导读:本文包含了光刻工艺优化论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅片,光刻,特征尺寸CD(characteristic,dimension),驻波效应(standing,wave)
光刻工艺优化论文文献综述
储月娥[1]（2016）在《硅基光刻工艺中的参数优化》一文中研究指出随着半导体器件向更高频率和超大规模集成电路发展,器件的尺寸越来越小,图形越来越复杂,集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小,与光刻技术的进一步发展密切相关。因此不断提高光刻工艺水平,优化光刻过程中的各种过程参数就愈发显得重要了,其中又主要表现在对光刻工艺线宽的控制。为了更好的实现硅片光刻过程在线宽精度方面的控制,本文主要从叁个方面对0.3um线宽制成的光刻工艺的一系列参数进行了优化.首先通过swing curve试验选择了合适的光刻胶厚度,接着通过FEM矩阵确定了光刻机较合适的曝光时间和焦深,最后重点阐述用正交试验对显影、曝光及前烘和PEB在具体步骤当中一些主要参数对于制备结果所造成的影响进行了分析,从中得到了它们的较优的参数组合及影响程度的规律。最终得出当胶厚约为1.03μm时,显影时间为48s;曝光能量为39毫焦(mj);显影温度为23℃。此时光刻后的图形线宽具有最小的偏差,即平均线宽小于0.3+/-5%μm。(本文来源于《科技经济导刊》期刊2016年23期）
张瑛,李佳佳[2]（2016）在《带MIM电容金属层光刻工艺的优化》一文中研究指出金属-绝缘层-金属(Metal-insulator-Metal,MIM)电容在模拟和射频集成电路中有重要的应用需求。该结构的存在,对底层金属连线的光刻工艺提出更高要求。结合在商用工艺中碰到的失效问题,通过模拟分析和实验结果显示,通过调整抗反射层厚度,使得曝光时反射波的影响减小,优化了带MIM电容金属层光刻工艺,达到了提高良率的目的。(本文来源于《集成电路应用》期刊2016年08期）
陈菊英,姚亮[3]（2016）在《铝金属溅射工艺优化改善光刻套刻精度》一文中研究指出铝互连线采用叁明治结构的多层金属薄膜的堆迭(stacked structure),底层与顶层是钛和氮化钛的组合,中间层用铝合金薄膜,在集成电路和半导体器件制造中有着广泛的应用,但AL Grain是个绕不过去的问题。从超深亚微米0.11μm制程中严重的AL Grain首枚效应着手,在不改变堆迭结构、厚度和主要工艺条件情况下,铝合金薄膜制备中不同工艺步骤间追加Ar cooling。通过实验找到一种优化工艺,在保证可靠性的前提下,有效地改善铝表面的晶粒大小,提高光刻层间的套刻精度。(本文来源于《集成电路应用》期刊2016年07期）
谢骞[4]（2016）在《MEMS微桥结构设计与光刻工艺参数优化》一文中研究指出非制冷红外探测器的发展是从20世纪80年代开始的,因其具有成本低、无需制冷、可靠性高、可集成、工艺兼容性好等优点,在民用和军用市场得到了广泛应用。非制冷红外探测阵列芯片主要包括读出电路、热敏材料及微桥结构,利用光-热-电转换原理工作。MEMS结构的探测微桥能够有效降低探测单元的热传导,从而保证探测器在室温环境下有较高的灵敏度。所以,开展低热导微桥结构的研究对高性能非制冷焦平面探测器的研制具有重要意义。微桥结构的每个层次图形均通过光刻工艺实现,并且光刻工艺决定了探测器的关键尺寸,因此实验探索一套优化的光刻工艺是微桥结构探测器件制备的关键。本文的目标是利用MEMS技术,基于氧化钒材料开展的非制冷红外探测阵列的设计与制备,并且对半导体工艺中的光刻工艺提出优化。主要内容是:(1)分析非制冷红外探测器的工作原理、微桥结构特征、热学以及力学性能,根据仿真分析设计出参数不同的微桥结构,运用IntelliSuite软件对设计的微桥结构进行力学和热学仿真,分析仿真结果;仿真最佳结果:像元尺寸为25×25μm2,桥腿宽度为0.9μm。(2)实际制备出所设计的微桥结构,并与仿真结果进行对比,观察其力学稳定性;本文所设计的微桥结构参考了改良后的传统L型桥腿模型,采用了L型双悬臂梁结构。(3)在制备微桥结构的工艺中进行的优化及对其中的光刻工艺做出的改善。通过对金属薄膜表面形貌的判断,选用不同对准方式提高套刻精确性;根据湿法腐蚀的特点,改善光刻工艺涂胶方法,改善横向腐蚀现象。本文设计的微桥结构制备工艺主要包括光刻、刻蚀、CVD、PECVD等,采用L-edit软件完成各层的版图设计,然后在超净间环境下进行红外探测阵列的制备。设计了十种像元尺寸不同或桥腿宽度不同的单元微桥结构,建立其有限元分析模型进行热学和力学仿真,制备出热学性能、力学性能稳定平衡的微桥结构和探测阵列。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-05-10）
耿文练[5]（2015）在《半导体0.18um工艺金属层MUV光刻技术研究及优化》一文中研究指出光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的30%。国内半导体生产厂家主要的光刻机台为ArF、DUV和MUV叁种,ArF机台能力主要应用在0.11um以下工艺,DUV主要应用在0.11～0.18um工艺,MUV机台主要是大线宽的工艺,其中MUV机台价格相对较便宜。国内半导体产品大都在0.05um-0.3m之间,鉴于机台能力的限制,许多公司的DUV机台承担大部分产品的产能,但是DUV机台和材料成本都高于MUV机台。本文针对0.18um工艺金属层,对使用MUV机台替代DUV机台的技术工艺优化进行了研究。基于先进的光刻工艺技术,通过对抗反射图层、光刻胶厚度、曝光条件和显影程序分别进行优化,并采用OPC修正技术,提高MUV机台的工艺能力,使MUV机台能生产部分DUV的金属层产品,仿真和生产实践证明了优化工艺的可行性,该工艺的应用能够分担DUV机台负重,在不影响产品质量的情况下,提高产能,降低生产成本。(本文来源于《华东理工大学》期刊2015-03-30）
莫少文[6]（2013）在《浸润式光刻机工艺缺陷数量的优化》一文中研究指出半导体芯片的制造过程中，光刻工艺永远是核心工艺之一。在摩尔定律的预言下，芯片上器件的尺寸越来越小，我们用来定义器件尺寸的光刻机，也随着不断的技术革新而一代代的优化演变。如今，光刻工艺已经步入了浸润工艺的时代，也就是利用镜头与晶圆之间的一层水来替代传统的空气，利用水的更大折射率成就了65nm以下工艺的发展。浸润工艺的到来，也催生了新一代的缺陷类型，有别于过去的“干式”光刻，浸润式光刻工艺会产生典型的气泡缺陷，水渍残留缺陷，微型桥接缺陷等。本文中，本文针对以上几类缺陷做了成因分析，气泡缺陷主要是由于机械部件运动以及所用的化学品的成分而产生；水渍残留缺陷则是由于浸润部件的工作缺陷，以及之后未及时冲洗晶圆表面从而使得晶圆上涂布的化学品与水发生了反应，降低了光阻的敏感性，最终使得图形发生变形，构成缺陷；微型桥接缺陷是由于光阻没有被充分曝光，导致图形没有被显影开，因为它的形貌较小，构成此类缺陷的成因比较多样，如微小气泡，不透光的颗粒物，或者光阻与防水层的互相反应。本文的目的就是针对以上这些缺陷的主要成因，讨论具有针对性的各种优化手段。如选择效果更佳的防水涂层，优化曝光的扫描路径，从颗粒物产生的原理上减少颗粒物的数量，控制晶圆曝光后冲洗的过程，根据浸润部件污染程度，结合设备实际运行情况，优化清洁保养设备浸润部件的时间规律。通过这一系列的优化手段，本文在工艺上得到了本文想要的最优化，即适用于各类不同特性的光阻材料，产生最少缺陷的通用性优化方案。最后在这个通用性架构基础之上，针对每种光阻材料做最适化参数调整。以此满足工艺上严苛的要求。通过以上这些综合手段的实施，本文使得浸润式光刻机的平均监测缺陷数量控制在60颗以内。产品图形上的缺陷数量控制在10颗以内。设备的表现达到了公司的要求,也为产片良率的控制提供了保障。(本文来源于《上海交通大学》期刊2013-11-01）
张家锦[7]（2013）在《深亚微米光刻工艺中套刻优化方法的应用研究》一文中研究指出光刻工艺作为半导体制造技术的核心工艺,是整个IC制造技术向前发展的驱动力。随着IC产业进入22nm时代,不断缩小的工艺尺寸对光刻套刻性能提出了非常高的要求。对于一些产品的关键工艺层,2-3nnm的套刻偏差,将导致芯片性能直接下降甚至失效。因此,优化光刻套刻性能,是研究光刻工艺的重要课题之一。本文从套刻工艺的原理及应用入手,结合实际的工艺测试数据,阐明了套刻工艺对产品良率的影响,同时也体现了套刻优化需求的迫切性。然后,通过鱼骨分析的方法,逐一分析了影响光刻套刻的各种因素,获得了提升套刻精度和稳定性的两个主要方法,即控制设备套刻稳定性以及改善套刻补偿的方式。最后,论文分别对套刻标准栅格图法及套刻基准控制法,进行了实践应用评估。两种优化方法在应用实践中,均体现了较好的优化效果,套刻性能优化均超过10%。通过对深亚微米光刻工艺的探索研究,找到了光刻套刻性能的优化方法,并在实践运用中,取得了预想的成果,为光刻工艺未来的发展提供了经验积累。(本文来源于《复旦大学》期刊2013-09-17）
贺琪,张世权,刘国柱[8]（2013）在《台阶处光刻工艺的优化与研究》一文中研究指出光刻胶剖面形貌和关键尺寸(CD)是光刻工艺的关键参数,而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响,尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干涉原理及King的胶厚理论模型和光刻胶Swing Curve曲线研究了光刻胶跨越高台阶对成像的影响,分析了造成光刻胶剖面和关键尺寸变化的主要原因。一是台阶处衬底的反射影响了光刻胶剖面形貌;二是高台阶处光刻胶厚度比正常厚度变薄导致光刻曝光条件不适用于高台阶处光刻胶。最后通过优化胶厚及增加底部抗反射层有效解决CD差异和改善光刻胶形貌。(本文来源于《电子与封装》期刊2013年06期）
孙丽媛,高志远,邹德恕,张露,马莉[9]（2012）在《多台阶器件结构深层表面光刻工艺优化》一文中研究指出针对多台阶器件结构深层表面光刻工艺中存在的问题,对不同台阶高度分别测量了台阶表面及台阶底部沉积的光刻胶厚度,并对台阶高度与光刻胶厚度的关系进行数值描述与分析.基于Beer定律对薄光刻胶光吸收系数的描述,分析了通过实验得到的不同曝光时间下光刻胶的光强透过率曲线,解释了随着曝光时间的增加光刻胶光强透过率发生变化的原因,同时认为光刻胶光吸收系数与光刻胶厚度密切相关.在此基础上,确定了台阶底部堆积光刻胶完全曝光所需时间.优化平面光刻工艺,在不同台阶高度的深台阶表面及底部同时制作出窄线条的高质量图形.(本文来源于《物理学报》期刊2012年20期）
周迅来[10]（2011）在《0.16微米LOGIC SRAM光刻工艺参数的优化研究》一文中研究指出本文主要在典型的0.16um逻辑电路SRAM工作区工艺参数的优化,主要针对目前国内200mm晶圆FAB常见的逻辑电路,对电路中的SRAM工作区的设计缺陷以及工艺制程上的缺陷从实际生产中进行优化。本文主要针此产品光刻工艺中遇到的叁大问题进行了研究和优化,找到了解决方法并成功地实现了此产品的量产。具体内容如下：1.前段ACT layer的机台对准的匹配问题常见逻辑电路的ACT layer往往是整个晶圆生产的第一步,其自身的自对准问题虽然没有受前层影响问题,但本身的对准偏移量会对后层的对准问题带来很多工程控制上的困难,ACT SRAM工作区同样对这种对准要求很高,本节主要介绍光刻工艺中的对准工艺的介绍,对准参数的分析,以及ACT SRAM对准难点问题的解决办法。2.0.16um SRAM线宽工艺中断线连桥缺陷的优化SRAM工作区的线宽要求很高,本章节先是在光刻过程中从0.16umSRAM产品的特殊性对SRAM工作区断线连桥问题做出工艺改善分析,接下来是从设计weak point系统来杜绝SRAM工作区的断线连桥问题。3.0.16umSRAM逻辑电路光刻胶卫星缺陷问题的解决方法目前制程中的0.16umSRAM产品,卫星缺陷就是一种在此制程过程中容易产生的一种缺陷,影响严重会致使良率降低。本章节就是对曝光后光酸烘烤反应入手解决此缺陷。(本文来源于《复旦大学》期刊2011-04-10）
光刻工艺优化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
金属-绝缘层-金属(Metal-insulator-Metal,MIM)电容在模拟和射频集成电路中有重要的应用需求。该结构的存在,对底层金属连线的光刻工艺提出更高要求。结合在商用工艺中碰到的失效问题,通过模拟分析和实验结果显示,通过调整抗反射层厚度,使得曝光时反射波的影响减小,优化了带MIM电容金属层光刻工艺,达到了提高良率的目的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光刻工艺优化论文参考文献
[1].储月娥.硅基光刻工艺中的参数优化[J].科技经济导刊.2016
[2].张瑛,李佳佳.带MIM电容金属层光刻工艺的优化[J].集成电路应用.2016
[3].陈菊英,姚亮.铝金属溅射工艺优化改善光刻套刻精度[J].集成电路应用.2016
[4].谢骞.MEMS微桥结构设计与光刻工艺参数优化[D].电子科技大学.2016
[5].耿文练.半导体0.18um工艺金属层MUV光刻技术研究及优化[D].华东理工大学.2015
[6].莫少文.浸润式光刻机工艺缺陷数量的优化[D].上海交通大学.2013
[7].张家锦.深亚微米光刻工艺中套刻优化方法的应用研究[D].复旦大学.2013
[8].贺琪,张世权,刘国柱.台阶处光刻工艺的优化与研究[J].电子与封装.2013
[9].孙丽媛,高志远,邹德恕,张露,马莉.多台阶器件结构深层表面光刻工艺优化[J].物理学报.2012
[10].周迅来.0.16微米LOGICSRAM光刻工艺参数的优化研究[D].复旦大学.2011
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