极等效人工传输线,设计的人工传输线的等效特性阻抗等于端口阻抗,实现了超宽带多倍频程匹配。采用窄微带线(带状电感器)实现所需电感,螺旋电感器寄生电容太大而不适用。基于分布式原理,可知栅极,漏极线存在一定的损耗且随频率改变,结合晶体管的等效电路模型,MMIC工艺设计参数及分布式放大器原理,导出电路最优节数optN的计算公式。传统分布式放大器增益较低,所以采用共源共栅结构代替共源结构,可以得到较低的栅-漏反馈电容和较高的输出并联电阻,使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度。而这仅仅增加了少量的版图面积。针对栅源电容远大于漏源电容导致栅极线与漏极线相速不均衡的问题,在漏极传输线上串联一个m衍生节,可以有效得均衡相速,确保信号在漏极同相迭加输出。基于法国OMMIC 0.15?m GaAs pHEMT工艺加工制作了5级分布式放大器单片电路。测试的时候需要用到容值较大的离片电容元件作为去耦和低频段扩展使用,将外置元件与芯片封装成模块。结果表明,芯片在0.5-18GHz增益大于10dB,不平坦度小于±1d B。输入回波损耗小于-10dB,输出回波损耗小于-12dB,带内噪声系数平均3.5dB。芯片面积为1.8mm×1.2mm。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-03-31）
微波噪声论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文基于直调型微波光链路,对其噪声系数进行了建模与仿真,分析了激光器相对强度噪声、转换效率以及光纤损耗对噪声系数的影响,结果表明,激光器的相对强度噪声越小、转换效率越高直调微波光链路的噪声系数越低;光纤损耗越小对应的噪声系数越低。所涉方法、模型与仿真数值对应工程应用具有较好的借鉴作用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
微波噪声论文参考文献
[1].郭志刚,田舒婷,范志鹏.超宽带低噪声微波放大器设计方法浅谈[C].2019航空装备服务保障与维修技术论坛暨中国航空工业技术装备工程协会年会论文集.2019
[2].贺文华,肖湘辉,洪俊.直调微波光链路噪声系数的建模与仿真[J].电子技术与软件工程.2019
[3].马翠红,靳伟超,陈宇擎,杨友良.基于ADS宽带微波低噪声放大器设计与仿真[J].现代电子技术.2019
[4].王晓阳.微波宽带低噪声放大器的研究与设计[D].电子科技大学.2019
[5].廖盛嘉.基于硅基工艺的微波低噪声放大器芯片设计[D].电子科技大学.2019
[6].贾晓菲,何亮.微波集成电路的低频噪声测试方法[J].半导体技术.2019
[7].葛茂川.探讨2.4GHz微波低噪声放大器设计与应用[J].计算机产品与流通.2018
[8].董帅,王振占,李彬,陆浩,贺秋瑞.C波段有源微波冷噪声源设计及其性能分析[J].电子学报.2018
[9].张野,张升伟,何杰颖.微波辐射计定标注入噪声特性分析与校正[J].电子设计工程.2018
[10].朱熔琦.超宽带微波低噪声放大器研究[D].电子科技大学.2017