韩代云:绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究论文

韩代云:绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究论文

本文主要研究内容

作者韩代云,李源彬(2019)在《绝缘栅双极晶体管表面电沉积镍基石墨烯薄膜的制备及其散热性能研究》一文中研究指出:将镍基石墨烯薄膜应用在IGBT模块散热方面,提出了镍基石墨烯薄膜的制备工艺,并利用扫描电镜、透射电镜、能谱仪等对镍基石墨烯薄膜进行表征。结果表明,当电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄膜中的有大量的Ni和C元素,镍基石墨烯薄膜中的石墨烯平均粒径为32.5 nm。当脉冲电流密度为1 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S1芯片的散热效果较好。当脉冲电流密度为2 A/dm~2时,镍基石墨烯薄转移镍基石墨烯薄膜后的S2芯片的散热效果最好,其最大散热量为14.9℃。

Abstract

jiang nie ji dan mo xi bao mo ying yong zai IGBTmo kuai san re fang mian ,di chu le nie ji dan mo xi bao mo de zhi bei gong yi ,bing li yong sao miao dian jing 、tou she dian jing 、neng pu yi deng dui nie ji dan mo xi bao mo jin hang biao zheng 。jie guo biao ming ,dang dian liu mi du wei 2 A/dm~2shi ,nie ji dan mo xi bao mo zhong de you da liang de Nihe Cyuan su ,nie ji dan mo xi bao mo zhong de dan mo xi ping jun li jing wei 32.5 nm。dang mai chong dian liu mi du wei 1 A/dm~2shi ,nie ji dan mo xi bao zhuai yi nie ji dan mo xi bao mo hou de S1xin pian de san re xiao guo jiao hao 。dang mai chong dian liu mi du wei 2 A/dm~2shi ,nie ji dan mo xi bao zhuai yi nie ji dan mo xi bao mo hou de S2xin pian de san re xiao guo zui hao ,ji zui da san re liang wei 14.9℃。

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  • 论文详细介绍

    论文作者分别是来自功能材料的韩代云,李源彬,发表于刊物功能材料2019年09期论文,是一篇关于镍基石墨烯薄膜论文,散热论文,表征论文,功能材料2019年09期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自功能材料2019年09期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。

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