导读:本文包含了侧向刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:分布反馈激光器,侧向耦合,浅刻蚀光栅,边模抑制比
侧向刻蚀论文文献综述
李齐柱,伏霞,张子旸,王旭,陈红梅[1]（2019）在《1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器》一文中研究指出为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled, LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深刻蚀.采用非掺杂和p掺杂两种InAs/GaAs量子点(quantum dot, QD)样品来制备LC-DFB激光器.与采用传统方法制备的DFB激光器相比,非掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了低的阈值电流,其值为1.12 mA/量子点层; p掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了较大的特征温度和斜率效率.在室温下,这种浅刻蚀的LC-DFB激光器实现了单纵模连续输出,边模抑制比(side mode suppression ratio, SMSR)高达51 dB.同时,在不同的测试温度和注入电流下,这种激光器表现出了优良的波长稳定性. 1.3μm浅刻蚀量子点LC-DFB激光器有望在远距离光纤通信领域实现巨大应用价值.(本文来源于《上海大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
陶京[2]（2017）在《浅刻蚀弧形SOI脊形波导侧向泄漏分析与器件设计》一文中研究指出集成光学的发展需要底层器件的基础研究,而绝缘体上晶体硅(SOI)脊形波导及相应器件在集成光学中应用广泛。本文在调研相关文献的基础上提出了一种弧形截面浅刻蚀SOI脊形波导,并利用该波导设计了一种定向耦合器。该弧形截面浅刻蚀SOI脊形波导及器件的理论与仿真会为波导及器件制作提供有益指导。为了进一步探索用SOI制作的浅刻蚀脊形波导侧向泄漏损耗的规律,本文提出并研究了一种弧形截面浅刻蚀SOI脊形波导。用光的干涉理论建立了这种波导的周期性损耗的模型并推导出损耗周期公式,然后通过完美匹配层边界条件下的频域有限元法仿真观察到该特殊波导类横磁基(TM_0-like)模的侧向泄漏损耗周期的变化与最大损耗点的偏移现象。周期大小的仿真结果与理论计算符合度很高,其平均相对误差只有0.56%。此外,发现该类波导在某些沟槽宽度下可以通过改变截面来实现对类TM_0模损耗从最大到最小的调节,而在另外一些沟槽宽度时,类TM_0损耗对截面变化不敏感,这些发现可以简化波导加工并提高制作容差。利用该浅刻蚀弧形SOI脊形波导的损耗特性,设计了一种定向耦合器。在完美匹配层与散射边界相配合的边界条件下,使用有限元法的电磁波波束包络接口来对叁维波导进行仿真,设计出了一种特殊波导间距的类TM_0模低损耗定向耦合器,该波导间距大小与损耗理论预测值接近,间接说明了弧形浅刻蚀SOI脊形波导侧向泄漏损耗理论与相关仿真的合理性。(本文来源于《浙江工业大学》期刊2017-04-29）
周德军,张静,王辉[3]（2014）在《硅基纳米金属光刻蚀结构的侧向光伏效应》一文中研究指出研究目的是探索半导体异质结构下的新型光电效应,为位置灵敏传感器的设计提供新思路.利用磁控溅射镀膜技术在P型硅基衬底上生长N型Cr金属薄膜,从而得到Cr/SiO/Si的硅基纳米金属异质结构.使用纳米光刻蚀技术在金属层上按照设计的条纹图形进行光刻蚀加工,得到硅基纳米金属光刻蚀结构.在对结构进行I-V特性测量的过程中发现侧向光伏效应.使用635nm,功率5mW激光器时,其侧向光伏效应的最大灵敏度为4.844mV·mm-1,并且线性度较好.(本文来源于《北京师范大学学报(自然科学版)》期刊2014年03期）
侧向刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
集成光学的发展需要底层器件的基础研究,而绝缘体上晶体硅(SOI)脊形波导及相应器件在集成光学中应用广泛。本文在调研相关文献的基础上提出了一种弧形截面浅刻蚀SOI脊形波导,并利用该波导设计了一种定向耦合器。该弧形截面浅刻蚀SOI脊形波导及器件的理论与仿真会为波导及器件制作提供有益指导。为了进一步探索用SOI制作的浅刻蚀脊形波导侧向泄漏损耗的规律,本文提出并研究了一种弧形截面浅刻蚀SOI脊形波导。用光的干涉理论建立了这种波导的周期性损耗的模型并推导出损耗周期公式,然后通过完美匹配层边界条件下的频域有限元法仿真观察到该特殊波导类横磁基(TM_0-like)模的侧向泄漏损耗周期的变化与最大损耗点的偏移现象。周期大小的仿真结果与理论计算符合度很高,其平均相对误差只有0.56%。此外,发现该类波导在某些沟槽宽度下可以通过改变截面来实现对类TM_0模损耗从最大到最小的调节,而在另外一些沟槽宽度时,类TM_0损耗对截面变化不敏感,这些发现可以简化波导加工并提高制作容差。利用该浅刻蚀弧形SOI脊形波导的损耗特性,设计了一种定向耦合器。在完美匹配层与散射边界相配合的边界条件下,使用有限元法的电磁波波束包络接口来对叁维波导进行仿真,设计出了一种特殊波导间距的类TM_0模低损耗定向耦合器,该波导间距大小与损耗理论预测值接近,间接说明了弧形浅刻蚀SOI脊形波导侧向泄漏损耗理论与相关仿真的合理性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
侧向刻蚀论文参考文献
[1].李齐柱,伏霞,张子旸,王旭,陈红梅.1.3μmInAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器[J].上海大学学报(自然科学版).2019
[2].陶京.浅刻蚀弧形SOI脊形波导侧向泄漏分析与器件设计[D].浙江工业大学.2017
[3].周德军,张静,王辉.硅基纳米金属光刻蚀结构的侧向光伏效应[J].北京师范大学学报(自然科学版).2014