导读:本文包含了直流脉冲磁控溅射论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铜膜,纳米压痕,弹性模量,硬度
直流脉冲磁控溅射论文文献综述
谈淑咏,张旭海,朱迪,陈健,蒋建清[1]（2017）在《直流脉冲磁控溅射铜膜的结构与性能研究》一文中研究指出采用直流脉冲磁控溅射法制备铜膜,利用X射线衍射法分析薄膜相结构,通过扫描电镜观察薄膜形貌,基于纳米压痕载荷-位移曲线计算薄膜的硬度、弹性模量和接触刚度,同时采用显微硬度法测量薄膜硬度,系统研究了溅射功率和偏压对铜膜结构和力学性能的影响。结果表明,通过纳米压痕载荷-位移曲线计算薄膜力学性能是可靠的。随着溅射功率的增大,铜膜生长取向几乎无变化,均呈无择优生长状态,弹性模量、接触刚度基本不变,硬度略有减小;偏压增大会使铜膜呈现明显的(111)取向生长,接触刚度、弹性模量和硬度呈下降趋势。(本文来源于《功能材料》期刊2017年02期）
柴卫平,赵景训,王华林,丁万昱[2]（2010）在《直流脉冲磁控溅射制备ITO薄膜及其光电性能》一文中研究指出利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备ITO薄膜.通过台阶仪、紫外-可见分光光度计、四探针仪等表征技术,研究了沉积气压、溅射功率,以及Ar/O2流量比等对ITO薄膜沉积速率、光学性能,以及电学性能的影响.研究结果表明,薄膜沉积速率随沉积气压的增大而减小,随功率的增大而增大;方块电阻随气压的增大而增大,随功率的增大而减小;可见光平均透过率主要受O2流量的影响.在沉积气压为0.5 Pa,Ar/O2流量比为20∶0,溅射功率为250 W,膜厚为200 nm时,薄膜的方块电阻为27Ω/□,可见光平均透过率为84.1%.(本文来源于《大连交通大学学报》期刊2010年06期）
张粲,丁万昱,王华林,柴卫平[3]（2010）在《O_2/Ar比例对直流脉冲磁控溅射制备TiO_2薄膜光催化性能的影响》一文中研究指出利用直流脉冲磁控溅射方法在不同O2/Ar比例条件下制备具有不同结构、性能的TiO2薄膜,利用台阶仪、X射线衍射仪及紫外-可见分光光度计等仪器,对薄膜的结构、透光性能、光催化性能等进行表征。研究结果表明:TiO2薄膜的结构、光催化性能等强烈依赖于沉积过程中的O2/Ar比例。在低O2/Ar比例条件下制备的TiO2薄膜,薄膜处于O控制生长阶段,相应薄膜处于高速生长状态,薄膜经退火处理后形成锐钛矿(101)相择优取向结构,同时薄膜对甲基橙溶液降解率较低。随着O2/Ar比例的增加,薄膜生长速率逐渐降低,薄膜逐渐呈现多相混合生长,经退火处理后薄膜呈现锐钛矿(101)相与(004)相的混合相结构,相应薄膜对甲基橙溶液降解率增加,在O2/Ar比为6/14时,其对甲基橙溶液降解率达到最大值,为86.45%。继续增加O2/Ar比例,在高O2/Ar比例条件下,薄膜沉积速率较低,沉积离子有充足的驰豫时间释放自身能量以寻找低能位置,因此在薄膜沉积过程中主要形成能量最低的锐钛矿(101)相结构,经退火处理后薄膜呈现锐钛矿(101)相择优取向结构,在O2/Ar比为20/0时,薄膜对甲基橙溶液降解率下降至52.15%。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2010年02期）
朱继国,丁万昱,王华林,张树旺,张粲[4]（2008）在《Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响》一文中研究指出利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ.cm,波长190 nm~850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%。(本文来源于《微细加工技术》期刊2008年04期）
朱继国,柴卫平,王华林,张树旺,刘世民[5]（2008）在《薄膜厚度对直流脉冲磁控溅射Mo薄膜光电性能的影响》一文中研究指出采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜,研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明,随着薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率先降低后增加,在厚度284.3nm处电阻率最低,为7.3×10-4Ω.cm。不同厚度的Mo薄膜在各个波长处(200~840nm)反射率都随波长的增加而增大。随着薄膜厚度的增加,平均反射率总的呈下降趋势,在薄膜厚度284.3nm时出现一反射率高峰,其在200~840nm波长范围内的平均反射率达43.33%。(本文来源于《光学仪器》期刊2008年03期）
朱继国[6]（2008）在《直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜及其性能研究》一文中研究指出寻找廉价、可再生的新型清洁能源己成为当前人类面临的迫切课题。CIS/CIGS薄膜太阳电池以其廉价、高效、性能稳定等优点,成为当今光伏界乃至新能源开发领域的研究热点之一。Mo薄膜作为CIS/CIGS薄膜太阳电池的背接触,其性能的好坏会直接影响到吸收层CIGS薄膜的形核、生长以及表面形貌,进而对电池性能也会产生重要影响。目前国内还很少有人对背接触Mo薄膜进行研究。本论文主要是利用直流脉冲磁控溅射方法在普通钠钙玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜的研究。通过台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪、紫外-可见分光光度计等仪器对薄膜进行表征,分析了Ar气压强、脉冲功率、靶基距等工艺参数对Mo薄膜生长特性、结构、表面粗糙度以及光电性能的影响,并对不同厚度Mo薄膜的特性进行了研究。研究结果表明,在低的Ar气压强和高的脉冲功率下沉积的Mo薄膜晶粒尺寸较大,结晶质量较好,表面粗糙度Ra在10nm以下,薄膜在(110)方向上择优取向,电阻率较低(10～20μ?·cm),波长190～850nm范围内的平均反射率较大(58～65%),薄膜具有优良的光电性能;Ar气压强的增大或脉冲功率的减小都将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量变差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。靶基距为110mm时薄膜具有最低的电阻率和最高的光反射率,靶基距过大或过小都会对薄膜的光电性能产生不利影响。随着薄膜厚度的增加,Mo薄膜(110)衍射峰逐渐增强,晶粒长大,薄膜电阻率减小,平均反射率先增大后缓慢下降。薄膜厚度为35.9nm时,波长300～850nm范围内的平均反射率最大,为69.11%;当厚度为3258.9nm时,薄膜电阻率最低,为12.15μ?·cm。最后,根据实验室现有条件,对下一步要进行的工作和需要解决的问题进行了展望。(本文来源于《大连交通大学》期刊2008-06-04）
张树旺[7]（2008）在《直流脉冲磁控溅射法制备SiN_x/SiN_xO_y薄膜及其性能研究》一文中研究指出柔性OLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,使柔性OLED器件很难达到商用显示器件1×104h的最低使用寿命标准,在柔性衬底上制备保护层是阻隔H2O、O2等有害气体对器件的侵蚀,延长器件使用寿命的有效方法。而高密度的SiNx和SiNxOy薄膜对气体具有良好的阻隔性能。本论文利用直流脉冲磁控溅射方法制备SiNx及SiNxOy薄膜,探讨反应压强、气体流量配比等沉积参数对SiNx及SiNxOy薄膜结构、性能的影响。研究结果表明:1、在N2/Ar比例不变的情况下,随着反应压强的增加,所制备SiNx薄膜中Si-N键含量逐渐下降,而Si-O键的含量逐渐增加,当反应压强大于1.0Pa后,Si-O键已经成为薄膜的主要结构;2、在反应压强不变的情况下,随着N2/Ar比例的增加,所制备SiNx薄膜中Si-N键含量逐渐下降,而Si-O键的含量逐渐增加,当N2/Ar比例大于0.6之后,Si-O键已经成为薄膜的主要结构;3、在低反应压力及低N2/Ar比例条件下,由于SiNx薄膜中Si-N键含量较高,薄膜具有较好的阻透性能和疏水性能;随着反应压强的增加及N2/Ar比例的增加,由于SiNx薄膜中Si-O键含量的增加,SiNx薄膜的疏水性能及阻透性能变差。在最佳参数条件下制备的SiNx薄膜,具有较好的疏水性能、阻透性能,残余应力较低,同时薄膜在可见光波段透过率超过90%,表明在最佳参数条件下制备的SiNx薄膜能够满足柔性OLED对衬底保护膜透光率、疏水性和H2O/O2阻透性能的要求;4、在SiNx薄膜最佳制备参数条件下,反应气体中掺入少量O2,采用直流脉冲磁控溅射方法制备SiNxOy薄膜。由于O元素活泼性远大于N元素,当混合气体比例为N2:Ar:O2=10:20:2时,SiNxOy薄膜中Si-N键与Si-O键含量相当;继续增加O2流量,则薄膜以Si-O键结构为主。SiNxOy薄膜的可见光透过率都在90%以上;同时,由于SiO2薄膜的疏水性能、阻透性能低于SiNx薄膜,因此,随着SiNxOy薄膜中Si-O键含量的增加,薄膜的疏水性能、阻透性能变差。(本文来源于《大连交通大学》期刊2008-06-04）
直流脉冲磁控溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备ITO薄膜.通过台阶仪、紫外-可见分光光度计、四探针仪等表征技术,研究了沉积气压、溅射功率,以及Ar/O2流量比等对ITO薄膜沉积速率、光学性能,以及电学性能的影响.研究结果表明,薄膜沉积速率随沉积气压的增大而减小,随功率的增大而增大;方块电阻随气压的增大而增大,随功率的增大而减小;可见光平均透过率主要受O2流量的影响.在沉积气压为0.5 Pa,Ar/O2流量比为20∶0,溅射功率为250 W,膜厚为200 nm时,薄膜的方块电阻为27Ω/□,可见光平均透过率为84.1%.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
直流脉冲磁控溅射论文参考文献
[1].谈淑咏,张旭海,朱迪,陈健,蒋建清.直流脉冲磁控溅射铜膜的结构与性能研究[J].功能材料.2017
[2].柴卫平,赵景训,王华林,丁万昱.直流脉冲磁控溅射制备ITO薄膜及其光电性能[J].大连交通大学学报.2010
[3].张粲,丁万昱,王华林,柴卫平.O_2/Ar比例对直流脉冲磁控溅射制备TiO_2薄膜光催化性能的影响[J].真空科学与技术学报.2010
[4].朱继国,丁万昱,王华林,张树旺,张粲.Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响[J].微细加工技术.2008
[5].朱继国,柴卫平,王华林,张树旺,刘世民.薄膜厚度对直流脉冲磁控溅射Mo薄膜光电性能的影响[J].光学仪器.2008
[6].朱继国.直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜及其性能研究[D].大连交通大学.2008
[7].张树旺.直流脉冲磁控溅射法制备SiN_x/SiN_xO_y薄膜及其性能研究[D].大连交通大学.2008