导读:本文包含了低介电常数材料论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:叁氟甲基,低介电常数,疏水性,热稳定性
低介电常数材料论文文献综述
张玉荣[1]（2019）在《含叁氟甲基低介电常数高分子材料的制备及性能研究》一文中研究指出本论文通过在聚合物分子结构中引入叁氟甲基基团,研究低介电常数材料结构与性能之间的关系。我们通过两步法合成含叁氟甲基苯基侧基的环氧树脂,并使用芳香胺固化剂二氨基二苯甲烷(DDM)和4,4’-二氨基二苯砜(DDS)固化环氧树脂,研究环氧树脂和固化剂结构对环氧树脂性能的影响。为了得到高性能低介电常数材料,我们使用含萘双氟单体和不同的双酚单体通过缩聚反应制备一系列含萘聚芳醚酮低介电常数材料PNAEK,并表征其性能。我们通过去甲基反应,制备含酚羟基和叁氟甲基的聚芳醚酮HPNAEK,作为大分子固化剂,改善环氧树脂韧性,并通过静电纺丝技术制备超低介电常数纤维膜材料,HPNAEK能显着改善环氧树脂的热稳定性、介电性能和疏水性。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
张航[2]（2019）在《MMT-GO气凝胶/环氧树脂低介电常数复合材料性能研究》一文中研究指出随着电子产品日益向小型化、多功能化方向发展,高性能印刷电路板和大规模集成电路微电子领域急需具有低介电常数和低介电损耗且力学及热性能优异的环氧树脂(Epoxy resin,EP)。无机纳米填料中,蒙脱土(Montmorillonite,MMT)由于高的宽径比,能有效提高EP的力学性能,而氧化石墨烯(Graphene oxide,GO)对EP的绝缘和热稳定性影响显着。近年来,叁维网状结构的GO气凝胶由于具有大的比表面积且分散效果好成为了关注热点。本文将MMT和GO气凝胶复合并引入环氧树脂中,制备具有低介电常数且综合性能优异的复合材料。本文以改进的Hummers法制备了GO,并通过冷冻干燥工艺获得了GO气凝胶。为了提高填料在EP中的分散效果及与基体界面结合强度,采用γ-缩水甘油醚氧丙基叁甲氧基硅烷(KH560)对MMT、GO和GO气凝胶进行改性,分别获得改性后的OMMT、FGO和FGOA。通过原位聚合法制备了FGO-OMMT/EP和FGOA-OMMT/EP复合材料。对比分析了相同含量(0.1 wt%)的FGO和FGOA对3 wt%OMMT/EP复合材料性能的影响,以及FGOA的含量对3 wt%OMMT/EP复合材料性能的影响。结果表明:本文制备的FGOA具有叁维网状结构,孔径为100 um左右。FGOA与OMMT复合过程中发生键合,复合粉体分散效果较好。仅添加0.1 wt%的FGOA或FGO,不仅能够明显降低3 wt%OMMT/EP复合材料介电常数和介电损耗,还能改善其力学和热学性能,且与FGO相比,添加FGOA降低材料介电常数和介电损耗以及提高力学和热学性能方面效果显着;当OMMT填充量为3 wt%时,随FGOA含量的增加,FGOA-3 wt%OMMT/EP复合材料介电常数先降低后上升,而力学和热学性能逐步提高。具体来说,当频率为10~6 Hz,0.1wt%FGOA-3 wt%OMMT/EP复合材料介电常数为3.23,与纯EP(3.64)相比降低了11.26%。0.4 wt%FGOA-3 wt%OMMT/EP复合材料弯曲强度和冲击强度均达到最大值132.04 MPa和15.89 kJ/m~2,与纯EP相比分别提高了58.2%和217.8%,同时在40°C左右,复合材料储能模量达到2508 MPa,比纯EP提高了42%。所有复合材料的热稳定性和导热系数与纯EP相比略有提高。这些性能的变化与FGOA-OMMT与EP基体形成的相互作用的界面结构密切相关。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2019-03-01）
陈康,郑勇,董作为,徐静,高璐[3]（2017）在《固有烧结温度低的低介电常数陶瓷材料研究进展》一文中研究指出固有烧结温度低的低介电常数微波介质陶瓷材料在低温共烧陶瓷(LTCC)中具有重要的应用前景。着重介绍了钨酸盐、磷酸盐、碲酸盐、钼酸盐、钒酸盐、铌酸盐和硼酸盐等固有烧结温度低的低介电常数微波介质陶瓷材料的研究进展,并指出低温共烧陶瓷材料目前存在的问题。(本文来源于《材料导报》期刊2017年S2期）
张帅,李晓丹,冉起超,顾宜[4]（2017）在《低介电常数纳米多孔复合材料的制备与性能》一文中研究指出随着超大规模集成电路的快速发展,市场急需具有超低介电常数(k<2.0)、高力学强度及高玻璃化转变温度、热稳定性好的介电材料。本文通过合成具有笼型中空结构的八苯并恶嗪基倍半硅氧烷(BZPOSS),并将其与双酚A型氰酸酯(BADCy)共混共聚制得纳米多孔复合材料。DSC测试结果表明BZPOSS对BADCy聚合有很好的催化效果,仅添加5wt%BZPOSS,共混体系聚合反应温度相比于纯的BADCy便有大幅度降低,在200 oC以内便能反应完全。并且聚合得到的复合材料Tg达到287 oC,高于纯的BADCy在250 oC聚合得到的材料的Tg。SEM照片及EDS硅元素分布图表明BZPOSS均匀分散在复合材料中。介电测试表明,BZPOSS的引入可以明显地降低复合材料的介电常数及介电损耗。当BZPOSS添加量为15 wt%时,介电常数及介电损耗分别为2.01及0.0070。(本文来源于《第叁届中国国际复合材料科技大会论文集》期刊2017-10-21）
张帅,李晓丹,冉起超,顾宜[5]（2017）在《低介电常数纳米多孔复合材料的制备与性能》一文中研究指出随着超大规模集成电路的快速发展,市场急需具有超低介电常数(k<2.0)、高力学强度及高玻璃化转变温度、热稳定性好的介电材料。本文通过合成具有笼型中空结构的八苯并恶嗪基倍半硅氧烷(BZPOSS),并将其与双酚A型氰酸酯(BADCy)共混共聚制得纳米多孔复合材料。DSC测试结果表明BZPOSS对BADCy聚合有很好的催化效果,仅添加5 wt%BZPOSS,共混体系聚合反应温度相比于纯的BADCy便有大幅度降低,在200 o C以内便能反应完全。并且聚合得到的复合材料Tg达到287 o C,高于纯的BADCy在250 o C聚合得到的材料的Tg。SEM照片及EDS硅元素分布图表明BZPOSS均匀分散在复合材料中。介电测试表明,BZPOSS的引入可以明显地降低复合材料的介电常数及介电损耗。当BZPOSS添加量为15 wt%时,介电常数及介电损耗分别为2.01及0.0070。(本文来源于《第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场6-10》期刊2017-10-21）
张哲,华嘉松,王晓敏,黄宸,庄启昕[6]（2017）在《超低介电常数纳米空心SiO_2/POSS/含氟聚2,5-苯并恶唑复合材料的制备》一文中研究指出通过原位聚合,将氨基化改性空心二氧化硅和笼形低聚倍半硅氧烷(POSS)引入到含氟聚2,5-苯并恶唑(6FPBO)基体中,制备得到一种低介电常数的纳米空心SiO_2/POSS/6FPBO复合材料。以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源前驱体,通过模板法制备出单分散的纳米空心SiO_2。由于空心SiO_2和POSS均匀分散在聚合物基体中,在基体中引入空气的同时,与其形成强烈的共价键,使得复合材料获得了超低介电常数(ε)。当POSS的含量达到3 wt%时,空心SiO_2的含量达到10wt%时复合材料在1 kHz下的介电常数达到1.76,与此同时复合材料还具有超低的介电损耗(0.01)。(本文来源于《第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场11-15》期刊2017-10-21）
陆亚宁[7]（2017）在《低介电常数POSS/聚芳醚酮复合材料的制备及其性能研究》一文中研究指出电子科技飞速发展,不断推动着相关领域科技的进步。电子封装材料作为电子元器件的重要组成部分,对电子产品的性能有着重要的影响。电子封装材料能够有效保护电子元器件免于外界环境的干扰,保证信号的有效传输及功能稳定,新一代电子产品的问世往往代表着电子元器件更高效的功能化和更高的使用频率,在这种趋势下,传统的封装材料已经不能够满足超大规模集成电路的严苛要求,因此研究设计综合性能优异的聚合物封装材料以替代传统封装材料成为当下的研究热点之一。聚芳醚酮(PAEK)是具有芳香族结构的一类特种工程材料,具有较低的介电常数、优异的热性能和良好的机械性能,特定功能化的聚芳醚酮类材料在诸多高端技术领域已展现出巨大的潜在应用价值,通过聚合物分子设计,在保持聚芳醚酮材料优异的热性能和机械性能的前提下降低其介电常数,是研究设计微电子领域封装材料的一种有效途径。笼型倍半硅氧烷(POSS)作为一种具有空心结构的功能性纳米粒子具有很强的可设计性和特定功能性,在光电材料、智能响应材料等领域具有广泛的应用,由于其空心纳米结构,将其引入聚合物材料中降低材料的介电常数也引起了许多科研工作者的兴趣。将POSS引入聚合物材料中的方式有很多,其中以共价键的方法将其引入聚合物中能够保证其在材料中达到良好的分散,并且可以有效提高其与聚合物材料间的相容性,因此本论文以两种不同的分散形式制备了POSS/聚芳醚酮纳米复合材料,研究了POSS的引入对复合材料介电性能、热性能和机械性能的影响。首先,以共价键的方法利用POSS所带有的氨基与设计合成的含有苯羧基官能团的聚芳醚酮通过形成酰胺键,将POSS接枝于聚芳醚酮侧链上,设计制备了侧链含有POSS的聚芳醚酮复合材料并对基体聚合物和复合材料进行了结构表征与性能测试,讨论了POSS在复合材料中的分散状态及其对复合材料介电性能、热性能和机械性能的影响。结果表明,以共价键的方法将POSS引入聚芳醚酮中,使其在复合材料中表现出良好的分散性,没有明显的团聚现象发生。POSS的引入有效地降低了基体聚合物的介电常数,随着POSS在复合材料中含量的提高,复合材料的介电常数逐渐下降,当POSS的摩尔含量为10%时,复合材料的介电常数降至1.63,与此同时复合材料仍然保持良好的热性能和优异的机械性能。在上述研究、本组之前研究以及诸多文献报导中发现,如果复合材料中只存在基体聚合物和纳米粒子两者,无论以侧链接枝、封端、超支化等诸多方法将其以共价键或其他方式引入,纳米粒子在复合材料中大多会形成10 nm左右的纳米团簇,不能以单分散的形式存在,而单个的POSS纳米粒子尺寸大多为1~2 nm左右,这样纳米粒子在复合材料中的功能效率会大大降低。因此本论文先将POSS纳米粒子以共价键的形式接枝于氧化石墨上,以氧化石墨为载体,将带有高度分散的POSS纳米粒子的复合物通过溶液共混的方式引入基体聚合物中,有效地提高了POSS在复合材料中的分散程度,大幅度提高了纳米粒子的功能效率,对其介电性能进行测试发现,随着POSS-氧化石墨复合物在复合材料中质量分数的增加,复合材料的介电常数逐渐降低,当复合物的质量分数达到3.0 wt%时,复合材料的介电常数降至2.01,对比研究发现纳米粒子的功能效率得到了大幅度的提升,在有效降低复合材料介电常数的同时,显着降低了纳米粒子在复合材料中的质量分数,同时复合材料的杨氏模量有了大幅度的提高。本论文研究工作基于POSS和聚芳醚酮展开,通过不同的方式将POSS引入聚合物中制备了两种低介电常数聚芳醚酮复合材料,对比了POSS纳米粒子不同的引入方式对材料的介电性能影响,期望本论文的研究成果能够为低介电常数材料或纳米复合材料的设计和制备提供一些启发。(本文来源于《吉林大学》期刊2017-05-01）
宦杰[8]（2016）在《低介电常数超材料在磁光隔离器中的应用》一文中研究指出光子晶体的概念是在二十世纪八十年代末的时候提出的,发展到现在已经成为了现代科学的重要研究领域。光子晶体是一种由金属材料或介质周期或准周期排列而成的人工材料。它具有光子局域以及光子禁带等特性,因此一维光子晶体中加入磁光介质层所形成的一维单缺陷磁光光子晶体在外加磁场作用下能在磁光介质层处增强磁光效应。一维磁光子晶体在实现大的旋转角的同时还可以具有比较高的能量传输率。将低介电常数超材料应用到一维磁光光子晶体中,不仅能够增大旋转角度,还能增强能量的传输率,为磁光隔离器的集成化提供一种思路,同时也为低介电常数超材料提供了一种新的可能应用。目前的一维磁光光子晶体结构,存在着一些普遍的问题:第一,光谱响应范围比较小,一般只能在中心波长以及很小的波动范围内实现较好的光隔离,如果用于宽带通信时,器件往往不能很好的满足要求;第二,带宽范围内频谱响应曲线欠平坦,对磁光隔离器的性能存在影响;第叁,结构的膜层总层数较多,不易于实际的制备。针对上述所产生的问题,本文结合低介电常数超材料来设计一维磁光光子晶体结构,并利用传输矩阵法对所设计的结构进行性能分析。本文的研究内容和结果可概括为:1.基于传输矩阵方法,探讨一维单缺陷磁光光子晶体的克尔磁光效应,结果表明,采用低介电常数超材料制备层间阻抗差异较大的一维单缺陷磁光光子晶体,既易于在磁光介质层形成较强的局域场,获得接近45度的克尔旋转角,又可增强光的反射,获得较高的能量反射率。研究结果有助于制备层数少、结构简单而又具有良好工作性能的光隔离器,也为低介电常数超材料提供了一种新的可能应用。2.基于传输矩阵方法,探讨一维多缺陷磁光光子晶体的法拉第磁光效应,结果表明,利用低介电常数超材料,结合一维多缺陷光子晶体结构,可增强法拉第磁光效应,实现宽带光隔离,并且使法拉第旋转角在中心波长处能接近45度以及较高的能量透射率。研究结果有助于制备结构简单而频谱响应又平坦的磁光隔离器,为设计法拉第磁光隔离器提供一种选择。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2016-11-18）
杨大令,韩晓倩,王立久[9]（2016）在《低介电常数聚酰亚胺基多孔复合材料的研究进展》一文中研究指出随着微电子工业的迅速发展,对层间绝缘材料提出了更高的要求。聚酰亚胺因其良好的热稳定性和较低的介电常数被广泛应用于大规模集成电路的层间绝缘材料。本文主要对低介电常数聚酰亚胺基复合材料的制备方法进行了综述,着重介绍了笼型倍半硅氧烷(POSS)、多孔SiO_2、蒙脱石、多金属氧酸盐(POMs)、石墨烯衍生物的引入在降低聚酰亚胺介电常数方面的应用,并对低介电常数聚酰亚胺的发展前景进行了展望。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2016年05期）
王彬,李悦生[10]（2016）在《基于聚环碳硅烷的无孔低介电常数材料》一文中研究指出利用吡啶胺铪/有机硼烷催化乙烯基烯丙基二甲基硅烷(DMSHD)与1,5-己二烯(1,5-HD)环化共聚,调节共聚单体配比,可得到主链中含有不同含量环硅烷的共聚物。引入C-Si键提高了环烯烃聚合物的热性质、表面性质、力学性能及介电性能。共聚物的介电常数低于2.5,且随着C-Si键含量增加而降低,其中聚环碳硅烷Poly(DMSHD)的介电常数为1.85。研究表明,聚环碳硅烷薄膜中不含有纳米微孔,极低的介电常数取决于其独特的链结构。(本文来源于《中国化学会第30届学术年会摘要集-第十一分会：应用化学》期刊2016-07-01）
低介电常数材料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着电子产品日益向小型化、多功能化方向发展,高性能印刷电路板和大规模集成电路微电子领域急需具有低介电常数和低介电损耗且力学及热性能优异的环氧树脂(Epoxy resin,EP)。无机纳米填料中,蒙脱土(Montmorillonite,MMT)由于高的宽径比,能有效提高EP的力学性能,而氧化石墨烯(Graphene oxide,GO)对EP的绝缘和热稳定性影响显着。近年来,叁维网状结构的GO气凝胶由于具有大的比表面积且分散效果好成为了关注热点。本文将MMT和GO气凝胶复合并引入环氧树脂中,制备具有低介电常数且综合性能优异的复合材料。本文以改进的Hummers法制备了GO,并通过冷冻干燥工艺获得了GO气凝胶。为了提高填料在EP中的分散效果及与基体界面结合强度,采用γ-缩水甘油醚氧丙基叁甲氧基硅烷(KH560)对MMT、GO和GO气凝胶进行改性,分别获得改性后的OMMT、FGO和FGOA。通过原位聚合法制备了FGO-OMMT/EP和FGOA-OMMT/EP复合材料。对比分析了相同含量(0.1 wt%)的FGO和FGOA对3 wt%OMMT/EP复合材料性能的影响,以及FGOA的含量对3 wt%OMMT/EP复合材料性能的影响。结果表明:本文制备的FGOA具有叁维网状结构,孔径为100 um左右。FGOA与OMMT复合过程中发生键合,复合粉体分散效果较好。仅添加0.1 wt%的FGOA或FGO,不仅能够明显降低3 wt%OMMT/EP复合材料介电常数和介电损耗,还能改善其力学和热学性能,且与FGO相比,添加FGOA降低材料介电常数和介电损耗以及提高力学和热学性能方面效果显着;当OMMT填充量为3 wt%时,随FGOA含量的增加,FGOA-3 wt%OMMT/EP复合材料介电常数先降低后上升,而力学和热学性能逐步提高。具体来说,当频率为10~6 Hz,0.1wt%FGOA-3 wt%OMMT/EP复合材料介电常数为3.23,与纯EP(3.64)相比降低了11.26%。0.4 wt%FGOA-3 wt%OMMT/EP复合材料弯曲强度和冲击强度均达到最大值132.04 MPa和15.89 kJ/m~2,与纯EP相比分别提高了58.2%和217.8%,同时在40°C左右,复合材料储能模量达到2508 MPa,比纯EP提高了42%。所有复合材料的热稳定性和导热系数与纯EP相比略有提高。这些性能的变化与FGOA-OMMT与EP基体形成的相互作用的界面结构密切相关。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低介电常数材料论文参考文献
[1].张玉荣.含叁氟甲基低介电常数高分子材料的制备及性能研究[D].吉林大学.2019
[2].张航.MMT-GO气凝胶/环氧树脂低介电常数复合材料性能研究[D].哈尔滨理工大学.2019
[3].陈康,郑勇,董作为,徐静,高璐.固有烧结温度低的低介电常数陶瓷材料研究进展[J].材料导报.2017
[4].张帅,李晓丹,冉起超,顾宜.低介电常数纳米多孔复合材料的制备与性能[C].第叁届中国国际复合材料科技大会论文集.2017
[5].张帅,李晓丹,冉起超,顾宜.低介电常数纳米多孔复合材料的制备与性能[C].第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场6-10.2017
[6].张哲,华嘉松,王晓敏,黄宸,庄启昕.超低介电常数纳米空心SiO_2/POSS/含氟聚2,5-苯并恶唑复合材料的制备[C].第叁届中国国际复合材料科技大会摘要集-分会场11-15.2017
[7].陆亚宁.低介电常数POSS/聚芳醚酮复合材料的制备及其性能研究[D].吉林大学.2017
[8].宦杰.低介电常数超材料在磁光隔离器中的应用[D].南京邮电大学.2016
[9].杨大令,韩晓倩,王立久.低介电常数聚酰亚胺基多孔复合材料的研究进展[J].材料科学与工程学报.2016
[10].王彬,李悦生.基于聚环碳硅烷的无孔低介电常数材料[C].中国化学会第30届学术年会摘要集-第十一分会：应用化学.2016