导读:本文包含了单元版图论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:SRAM,抗辐照加固,SEU,MBU
单元版图论文文献综述
谭佳伟,喻沛孚,曾嘉兴,邵津津,陈建军[1]（2016）在《基于版图交织的新型MBU加固存储单元的设计与验证》一文中研究指出随着我国航天事业的飞速发展,国家对空间抗辐照电子元器件的需求越来越迫切。SRAM作为空间电子元器件中不可或缺的重要部件,其抗辐照加固设计一直都是学者们重点研究的课题。本文针对SRAM存储单元中的单粒子翻转(SEU)和单粒子多位翻转(MBU)问题,提出了一种基于版图交织的加固技术,TCAD模拟验证结果表明该技术能够有效地抑制SEU和MBU。(本文来源于《第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛论文集》期刊2016-08-11）
方山,吴玉平,陈岚,张学连,张琦[2]（2015）在《标准单元电路-版图设计自动优化技术》一文中研究指出提出了一种标准单元的电路-版图设计自动优化技术。根据目标电学性能等确定电路中器件的参数值,然后根据参数变化微调现有的标准单元版图,快速自动生成符合设计规则的新版图。该技术可从新版图中获取电路寄生参数,对电路的电学性能进行评估,进一步提高电路-版图设计自动优化速度。测试表明,该技术既可以用于加速标准单元建库和设计移植,也可以支持对更高层的SOC设计进行延时和功耗的在位优化,加速设计收敛,可缩短开发周期。(本文来源于《半导体技术》期刊2015年10期）
胡心仪,林殷茵[3]（2015）在《版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路》一文中研究指出随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小且最优标准单元版图。如何精确测量相同标准单元的不同版图的器件波动具有很大的挑战。提出了一个高分辨率、高速且测试便利的器件波动检测电路,用来对6种优化LPE引入的器件波动影响的标准单元版图进行测试。电路在28 nm工艺上进行了流片验证,电路面积为690μm×350μm,并对全晶圆进行了测试。通过分析NMOS和PMOS的测试结果,对比了不同版图形式应对LPE影响的效果,进而为代工厂设计和优化标准单元版图,尽可能减小LPE引入的器件波动提供参考。(本文来源于《半导体技术》期刊2015年10期）
谢雄龙[4]（2014）在《西部,祖国版图上神奇的地方——人教版《语文》五年级下册第一单元拓展阅读》一文中研究指出那里有高原、雪山,那里有草原、戈壁,那里曾经是"丝绸之路",那里有举世闻名的"敦煌石窟",那里有讲不完的故事,那里有无数的传说……那里就是祖国版图上一个神奇的地方——西部。在祖国西部广袤的土地上,历史上曾经有过鼎盛辉煌,也有过闭塞落后。如今,西部大开发的号角已经吹响,在建设者的汗水浇灌下,西部又焕发出了勃勃生机。(本文来源于《广东第二课堂(上半月小学生阅读)》期刊2014年05期）
刘真[5]（2011）在《标准单元抗单粒子瞬态效应版图加固技术与验证方法研究》一文中研究指出随着工艺尺寸的不断缩减,工作时钟频率的不断提高,单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)逐渐超过单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)成为单粒子软错误率(Soft Error Rate, SER)的主要来源。本文针对180nm体硅CMOS工艺的抗辐照标准单元库,提出了抗SET的若干版图加固技术以及模拟验证方法,采用加固标准单元库设计的抗辐照高性能DSP获得了优异的辐照试验效果。主要研究内容和成果包括:一.利用TCAD叁位器件模拟研究阱/衬底接触宽度和阱/衬底接触到相应MOS管漏极的距离以及MOS管栅极的不同版图结构对于SET的影响。结果显示:对于PMOS器件,增大阱接触宽度和减小阱接触到漏极的距离能够有效减小SET脉冲宽度, Body接触和使用P+深阱会导致PMOS管的双极效应变强;对于NMOS器件,增大衬底接触宽度和减小衬底接触到漏极的距离能够减小SET脉冲宽度,但效果不明显,使用折迭栅版图画法能有效抑制NMOS器件SET产生,而使用N+深阱会导致NMOS器件中产生的SET脉冲变宽。二.研究了NMOS环形栅器件对于SET效应的加固效果。本文设计了尺寸相同的NMOS环栅、环源和环漏器件模型以及用于对比的条形栅器件模型。TCAD模拟结果表明:相同条件下,环栅器件中产生的SET脉冲宽度比条形栅器件小23%,环源/漏器件中产生的SET脉冲宽度与条形栅器件差别不;NMOS器件源极与P阱之间的PN结始终处于反偏状态,源极吸收电子,减少漏极吸收电子的数目,抑制漏极SET的产生。版图面积比较表明NMOS环栅结构的SET敏感区面积比其他叁种结构都小很多。叁.分别指出了组合单元和时序单元抗SET能力的评估标准,并设计了相应的定量模拟验证方法。针对时序单元输入端口的定量模拟验证方法应用于整个抗辐照标准单元库,大大提高了模拟验证效率。四.针对DICE加固D触发器,指出了单粒子在触发器正读入数据时轰击其内部存储节点可能会导致触发器的性能下降,甚至产生错误。文中分析基本DICE结构触发器的内部存储节点对于这一现象的敏感性,并定量研究了触发器读入“0”信号时,各敏感节点产生SET脉冲的起始位置和宽度对于触发器性能的影响。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2011-11-01）
赵力,田海燕,周昕杰[6]（2010）在《EEPROM单元抗辐射版图设计技术》一文中研究指出随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了达到提高存储器件抗辐射性能的目的,文章从版图设计的角度出发,首先分析了辐射对器件造成的影响,接下来分别介绍了基于FLOTOX和SONOS工艺的EEPROM器件特性,同时指出了在版图设计时需要注意的电压耦合比的问题。在设计中,利用管内隔离和管间隔离的方法,使得管内源/漏端和相邻两管源/漏端之间没有场氧介入,或是将场氧隔开,不让场区下形成漏电通道。设计出的EEPROM版图,不但满足了目前的工作需要,同时为以后抗辐射版图设计提供了有用的参考。(本文来源于《电子与封装》期刊2010年05期）
徐大为,戴昌梅,陈慧蓉,张雍蓉[7]（2009）在《SOI单元库版图优化研究》一文中研究指出文章对版图优化方法进行了研究,给出了几种版图优化的方法。通过研究发现,对于体硅而言要提高单元速度主要是通过减小源漏面积来实现;而对于SOI单元要提高速度只能通过减小单元的源漏周长来实现。通过仿真对比普通结构栅、叉指结构栅和环形结构栅的组成的反向器环振周期,可以发现采用叉指结构和环形栅结构不仅能有效减小单元面积,并且能通过减小源漏周长提高单元速度。(本文来源于《电子与封装》期刊2009年08期）
李鉴,于宗光,黄义定,万书芹,石振岩[8]（2009）在《0.35um标准单元版图库的设计技术研究及实现》一文中研究指出单元库中最重要的是版图库。在0.35um标准单元的整个建库过程中,通过Cadence,Synopsys等设计工具的应用,重点解决在建版图库中,使改进了的建库技术能够更加科学、合理、实用,从而优化标准单元的高度和标准单元的宽度,并且优化布线;通过了设计规则检查、电学规则检查和版图与电路图对照的验证,达到芯片面积减小的目的。(本文来源于《微计算机信息》期刊2009年17期）
吴迪,马亮,刘晓彦[9]（2009）在《标准单元库版图缩放设计与实现》一文中研究指出针对集成电路设计中IP硬核的复用设计了一套版图缩放流程。通过算法设计比例,编程自动识别、修改版图数据以及修正处理等一整套方法,使得版图数据可以灵活高效的缩小,复用到新工艺上。实验结果显示,该设计方法特别适用于标准单元库,有利于提高设计效率。(本文来源于《北京大学学报(自然科学版)》期刊2009年02期）
王健,来金梅,童家榕[10]（2008）在《基于开关阵列的连接单元版图自动生成》一文中研究指出研究了FPGA连接单元的版图自动生成方法,提出了一种用开关阵列结构实现FPGA连接单元版图的新方法,其主要步骤包括:编程连接的均匀化、交界的开关分配、开关与互连线的对应以及线网分裂的通道布线.该方法的优点是能够将连接单元的任意两条互连线进行编程连接,因而具有很好的灵活性.用该方法实现一个48×48的Wilton连接单元,与人工全定制相比版图面积增大12%~30%,大大缩短了版图的设计时间.(本文来源于《复旦学报(自然科学版)》期刊2008年01期）
单元版图论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种标准单元的电路-版图设计自动优化技术。根据目标电学性能等确定电路中器件的参数值,然后根据参数变化微调现有的标准单元版图,快速自动生成符合设计规则的新版图。该技术可从新版图中获取电路寄生参数,对电路的电学性能进行评估,进一步提高电路-版图设计自动优化速度。测试表明,该技术既可以用于加速标准单元建库和设计移植,也可以支持对更高层的SOC设计进行延时和功耗的在位优化,加速设计收敛,可缩短开发周期。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单元版图论文参考文献
[1].谭佳伟,喻沛孚,曾嘉兴,邵津津,陈建军.基于版图交织的新型MBU加固存储单元的设计与验证[C].第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛论文集.2016
[2].方山,吴玉平,陈岚,张学连,张琦.标准单元电路-版图设计自动优化技术[J].半导体技术.2015
[3].胡心仪,林殷茵.版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路[J].半导体技术.2015
[4].谢雄龙.西部,祖国版图上神奇的地方——人教版《语文》五年级下册第一单元拓展阅读[J].广东第二课堂(上半月小学生阅读).2014
[5].刘真.标准单元抗单粒子瞬态效应版图加固技术与验证方法研究[D].国防科学技术大学.2011
[6].赵力,田海燕,周昕杰.EEPROM单元抗辐射版图设计技术[J].电子与封装.2010
[7].徐大为,戴昌梅,陈慧蓉,张雍蓉.SOI单元库版图优化研究[J].电子与封装.2009
[8].李鉴,于宗光,黄义定,万书芹,石振岩.0.35um标准单元版图库的设计技术研究及实现[J].微计算机信息.2009
[9].吴迪,马亮,刘晓彦.标准单元库版图缩放设计与实现[J].北京大学学报(自然科学版).2009
[10].王健,来金梅,童家榕.基于开关阵列的连接单元版图自动生成[J].复旦学报(自然科学版).2008