导读:本文包含了抑制栅电子发射论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:激光刻蚀,微结构,二次电子发射,二级粗糙结构
抑制栅电子发射论文文献综述
王丹,叶鸣,冯鹏,贺永宁,崔万照[1]（2019）在《激光刻蚀对镀金表面二次电子发射的有效抑制》一文中研究指出使用红外激光刻蚀技术在镀金铝合金表面制备了多种形貌的微孔及交错沟槽阵列.表征了两类激光刻蚀微阵列结构的叁维形貌和二维精细形貌,分析了样品表面非理想二级粗糙结构的形成机制.研究了微阵列结构二次电子发射特性对表面形貌的依赖规律.实验结果表明:激光刻蚀得到的微阵列结构能够有效抑制镀金表面二次电子产额(secondary electron yield,SEY),且抑制能力明显优于诸多其他表面处理技术;微阵列结构对SEY的抑制能力与其孔隙率及深宽比呈现正相关,且孔隙率对SEY的影响更为显着.使用蒙特卡罗模拟方法并结合二次电子发射唯象模型和电子轨迹追踪算法,仿真了各微结构表面二次电子发射特性,模拟结果从理论上验证了微阵列结构孔隙率及深宽比对表面SEY的影响规律.本文获得了能够剧烈降低镀金表面SEY的微阵列结构,理论分析了SEY对微结构特征参数的依赖规律,对开发空间微波系统中低SEY表面及提高镀金微波器件性能有重要意义.(本文来源于《物理学报》期刊2019年06期）
胡晶,曹猛,李永东,林舒,夏宁[2]（2018）在《微米量级表面结构形貌特性对二次电子发射抑制的优化》一文中研究指出抑制二次电子倍增效应是提高空间大功率微波器件和粒子加速器等设备性能的重要课题,而使用表面处理降低材料的二次电子发射系数是抑制二次电子倍增的有效手段.为优化寻找抑制效果最好的表面形貌,本文采用蒙特卡罗方法模拟了各种微米量级不同表面形貌的二次电子发射特性,研究占空比、深宽比、结构形状及排列方式等的影响.模拟结果表明,正方形、圆形、叁角形凸起和凹陷结构的二次电子发射系数随占空比和深宽比的增大而减小,但存在饱和值;凸起结构的排列方式对二次电子发射系数的影响不大,但是凸起结构形状却对二次电子发射系数的影响较大,其中叁角形的抑制效果最佳.对凹陷结构而言,不同形状的抑制效果差别不大;同时,占空比和深宽比相同时,凸起结构较凹陷结构抑制效果更佳.究其原因,核心在于垂直侧壁的"遮挡效应",凹陷结构遮挡效应的大小与"陷阱"垂直高度有关,而凸起结构遮挡效应的大小和凸起部分的斜方向投影大小有关.(本文来源于《物理学报》期刊2018年17期）
何鋆,俞斌,王琪,白春江,杨晶[3]（2018）在《磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射》一文中研究指出降低表面的二次电子产额是抑制微波部件二次电子倍增效应和提升功率阈值的有效途径之一,目前主要采用在表面构造陷阱结构和沉积非金属薄膜的方法降低二次电子产额,其缺点是会改变部件的电性能.针对此问题,采用在表面沉积高功函数且化学惰性的金属薄膜来降低二次电子产额.首先,采用磁控溅射方法在铝合金镀银样片表面沉积100 nm铂,测量结果显示沉积铂后样片的二次电子产额最大值由2.40降至1.77,降幅达26%.其次,用相关唯象模型对二次电子发射特性测量数据进行了拟合,获得了在40-1500 eV能量范围内能够准确描述样片二次电子产额特性的Vaughan模型参数,以及在0-50 eV能量范围内能够很好地拟合二次电子能谱曲线的Chung-Everhart模型参数.最后,将获得的实验数据和相关拟合参数用于Ku频段阻抗变换器的二次电子倍增效应功率阈值仿真研究,结果表明通过沉积铂可将部件的功率阈值由7500 W提升至36000 W,证实了所提方法的有效性.研究结果为金属材料二次电子发射特性的研究提供实验数据参考,对抑制大功率微波部件二次电子倍增效应具有参考价值.(本文来源于《物理学报》期刊2018年08期）
白春江,封国宝,崔万照,贺永宁,张雯[4]（2018）在《铝阳极氧化的多孔结构抑制二次电子发射的研究》一文中研究指出针对空间大功率微波部件中的二次电子倍增效应影响微波部件性能的问题,基于铝阳极氧化产生大深宽比、高孔隙率均匀纳米级多孔结构的特性,结合蒸发镀银技术,提出一种有效降低表面二次电子发射系数的方法.结果表明,相比于未阳极氧化的铝样片,在不清洗样片的情况下(实际的样片表面都会存在吸附或沾污),测试得到二次电子发射系数曲线的第一能量交叉点E1从45 eV增加到77 eV,最大二次电子发射系数SEY_(max)从2.68减小到1.52;在清洗样片的情况下(清洗是为了去除吸附或沾污,获得理想的表面),测试得到第一能量交叉点E_1从40 eV增加到211 eV,最大二次电子发射系数SEY_(max)从2.55减小到1.36.为了验证本文所提方法对抑制空间大功率微波部件二次电子倍增效应的有效性,分别将获得的未阳极氧化和阳极氧化后的二次电子发射系数数据用于一个X频段阻抗变换器设计中,结果显示,使用本文所提方法后,阻抗变换器的微放电阈值从7000 W提高到125000 W.本文研究的方法不仅对解决空间大功率微波部件的微放电问题有指导意义,而且对真空电子器件、加速器等领域的研究也具有重要参考价值.(本文来源于《物理学报》期刊2018年03期）
胡晶,曹猛,林舒,翟永贵[5]（2017）在《金属复杂表面二次电子发射的抑制研究》一文中研究指出由二次电子倍增引起的微放电效应是制约高功率微波器件向小型化、多功能方向发展的重要因素[1-5]。降低二次电子发射的有效途径是通过材料表面处理降低材料的二次电子发射系数。本文采用蒙卡模拟方法对金属铜表面方形、圆形等一系列凹陷和凸起结构的二次电子出射情况进行了研究,进而分析在此处理方式下微波器件的微放电特性。研究表明:一定深宽比范围内,凹陷结构的占空比和深宽比越大,二次电子发射系数降低效果越好;凸起结构中不仅占空比和深宽比对二次电子发射系数有影响,二维图形的排列方式也会对其有一定的影响;经过处理的材料SEY值降低,使得微波器件的微放电阈值从15-19k W提高到40-60k W,很好地抑制了微放电效应。(本文来源于《第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集》期刊2017-07-26）
谢贵柏,杨蓉,崔万照,杨晶,Jianli,XU[6]（2017）在《基于石墨烯的二次电子发射抑制方法》一文中研究指出卫星高功率微波部件中,二次电子发射抑制有着重要的研究意义。为了简便有效地实现二次电子发射抑制,人们开展了大量的研究工作。然而,截至目前这仍然是一项需要解决的难题。本文中我们报道了一种可以实现二次电子发射抑制的新方法,采用这种方法二次电子发射系数SEY最大值从2.12可以将至1.1以下甚至更低。与传统的减小二次电子发射系数的方法相比,此方法采用远程等离子体增强化学气相沉积系统在微波部件表面直接沉积石墨烯薄膜,以此实现SEY抑制效果。实验中采用拉曼光谱仪表征石墨烯的质量,石墨烯纳米薄膜的存在减小了粗糙基金表面的二次电子发射系数,同时不会引起表面插损的增大。我们的方法在空间微波技术应用领域有着广阔的应用前景。(本文来源于《第十九届中国科协年会——分4信息新技术 东北新工业论坛论文集》期刊2017-06-24）
胡天存,曹猛,鲍艳,张永辉,马建中[7]（2017）在《基于ZnO阵列的银表面二次电子发射抑制技术》一文中研究指出随着卫星有效载荷的射频功率越来越大,传统的微放电抑制方法已经无法满足大功率卫星有效载荷的需求。降低大功率射频部件内表面的二次电子发射系数是抑制微放电效应的重要方法之一,通过在金属银表面构造纳米量级ZnO阵列,实现了纳米尺度银陷阱结构的制备,研究了晶种制备方式、锌盐浓度对ZnO阵列生长的影响。结果表明,采用紫外照射法制备晶种获得的ZnO阵列在样片表面分布均匀,提高锌盐浓度可改善ZnO阵列的分布均匀性。分析了ZnO阵列排列密度对银膜构筑的影响,发现在低密度的ZnO阵列上更加容易镀覆金属银。因此,获得了镀银表面基于ZnO阵列的陷阱结构制备的工艺技术,实现金属银表面二次电子发射系数最大值降低36.3%。(本文来源于《中国空间科学技术》期刊2017年02期）
封国宝,崔万照,李军,刘纯亮[8]（2017）在《采用收拢式表面的二次电子发射抑制策略》一文中研究指出针对二次电子谐振倍增引起的微放电效应导致微波部件传输性能降低的现象,提出了一种能显着抑制二次电子的收拢式微陷阱表面结构。首先,通过分类处理弹性背散射、非弹性背散射以及真二次电子出射概率得到平整表面的总二次电子出射特性;然后,采用粒子模拟的方法跟踪二次电子在收拢式陷阱结构内的级联再入射过程,获得收拢式陷阱结构对二次电子的抑制特性,从而得到收拢式表面结构对不同类型出射电子的抑制效果和二次电子能谱变化趋势,以及表面结构参数对二次电子发射特性和微放电品质因子的影响规律。仿真结果表明:收拢式表面使得二次电子产额在各个能量段整体下降,对应的二次电子能谱呈现更集中的趋势。收拢式结构中的矩形宽度对二次电子的影响呈先减小后增加趋势,而矩形深度能呈线性地提高微放电的品质因子。这种收拢式结构的椭圆水平轴长在最优的情况下比相同孔隙率和深宽比矩形陷阱结构对二次电子发射的抑制效果提高21.2%,同时使微放电品质因子提升24.97%。(本文来源于《西安交通大学学报》期刊2017年04期）
王泽卫,叶鸣,陈亮,贺永宁,崔万照[9]（2016）在《微孔阵列铜表面二次电子发射系数抑制研究》一文中研究指出针对微孔阵列对铜表面二次电子发射系数(SEY)的抑制效应进行实验研究以提高电真空器件性能。首先利用Casino软件模拟了入射能量分别为0.5keV和3keV的电子束垂直入射到方形微孔阵列表面的SEY,分析了方孔阵列的深宽比和孔隙率对本征二次电子发射系数(ISEY)、背散射二次电子发射系数(BSEY)及总二次电子发射系数(TSEY)的影响。然后采用半导体光刻工艺在铜箔表面制备具有不同形貌参数的圆孔阵列,采用激光扫描显微镜进行形貌分析和几何结构参数提取,采用二次电子测试平台进行TSEY测试。仿真结果表明:微孔阵列的深宽比、孔隙率越大,其SEY抑制特性越明显;随着微孔阵列深宽比逐渐增大,SEY逐渐趋于饱和;入射电子束能量较低时,微孔阵列对SEY抑制效应比入射能量较高时更为明显。实验结果表明:微孔阵列能有效抑制铜表面SEY,实测结果与仿真结果规律一致,为微孔阵列结构用于铜表面SEY抑制提供了依据。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2016年12期）
叶鸣,贺永宁,王瑞,胡天存,张娜[10]（2014）在《基于微陷阱结构的金属二次电子发射系数抑制研究》一文中研究指出近年来,金属二次电子发射系数的抑制研究在加速器、大功率微波器件等领域得到了广泛关注.为评估表面形貌对抑制效果的影响,利用唯象概率模型计算方法对叁角形沟槽、矩形沟槽、方孔及圆孔4种不同形状微陷阱结构的二次电子发射系数进行了研究,分析了微陷阱结构的形状、尺寸对二次电子发射系数抑制特性的影响规律.理论研究结果表明:陷阱结构的深宽比、孔隙率越大,则其二次电子发射系数抑制特性越明显;方孔形和圆孔形微陷阱结构的二次电子发射系数抑制效果优于叁角形沟槽和矩形沟槽;具有大孔隙率的微陷阱结构表面的二次电子发射系数对入射角度的依赖显着弱于平滑表面.制备了具有不同表面形貌的金属样片并进行二次电子发射系数测试,所得实验规律与理论模拟规律符合较好.(本文来源于《物理学报》期刊2014年14期）
抑制栅电子发射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
抑制二次电子倍增效应是提高空间大功率微波器件和粒子加速器等设备性能的重要课题,而使用表面处理降低材料的二次电子发射系数是抑制二次电子倍增的有效手段.为优化寻找抑制效果最好的表面形貌,本文采用蒙特卡罗方法模拟了各种微米量级不同表面形貌的二次电子发射特性,研究占空比、深宽比、结构形状及排列方式等的影响.模拟结果表明,正方形、圆形、叁角形凸起和凹陷结构的二次电子发射系数随占空比和深宽比的增大而减小,但存在饱和值;凸起结构的排列方式对二次电子发射系数的影响不大,但是凸起结构形状却对二次电子发射系数的影响较大,其中叁角形的抑制效果最佳.对凹陷结构而言,不同形状的抑制效果差别不大;同时,占空比和深宽比相同时,凸起结构较凹陷结构抑制效果更佳.究其原因,核心在于垂直侧壁的"遮挡效应",凹陷结构遮挡效应的大小与"陷阱"垂直高度有关,而凸起结构遮挡效应的大小和凸起部分的斜方向投影大小有关.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
抑制栅电子发射论文参考文献
[1].王丹,叶鸣,冯鹏,贺永宁,崔万照.激光刻蚀对镀金表面二次电子发射的有效抑制[J].物理学报.2019
[2].胡晶,曹猛,李永东,林舒,夏宁.微米量级表面结构形貌特性对二次电子发射抑制的优化[J].物理学报.2018
[3].何鋆,俞斌,王琪,白春江,杨晶.磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射[J].物理学报.2018
[4].白春江,封国宝,崔万照,贺永宁,张雯.铝阳极氧化的多孔结构抑制二次电子发射的研究[J].物理学报.2018
[5].胡晶,曹猛,林舒,翟永贵.金属复杂表面二次电子发射的抑制研究[C].第十八届全国等离子体科学技术会议摘要集.2017
[6].谢贵柏,杨蓉,崔万照,杨晶,Jianli,XU.基于石墨烯的二次电子发射抑制方法[C].第十九届中国科协年会——分4信息新技术东北新工业论坛论文集.2017
[7].胡天存,曹猛,鲍艳,张永辉,马建中.基于ZnO阵列的银表面二次电子发射抑制技术[J].中国空间科学技术.2017
[8].封国宝,崔万照,李军,刘纯亮.采用收拢式表面的二次电子发射抑制策略[J].西安交通大学学报.2017
[9].王泽卫,叶鸣,陈亮,贺永宁,崔万照.微孔阵列铜表面二次电子发射系数抑制研究[J].强激光与粒子束.2016
[10].叶鸣,贺永宁,王瑞,胡天存,张娜.基于微陷阱结构的金属二次电子发射系数抑制研究[J].物理学报.2014