导读:本文包含了垂直构型有机发光晶体管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:垂直构型有机发光晶体管(VOLET),多层结构源电极,光电特性
垂直构型有机发光晶体管论文文献综述
张建楠[1]（2010）在《垂直构型有机发光晶体管共源极的研究》一文中研究指出有机发光晶体管(Organic light-emitting transistor, OLET)是一种新型的电致发光器件。它是集有机发光二极管(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT)二者而成的。因而具有发光和晶体管调节电流两种功能,并可利用调解栅压来控制其发光强度。另外,由于该晶体管采用了垂直构型,缩短了沟道长度,从而降低了器件的工作电压,并提高了发光效率本文通过制备不同材料、形状及厚度的源电极,研究了源电极对VOLET器件光电特性的影响,具体包括以下几点：首先,以单层铝为源电极制作了多组VOLET器件ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Al(25 nm)/LiF(150 nm)/Al。发现栅压具有调控作用,但性能并不是很好。考虑中间铝源极是器件中最核心的部分,本文尝试通过改变中间共源极的各方面参数,以达到优化器件性能的目的。制作了以金为共源极的VOLET器件ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Au(25 nm)/LiF(150 nm)/Al,器件仍可以工作,且体现出较强的调控效果,说明电容部分确有克服高势垒,以实现载流子注入的功能。其次,制作一套掩膜板,用以改变铝源极的形貌。试图通过改变源极形貌来优化器件的性能。利用其中两种掩膜板制作了叁组不同厚度的双层源极器件,发现虽然有一定的电流调控效果,但发光性能很差,说明这种形貌并不利于提高器件的性能。最后,用掩膜板制作了四层源极结构的VOLET器件,其中第一层铝的制备方法和制作单层铝源极相同,但厚度非常薄,并在该层铝表面利用特制的掩膜板再蒸镀叁层。制作了叁组不同厚度的四层源极VOLET。其中以ITO/Pentacene(40 nm)/Alq3(60 nm)/Al(5 nm,13 nm,21 nm,29 nm)/LiF(150 nm)/Al光电性能最好。其中Al(5 nm,13 nm,21 nm,29 nm)分别指铝源极不同区域的厚度。并在确定了源极厚度与形状的前提下,又对器件中起空穴传输以及平衡载流子作用的Pentacene层做了厚度的优化。从发光特性曲线中可以看出,当并五苯厚度为40 nm时,器件光电性能较优。(本文来源于《北京交通大学》期刊2010-05-01）
尹冬冬[2]（2009）在《垂直构型有机发光晶体管的研究》一文中研究指出有机发光晶体管(OLET)是将有机薄膜晶体管(OTFT)与有机发光二极管(OLED)集成在一起的器件,可利用晶体管来控制其发光强度。它具有高电流密度、控制能力强以及制作简单等优点。垂直构型有机发光晶体管(VOLET)采用垂直结构能缩短沟道、降低工作电压,并进而提高发光效率,具有优越的性能。本文制备并研究了VOLET器件的光电特性,通过加入空穴传输材料、改变介电层及源极厚度以及对源极进行臭氧处理等,分析了这些因素对以Alq_3为发光层的VOLET器件性能的重要影响。具体来说,主要包括以下几个方面:首先,我们制作并表征了单层Alq_3薄膜为发光层的VOLET器件ITO/Alq_3(60nm)/Al(25nm)/LiF(90nm)/Al。发现栅压控制作用很弱的原因是器件中空穴注入数量远少于电子,源漏电极两端载流子注入不平衡。通过在ITO与Alq_3之间加入空穴传输材料Pentacene薄膜制备的VOLET器件ITO/Pentacene(40nm)/Alq_3(60nm)/Al(22nm)/LiF(120nm)/Al的发光效率最高,原因是此器件中载流子的注入相对较平衡。其次,我们研究了LiF介电层厚度对器件性能的影响。发现150 nm厚的LiF介电层的器件具有最佳工作性能,器件表现为n型增强型,结果表明适当厚度的介电层可以兼顾器件的低漏电流与电容单元的高电容性。另外,我们发现在用有机半导体材料C_(60)为介电层及电子传输层制作的VOLET器件ITO/Pentacene(40nm)/Alq_3(60nm)/C_(60)(30hm)/Al(25nm)/C_(60)(20nm)/Al中,由于具有较高HOMO能级的C_(60)薄膜同时起到了电子传输层及空穴阻挡层的作用,从栅极注入的电子对源漏电流及发光亮度都有贡献。最后,通过改变中间电极厚度及对其表面进行臭氧处理,我们研究了中间电极对VOLET性能的影响。中间电极厚度为15 nm(其平均粗糙度约为9 nm)的器件的“开/关”电流比和“开/关”亮度比分别达到35与46。对该器件的中间电极作10 min以上的臭氧处理能显着降低器件的漏电流并提高介电层的电容特性,器件“开/关”电流比与“开/关”亮度比分别提高到60与130。这说明中间Al电极是VOLET的核心层,它的厚度、表面形貌及氧化程度决定了载流子的注入效率及栅压的控制能力。(本文来源于《北京交通大学》期刊2009-06-01）
杨盛谊,杜文树,齐洁茹,娄志东[3]（2009）在《基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究》一文中研究指出通过将有机空穴阻挡材料BCP薄层插入垂直构型有机发光晶体管器件ITO/NPB(40nm)/Al(30nm)/NPB(20nm)/Alq3(55nm)/Al中的不同位置对器件光电特性的影响来研究器件漏电流较大的原因以及器件中具体的载流子过程.充分证明了栅极注入的空穴对沟道中的电流有贡献.进而通过用LiF薄层修饰漏极来增强电子的注入并减小漏电流,得到了相对稳定的发光晶体管器件,其发光强度有很大提高并可很好地由栅极电压来进行调控.更换发光材料层容易得到不同颜色的发光晶体管.(本文来源于《物理学报》期刊2009年05期）
垂直构型有机发光晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
有机发光晶体管(OLET)是将有机薄膜晶体管(OTFT)与有机发光二极管(OLED)集成在一起的器件,可利用晶体管来控制其发光强度。它具有高电流密度、控制能力强以及制作简单等优点。垂直构型有机发光晶体管(VOLET)采用垂直结构能缩短沟道、降低工作电压,并进而提高发光效率,具有优越的性能。本文制备并研究了VOLET器件的光电特性,通过加入空穴传输材料、改变介电层及源极厚度以及对源极进行臭氧处理等,分析了这些因素对以Alq_3为发光层的VOLET器件性能的重要影响。具体来说,主要包括以下几个方面:首先,我们制作并表征了单层Alq_3薄膜为发光层的VOLET器件ITO/Alq_3(60nm)/Al(25nm)/LiF(90nm)/Al。发现栅压控制作用很弱的原因是器件中空穴注入数量远少于电子,源漏电极两端载流子注入不平衡。通过在ITO与Alq_3之间加入空穴传输材料Pentacene薄膜制备的VOLET器件ITO/Pentacene(40nm)/Alq_3(60nm)/Al(22nm)/LiF(120nm)/Al的发光效率最高,原因是此器件中载流子的注入相对较平衡。其次,我们研究了LiF介电层厚度对器件性能的影响。发现150 nm厚的LiF介电层的器件具有最佳工作性能,器件表现为n型增强型,结果表明适当厚度的介电层可以兼顾器件的低漏电流与电容单元的高电容性。另外,我们发现在用有机半导体材料C_(60)为介电层及电子传输层制作的VOLET器件ITO/Pentacene(40nm)/Alq_3(60nm)/C_(60)(30hm)/Al(25nm)/C_(60)(20nm)/Al中,由于具有较高HOMO能级的C_(60)薄膜同时起到了电子传输层及空穴阻挡层的作用,从栅极注入的电子对源漏电流及发光亮度都有贡献。最后,通过改变中间电极厚度及对其表面进行臭氧处理,我们研究了中间电极对VOLET性能的影响。中间电极厚度为15 nm(其平均粗糙度约为9 nm)的器件的“开/关”电流比和“开/关”亮度比分别达到35与46。对该器件的中间电极作10 min以上的臭氧处理能显着降低器件的漏电流并提高介电层的电容特性,器件“开/关”电流比与“开/关”亮度比分别提高到60与130。这说明中间Al电极是VOLET的核心层,它的厚度、表面形貌及氧化程度决定了载流子的注入效率及栅压的控制能力。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
垂直构型有机发光晶体管论文参考文献
[1].张建楠.垂直构型有机发光晶体管共源极的研究[D].北京交通大学.2010
[2].尹冬冬.垂直构型有机发光晶体管的研究[D].北京交通大学.2009
[3].杨盛谊,杜文树,齐洁茹,娄志东.基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究[J].物理学报.2009
标签：垂直构型有机发光晶体管(VOLET); 多层结构源电极; 光电特性;