导读:本文包含了电阻场板论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:槽栅,槽漏,低导通电阻,击穿电压
电阻场板论文文献综述
石艳梅,刘继芝,姚素英,丁燕红[1]（2014）在《具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件新结构》一文中研究指出为降低绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的导通电阻,同时提高器件击穿电压,提出了一种具有纵向漏极场板的低导通电阻槽栅槽漏SOI-LDMOS器件新结构.该结构特征为采用了槽栅槽漏结构,在纵向上扩展了电流传导区域,在横向上缩短了电流传导路径,降低了器件导通电阻;漏端采用了纵向漏极场板,该场板对漏端下方的电场进行了调制,从而减弱了漏极末端的高电场,提高了器件的击穿电压.利用二维数值仿真软件MEDICI对新结构与具有相同器件尺寸的传统SOI结构、槽栅SOI结构、槽栅槽漏SOI结构进行了比较.结果表明:在保证各自最高优值的条件下,与这叁种结构相比,新结构的比导通电阻分别降低了53%,23%和提高了87%,击穿电压则分别提高了4%、降低了9%、提高了45%.比较四种结构的优值,具有纵向漏极场板的槽栅槽漏SOI结构优值最高,这表明在四种结构中新结构保持了较低导通电阻,同时又具有较高的击穿电压.(本文来源于《物理学报》期刊2014年10期）
李琦,李肇基[2]（2008）在《电阻场板LDMOS表面电场解析模型及优化设计》一文中研究指出提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优化高压器件的有效方法。解析结果与用MEDICI模拟的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性,该模型可用于体硅RFPLDMOS的设计优化。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2008年02期）
杨洪强,郭丽娜,郭超,韩磊,陈星弼[3]（2003）在《具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析》一文中研究指出介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI LDMOS的精确解析设计方法 .在对电场分析的基础上 ,提出了新的电离率模型 ,并求出了电离率积分的准确路径 ,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系 .模拟结果表明 ,解析与模拟结果具有很好的一致性 ,而且设计的器件具有击穿电压大、比导通电阻极小的优点 .该解析理论为在薄膜SOI材料上制作性能优良的高压功率器件提供了一个很好的参考(本文来源于《半导体学报》期刊2003年09期）
杨洪强,韩磊,陈星弼[4]（2002）在《利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能(英文)》一文中研究指出通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断过程中 ,p MOSFET将被开启 ,作为阳极短路结构起作用 ,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失 ,IGBT快速关断 .而且由于电场受到电阻场板的影响 ,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区 ,几乎消去了普通SOI LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段 .这两个因素使得新结构的关断时间大大减少 .在IGBT的开启状态 ,由于p MOSFET不导通 ,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致 .模拟结果表明 ,新结构至少能增加 2 5 %的耐压 ,减少 6 5 %的关断时间 .(本文来源于《半导体学报》期刊2002年10期）
尹贤文,何林,黄平[5]（1992）在《金属场板加SIPOS电阻场板的新型终端技术》一文中研究指出本文介绍了一种金属场板结合SIPOS电阻场板的新型终端结构,该终端能实现平面结理想击穿值的80％以上。对这种终端结构的设计,采用了一种简单方法。根据实验结果,对金属场板和SIPOS电阻场板的互补功能进行了详细的分析。(本文来源于《微电子学》期刊1992年06期）
电阻场板论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优化高压器件的有效方法。解析结果与用MEDICI模拟的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性,该模型可用于体硅RFPLDMOS的设计优化。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电阻场板论文参考文献
[1].石艳梅,刘继芝,姚素英,丁燕红.具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件新结构[J].物理学报.2014
[2].李琦,李肇基.电阻场板LDMOS表面电场解析模型及优化设计[J].固体电子学研究与进展.2008
[3].杨洪强,郭丽娜,郭超,韩磊,陈星弼.具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析[J].半导体学报.2003
[4].杨洪强,韩磊,陈星弼.利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能(英文)[J].半导体学报.2002
[5].尹贤文,何林,黄平.金属场板加SIPOS电阻场板的新型终端技术[J].微电子学.1992