导读:本文包含了高密度电容论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电荷俘获型存储器,金属-绝缘层-金属电容,原子层沉积,纳米岛
高密度电容论文文献综述
韩萍[1]（2018）在《原子层淀积高k复合介质基电荷俘获型存储器与高密度金属—绝缘体—金属电容研究》一文中研究指出半导体存储器和电容器是集成电路中非常重要的信息处理器件。随着集成电路技术的发展,传统的存储器面临着存储密度低、寿命短和功耗高等挑战,同时传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(polysilicon-insulator-polysilicon,PIP)或金属-氧化物-硅衬底(metal-oxide-silicon,MOS)结构电容也存在寄生电容、电压线性度差等严重问题,因此发展新型存储器与电容器成为学术界和工业界关注的热点。电荷俘获型存储器(charge trapping memory,CTM)的电荷主要存储在相互分离的绝缘层的电荷陷阱中,因此具有存储密度高、功耗低、寿命高和低成本等优点,而且CTM技术完全与传统的半导体工艺相兼容,故被认为是替代传统闪存的主流存储器之一。而新型的金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal,MIM)结构的电容器,具有高电导的金属电极、低的接触电阻和寄生电容,亦无耗尽效应,因此成为下一代电容结构的首选。原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)是一种正在蓬勃发展中的新型薄膜材料沉积技术,由于其独特的自限制、自饱和反应机理,因而具有优异的叁维共形性、大面积的均匀性和精确的亚单层膜厚控制等优点,同时与半导体制造工艺高度兼容。因此近年来利用ALD制造高质量高k介质薄膜成为研究的重点。因此,本论文通过 ALD 技术制备了以 Ta2O5/A12O3/TiO2/Al2O3/Ta2O5(TATiAT)纳米复合高k介质为存储层的电荷俘获型存储器与Ta2O5纳米岛存储器,其中隧穿层和存储层均为ALD沉积的Al2O3薄膜,并对它们的微结构、电荷存储性能和能带结构进行了表征和分析。同时采用热ALD和PEALD技术制备了 Zr-Ti-O复合介质体系的MIM电容,研究了沉积温度、热ALD和PEALD技术、不同Zr源前驱体对Zr-Ti-O MIM电容的电学性能的影响。主要进展如下:1、采用热ALD技术制备了存储介质层为Ta2O5/Al2O3/TiO2/Al2O3/Ta2O5(TATiAT)电荷俘获型存储器。高分辨透射电子显微镜观测和X射线光电子能谱深剖分析表明:TATiAT形成了纳米复合高k氧化物。该CTM器件具有优异的电荷存储能力。在±10V的扫描电压下存储窗口可达10.0 V,电荷存储密度为1.10×1013cm-2,归因于纳米复合高k氧化物中,存在较多的因互扩散形成的电荷缺陷,可存储电荷。该器件具有较快的开关响应速度,施加10μs脉冲时存储窗口超过1.0V,施加1ms脉冲时,存储窗口达2.6V,优异的抗疲劳特性,在数据保持能力方面也展示出优势,10年后电荷量仅损失了 31%。通过能带结构分析得出TATiAT和Al2O3之间存在较大的导带补偿1.02eV,有利于电荷存储和数据的保持。2、研究了不同Si衬底终端(-H、-OH和Al2O3)和不同循环数(20、30和40循环)对ALD沉积Ta2O5纳米岛的形貌、尺寸与密度的影响。发现ALD沉积的Al2O3表面具有最丰富的-OH活性基团,有利于Ta2O5的成核与生长,20循环下即可获得最大面密度达6.30×1011 cm-2的Ta2O5纳米岛分布,均宽为9.6nm,均高为1.4nm。制备了不同循环数下的Pt/A1203/Ta2O5纳米岛/Al2O3/Si结构的CTM存储器,20循环的Ta2O5纳米岛具有较好的电荷存储能力,±12V下存储窗口为5.8V,电荷存储密度达到了 1.11×1013cm-2,性能优于50循环下的Ta2O5薄膜CTM存储器。20循环Ta2O5纳米岛存储器的数据保持能力不如TATiAT纳米复合高k介质存储器,十年后电荷损失量约一半。通过能带结构分析和相关表征可知:Ta2O5和Al2O3之间的导带补偿为0.86eV,不如纳米复合高k氧化物的导带补偿大,另一方面20循环下获得纳米岛尺寸、密度较大,出现了团聚现象,影响了电荷的存储性能。3、通过热ALD和PEALD技术制备了一系列Zr-Ti-O为介质的MIM电容,研究了沉积温度、锆前驱体和不同ALD方法对电容性能的影响。随着沉积温度的升高,介质薄膜中的含碳量逐渐降低,电压线性度α也呈下降趋势,通过比较得出300℃为制备的Zr-Ti-O复合介质MIM电容较适宜的生长温度。发现热ALD以H2O为氧源制备的MIM电容电压线性度α为正值,而用PEALD以O2等离子体为氧源获得的电压线性度α为负值。分别以ZrCl4和TEMAZ为锆源,采用热ALD和PEALD相联合的技术制备了两组MIM电容,尝试利用抵消效应来降低α值。两组样品漏电流特性均得到了改善,其中TEMAZ体系的α值降低明显,仅为-102ppm/V2,已经达到了 ITRS对MIM电容电压线性度的要求,但是电容密度却较低,仅为4.1 fF/μ2。因此对于Zr-Ti-O体系的MIM电容工艺和性能仍需进一步优化。(本文来源于《南京大学》期刊2018-05-01）
徐月[2]（2017）在《高密度聚苯胺/石墨烯复合电极材料设计制备和超电容特性研究》一文中研究指出化学改性石墨烯可以自组装成为具有叁维多孔网络结构的材料,适合作为构建高体积比容量石墨烯基复合材料的基体。本文以石墨烯水凝胶作为基体,将其与导电聚合物聚苯胺复合,制备了一种具有高体积比容量的复合电极材料;阐明了聚苯胺在致密无孔复合材料中的质子传输机理;同时研究了复合材料在不同电解液体系下的赝电容特性,揭示了聚苯胺与碳纳米材料之间的协同储能机制。论文提出了高体积比容量复合电极的设计原则和致密化制备方法,制备过程依次包括静态吸附、化学原位聚合和毛细蒸发干燥,可以获得一种高密度聚苯胺/石墨烯复合材料。该复合材料的质量比容量和体积比容量分别能达到691 F/g和1036 F/cm~3。当电极厚度为200μm时,基于整个电极的体积比容量能达到为400F/cm~3。高密度聚苯胺/石墨烯复合材料收缩到致密、无孔的结构,实现了电极材料空间的最大化利用。研究了聚苯胺在复合材料中的质子体相传输机理,质子能够沿着聚苯胺分子链从电极/电解液界面传输到材料内部,在传输过程中极化子和双极化子充当“搬运工”的角色,同时考察了质子体相传输距离和质子浓度对于质子体相传输过程的影响。研究了聚苯胺/石墨烯复合材料在不同pH电解液体系下的电化学特性,揭示了不同电解液体系下的赝电容反应机理以及聚苯胺的结构变化规律;解析了聚苯胺/石墨烯复合材料在不同电解液体系下的电子传递以及离子传输过程,揭示了聚苯胺与碳纳米材料之间的协同储能机制,对于新型高性能电极材料的设计与构建提供了新的思路。(本文来源于《天津大学》期刊2017-05-01）
刘道庆[3]（2016）在《石墨烯基高密度碳材料的制备及其超级电容性能研究》一文中研究指出石墨烯是一种独特的具有单层碳原子结构的二维碳材料,它的理论比表面积高达2630 m2 g-1,因此被认为是一种理想的超级电容器电极材料。然而在实际制备的过程中,由于宏观的石墨烯材料中片层状结构间的无序搭接,使其表现出较低的表观密度值,这严重限制了石墨烯基超级电容电极的体积能量密度,同时石墨烯片层间再堆迭现象的发生也降低了材料的可利用比表面积。因此,对石墨烯材料的结构设计、界面组装以及孔结构调控是获得高密度多孔碳电极材料的关键因素。本文利用氧化石墨烯表面含氧官能团与电解质离子的相互作用制备出几种具有高体积能量密度的石墨烯基碳材料,并对材料的物理性质、电化学性能进行了详细的表征。对人造石墨和天然石墨两种不同原料制备的氧化石墨烯进行了KOH活化造孔处理,通过分析发现石墨原料的结晶度对石墨烯片层的活化效果有非常重要的影响,采用人造石墨和天然石墨两种原料在碱碳比5:1的条件下获得的活化石墨烯材料的比表面积分别可达2193 m2 g-1和1265 m2 g-1,然而由于石墨烯材料活化过程需要较高的碱碳比,因此活化石墨烯具有非常低的收率。本文通过钠离子的静电搭接作用,将氧化石墨烯片层与海藻酸钠分子进行微观结构层面的搭接,所形成的前驱物经过后续碳化和活化过程后可获得活性炭颗粒均匀、紧密附着在石墨烯片层上的叁维多孔石墨烯基复合材料,该材料的比表面积高达2979 m2 g-1。叁维多孔石墨烯基复合材料在离子液体1-乙基-3-甲基咪唑啉双(叁氟甲基磺酰基)亚胺(EMIM TFSI)中的比电容值为175 F g-1,对应的能量密度可达74.4 Wh kg-1,同时该复合材料的压实密度优于活化石墨烯材料,其在离子液体中的体积能量密度可以达到30.5 Wh L-1,该数值明显高于文献中报道的活化石墨烯材料(23 Wh L-1)。为了进一步提高石墨烯基材料的密度值,采用KOH溶液作为还原媒介还原氧化石墨烯,通过钾离子与氧化石墨烯片层上的含氧官能团的相互作用,可以使还原氧化石墨烯的片层间发生定向的面-面排布,形成高度有序的致密层状微观结构。在还原的过程中钾离子可以抑制石墨烯片层间发生不可逆复合,从而使得石墨烯层间形成大量的孔径在0.4 nm以下的超微孔结构,这种致密层状的微孔结构既实现了高达1.58 g cm-3的压实密度,还通过丰富的微孔表面提供了高的双电层电容和法拉第赝电容。电化学测试表明,这种高密度石墨烯在水系电解液中的体积比电容值高达508 F cm-3,在水系电解液中其体积能量密度高达30 Wh L-1。此外,采用简单的硫酸钠溶液预处理氧化石墨烯,通过钠离子对氧化石墨烯片层间的预插层作用,降低了热还原过程中氧化石墨烯片层间之间的气体膨胀压力,这种热膨胀石墨烯材料相对未经过预处理的材料具有更高的微孔比例,因而具有更高的密度,体积能量密度可以达到26 Wh L-1。自支撑石墨烯膜可以避免导电剂和粘结剂的使用,从而进一步提高器件的整体体积能量密度,本文将氧化石墨烯悬浮液进行浓缩后,进行刮涂处理,干燥后可以获得力学强度良好的氧化石墨烯薄膜,该薄膜在蒸馏水中进行水热还原时很难保持薄膜的完整性,通过向蒸馏水中引入电解质KOH、Na2SO4或H2SO4时,可以获得具有完整性和柔韧性的自支撑石墨烯薄膜,这一现象的内在机制可能是石墨烯片层间π-π引力与静电作用相互平衡的结果。使用双氧水对氧化石墨烯进行造孔处理后获得了面内多孔氧化石墨烯薄膜,这种薄膜在硫酸溶液中进行水热还原处理后,获得了密度值为1.14 g cm-3的自支撑多孔石墨烯薄膜材料,该材料在0.1 A g-1电流密度下的质量比电容值和体积比电容值分别为179 F g-1和204 F cm-3,同时还表现出优异的倍率性能。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2016-06-01）
张立锋[4]（2013）在《基于高K复合介质的高密度MIM电容研究》一文中研究指出随着集成电路的飞速发展,传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOS)结构电容由于存在寄生电容、电压线性度差等问题已经无法满足下一代射频和模拟/混合信号集成电路的要求。因此,新型的金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器被提出来以取代原有的传统结构电容。然而,随着芯片集成度的提高,进一步要求在不改变电容值的情况下减少单个电容器所占据的有效面积。因此研究高密度MIM电容已经成为射频集成电路领域的一项重要课题。由于高介电常数(K)介质MIM电容在维持高电容密度的同时,面临较严重的高电容电压系数(VCC)的问题,严重阻碍了其在相关领域中的实际应用。因此,本论文针对上述问题,开展了基于高K复合介质MIM电容的研究,以期在电容密度和电容电压系数之间找到一个平衡点,既满足高电容密度的要求,又能有效降低电容的电压系数。具体研究内容如下：采用反应离子溅射技术制备了两种高K介质MIM电容：纯Hf02介质和BZT(锆钛酸钡)-Hf02复合介质。对所制备的Hf02和BZT-HfO2介质MIM电容进行了电学测试,结果显示,在100KHz的测试频率下,HfO2MIM电容的电容密度为12.9fF/μm2,二次项电容电压系数(α)值为4270ppm/V2,而BZT-HfO2MIM电容的电容密度为10.2fF/μm2,而α值则降低为2200ppm/V2与HfO2MIM电容的α值相比减少了将近1/2。因此掺入BZT后的BZT-HfO2MIM电容在保持高电容密度的同时,可以明显改善电容的高电容电压系数,具有良好的应用前景。对电容漏电机理的分析显示,Schottky发射机制在所制备的两种电容中均占据主导位置,进一步的计算给出了两种电容的Schottky势垒。研究了等离子体增强原子层淀积技术(PEALD)生长Si02薄膜的工艺。实验过程中,采用叁(二甲胺基)硅烷(TDMAS)和O2作为反应源,比较研究了不同衬底温度(100～350℃)、不同衬底表面(si、TiN)对PEALD SiO2薄膜的影响。结果表明,Si02薄膜的生长速率受生长温度的影响较明显,其生长速率和生长温度呈现负相关性,此外,研究也揭示了TiN衬底在PEALD淀积Si02过程中会形成TiNO界面层。为了进一步研究PEALD所生长Si02薄膜的电学特性,特制备了在200℃淀积温度下生长的9nm和13nm的SiO2MIM电容。电学测试表明,在100KHz测试频率下,两个电容对应的电容密度分别为4.21和4.16fF/μ2,而α值分别为-1450和-2340ppm/V2。由于HfO2MIM电容具有正的α值,因此Si02薄膜所表现出的负a值将对HfO2MIM电容的二次项电压系数的调制非常有用。考虑到Hf02和SiO2两种介质具有相反的α值,运用原子层淀积技术,通过堆迭这两种介质形成具有迭层结构的MIM电容,理应可以实现α值的有效降低(中和效应)。研究结果表明,在保持介质层总厚度一定的情况下,引入Si02薄层会降低MIM电容的α值。而稍微增加Si02的厚度,会显着降低MIM电容的α值,同时,其电容密度也会有一定的降低。通过调整SiO2的厚度和迭层的结构,最终制备出具有SiO2/HfO2/SiO2叁明治结构的MIM电容。测试结果显示,在100KHz测试频率下,SiO2(1nm)/HfO2(10nm)/SiO2(1nm) MIM电容的电容密度为10.2fF/μm2,a值为1150ppm/V2。而SiO2(1.5nm)/HfO2(9nm)/SiO2(1.5nm) MIM电容的电容密度为9.3fF/μm2,α值为615ppm/V2。比较可知,在总的Si02增加1nm的情况下,电容密度仅减少了约9%,而α值则降低了46%。因此通过选择合适的SiO2和HfO2的结构和比例,可以获得符合要求的具有较佳的电容密度和α值的MIM电容。(本文来源于《复旦大学》期刊2013-04-02）
许辉[5]（2012）在《基于HfO_2-SiO_2介质高密度MIM电容研究》一文中研究指出射频和模拟/混合-信号技术(RF and AMS)的高速发展,使得金属-绝缘体-金属(MIM)电容正逐渐取代传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOs)结构电容。为了提高电容密度,高K材料正逐渐取代传统SiO2/Si3N4成为MIM电容的介质材料。然而,所面临的高电容电压系数将阻碍其在射频集成电路中的应用。为了应对这种挑战,本文研究了基于高K材料HfO2和传统材料Si02的复合介质MIM电容。具体研究内容如下：(1)采用反应溅射(PVD)技术,制备了HfO2和HfSiA介质的MIM电容。通过对介质薄膜的化学组分和MIM电容的电学特性进行分析,发现反应溅射淀积的HfSixOy介质中存在Hf-O、Hf-O-Si和Si-O化学键,以及大量的氧空位。Hf-O-Si和Si-O键的相对含量随Si靶功率的增加而增加。MIM电容的二次项电压系数(α)随着HfSixOy介质中Si-O键含量的增加而减小,电容密度也相对减小。在100KHz下,HfSix0y介质MIM电容的电容密度为8.4fF/μm2,α值为1840ppm/V2,HfO2介质MIM电容的电容密度11.8fF/μ m2,α值为2750ppm/V2。(2)采用等离子体增强原子层淀积(PEALD)技术,以TDMAS和02为反应源,对Si02薄膜的淀积工艺进行了研究。结果表明衬底温度对SiO2薄膜的生长速率有一定影响,随着衬底温度从200℃上升到300℃,其生长速率逐渐变慢。200℃时所生长的Si02薄膜中Si和0的原子比最接近其化学计量比1：2,O2脉冲时间对Si02薄膜的生长速率的影响可以忽略。通过对基于上述Si02介质的MIM电容进行电学测试,发现10nm SiO2介质MIM电容在100KHz时的电容密度为4.11fF/μm2,α值为-1450ppm/V2。在3.3V时漏电流密度为8.3×10-8A/cm2,击穿电场达到15MV/cm。(3)研究了基于原子层淀积的SiO2/HfO2/SiO2迭层结构介质的MIM电容的电学性能。结果表明：在固定迭层介质总厚度的情况下,随着介质中SiO2的相对组成增加,所得到的α值逐渐减小。这揭示了改变介质中SiO2的厚度可以实现对电容α值的调制作用。比如,在100KHz下,Si02(1.5nm)/HfO2(9nm)/SiO2(1.5nm)介质的MIM电容的α值为897ppm/V2,电容密度为9.3fF/μ m2,而SiO2(1nm)/HfO2(10nm)/SiO2(1nm)介质的MIM电容的α值则为1210ppm/V2,电容密度为10.2fF/μ m2。在3V电压偏置下,MIM电容的漏电流密度仅为7.5×10-8A/cm2,远远低于用反应溅射工艺生长的MIM电容的漏电流(为10-6-10-5数量级)。(本文来源于《复旦大学》期刊2012-05-30）
黄蕴,高向东[6]（2010）在《深槽介质工艺制作高密度电容技术》一文中研究指出随着系统向高速度、低功耗、低电压和多媒体、网络化、移动化的发展,系统对电路的要求越来越高,在需求牵引和技术推动的双重作用下,出现了将整个系统集成在一个微电子芯片上的系统芯片(System On A Chip,SOC)概念。采用SOC的设计方式可以使芯片面积向小尺寸、高集成度方向发展。SOC设计的系统芯片能够得以实现是以不断发展的芯片制造技术为依托的。文章介绍了基于深槽介质工艺制作高密度电容的技术,通过深槽工艺技术实现大的存储电容。该电容制作采用深槽刻蚀、ONO介质、原位掺杂多晶(ISDP)填充等工艺技术,可以增加电容密度达20倍,提高了电路集成度,其性能优良、漏电极低。(本文来源于《电子与封装》期刊2010年06期）
张平[7]（2008）在《基于RFID芯片应用的0.13μm高密度MIM电容制造工艺研究》一文中研究指出RFID(射频识别)芯片伴随着半导体技术的发展得到了广阔的应用,但是RFID芯片向深亚微米发展使其关键部件MIM电容的制造工艺成为难点,所以本文选择基于RFID芯片应用的0.13μm高密度MIM电容制造工艺研究为主题展开实验。本实验以几种MIM电容介质材料为研究对象,并结合电容的结构设计进行实验设计和效果分析,目的是为了找到基于0.13μm RFID芯片应用且电性参数符合要求的高密度MIM电容制造工艺。实验表明:对于普通介质材料,即SiN和SiO_2,由于材料的low K特性,无论采用普通的PECVD还是先进的ALDCVD工艺,SiN或SiO_2薄膜只能制得大约2fF/μm2电容密度的MIM电容,但所得电容的Leakage、BVD、Tcc、Vcc等电性参数都较好;如果应用High K材料Al_2O_3和SiO_2组合进行工艺改进和实验设计,可以得到较高电容密度,大约4fF/μm2的MIM电容,但是Tcc、Vcc等参数仍需进一步改善;最后,采用MIM电容的立体迭层设计,进行工艺改进,利用low K材料SiN和SiO_2介质也可以制造电容密度4fF/μm2的高密度MIM电容芯片,而且各项电性参数满足产品应用需求。(本文来源于《上海交通大学》期刊2008-12-18）
黄宇健[8]（2008）在《表面后处理对原子层淀积HfO_2介质的高密度MIM电容性能改善研究》一文中研究指出本文采用原子层淀积(ALD)技术,以四(乙基甲胺基)铪(TEMAH)与去离子水(H_2O)为反应源,制备了高介电常数HfO_2介质薄膜,研究了各种表面后处理方法对HfO_2介质金属—绝缘体—金属(MIM)电容的性能改进,通过物理的和电学的测试分析,对介质材料和MIM电容特性进行了表征。论文首次提出采用CF_x等离子体对HfO_2介质表面进行处理来改善MIM电容的性能。结果发现等离子体氟化处理后,介质表面的粗糙度稍微增加,但仍然保持在较小的水平,表明等离子体表面处理没有明显损伤介质薄膜。XPS分析表明,CF_x等离子体处理后,氟原子进入到HfO_2介质中并形成了Hf-F键,从而降低了介质中的氧空位数量,然而碳并没有被引入到介质中。电学测量表明等离子体处理后MIM电容密度从9.76 fF/μm~2增加到10.17 fF/μm~2。氟化处理对100 kHz下MIM的电容—电压线性度影响不大,处理前后的二次电压系数分别为1260 ppm/V~2和1200 ppm/V~2。此外,发现二次电压系数与频率的对数呈线性关系,氟化处理使其变化率减小。等离子体氟化后,MIM电容的漏电流密度在2V时减小了约一个数量级,达到1.39×10~(-8)A/cm~2。其次,论文研究了HfO_2介质的氨气热退火处理对其MIM电容性能的影响,结果揭示了少量的氮元素引入到介质中,降低了电容密度,即从8.16 fF/μm~2减小到7.10 fF/μm~2。然而,微量的氮掺入对MIM电容的漏电和电压线性度有明显改善,在2V时漏电流从1.18×10~(-7)A/cm~2降到3.41×10~(-8)A/cm~2,二次电压系数从1430 ppm/V~2减小到20分钟氮化后的555 ppm/V~2。这说明在NH_3中退火能有效地钝化HfO_2介质中的缺陷。此外,研究发现在较低的淀积温度(280℃)下生长的HfO_2介质中含有少量的氮,这种氮残留增加了MIM的漏电,这表明在低温下生长的含氮HfO_2介质中仍然存在较多的氧空位缺陷。但是,上述薄膜在420℃氨气中退火后,其MIM电学性能有明显改善,而在N_2气氛中退火则不能,说明在NH_3中退火后介质中的缺陷能被有效地钝化,而在N_2中则不能发生自钝化。(本文来源于《复旦大学》期刊2008-04-20）
高密度电容论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
化学改性石墨烯可以自组装成为具有叁维多孔网络结构的材料,适合作为构建高体积比容量石墨烯基复合材料的基体。本文以石墨烯水凝胶作为基体,将其与导电聚合物聚苯胺复合,制备了一种具有高体积比容量的复合电极材料;阐明了聚苯胺在致密无孔复合材料中的质子传输机理;同时研究了复合材料在不同电解液体系下的赝电容特性,揭示了聚苯胺与碳纳米材料之间的协同储能机制。论文提出了高体积比容量复合电极的设计原则和致密化制备方法,制备过程依次包括静态吸附、化学原位聚合和毛细蒸发干燥,可以获得一种高密度聚苯胺/石墨烯复合材料。该复合材料的质量比容量和体积比容量分别能达到691 F/g和1036 F/cm~3。当电极厚度为200μm时,基于整个电极的体积比容量能达到为400F/cm~3。高密度聚苯胺/石墨烯复合材料收缩到致密、无孔的结构,实现了电极材料空间的最大化利用。研究了聚苯胺在复合材料中的质子体相传输机理,质子能够沿着聚苯胺分子链从电极/电解液界面传输到材料内部,在传输过程中极化子和双极化子充当“搬运工”的角色,同时考察了质子体相传输距离和质子浓度对于质子体相传输过程的影响。研究了聚苯胺/石墨烯复合材料在不同pH电解液体系下的电化学特性,揭示了不同电解液体系下的赝电容反应机理以及聚苯胺的结构变化规律;解析了聚苯胺/石墨烯复合材料在不同电解液体系下的电子传递以及离子传输过程,揭示了聚苯胺与碳纳米材料之间的协同储能机制,对于新型高性能电极材料的设计与构建提供了新的思路。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高密度电容论文参考文献
[1].韩萍.原子层淀积高k复合介质基电荷俘获型存储器与高密度金属—绝缘体—金属电容研究[D].南京大学.2018
[2].徐月.高密度聚苯胺/石墨烯复合电极材料设计制备和超电容特性研究[D].天津大学.2017
[3].刘道庆.石墨烯基高密度碳材料的制备及其超级电容性能研究[D].哈尔滨工业大学.2016
[4].张立锋.基于高K复合介质的高密度MIM电容研究[D].复旦大学.2013
[5].许辉.基于HfO_2-SiO_2介质高密度MIM电容研究[D].复旦大学.2012
[6].黄蕴,高向东.深槽介质工艺制作高密度电容技术[J].电子与封装.2010
[7].张平.基于RFID芯片应用的0.13μm高密度MIM电容制造工艺研究[D].上海交通大学.2008
[8].黄宇健.表面后处理对原子层淀积HfO_2介质的高密度MIM电容性能改善研究[D].复旦大学.2008
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