导读:本文包含了阻性存储器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:阻性存储器,导通特性,渗流机制
阻性存储器论文文献综述
高萍[1]（2015）在《硅基阻性存储器特性及其渗流通道型开关机理研究》一文中研究指出阻性随机存储器i(阻性存储器)同时结合了Flash的高密度和DRAM的快速和耐用性特点,另外还具有低能耗、转换速度快、微缩特性优异(10nm以下)等突出优势,成为下一代存储技术的代表之一。硅基阻性存储器因为制作简单,可靠性高,与当前的CMOS工艺相容等特点得到了广泛关注。本文研究了Ag/a-silicon/p-silicon, Ag/SixC 1-x/p-silicon两种结构阻性存储器的变阻特性及其状态转换机制。本文首先对半导体存储器的发展及研究现状予以介绍,简单分析了各种类型半导体存储器的优缺点及其应用范围,介绍了阻性存储器及相关的几种导通机制。接着介绍了阻变式非易失性存储器(阻性存储器)的主要性能参数,器件的制作过程,I-V特性曲线,傅里叶红外光谱(FTIR),电化学阻抗谱等分析手段。最后对两种器件分别进行讨论,根据I-V特性曲线set/reset过程缓变的特性,提出器件的状态转换过程与细丝型导电通道的建立无关,而是渗流通道的建立过程。两类硅基阻性存储器结构都表现了稳定的双极特性,有较高的关断比,可靠性高。与此同时,渗流模型的提出,是对阻性存储器器件机理研究的有益补充。(本文来源于《大连理工大学》期刊2015-04-30）
唐立[2]（2008）在《基于阻性存储器高密度应用的工艺解决方案研究》一文中研究指出随着特性尺寸的不断缩小,Flash不挥发存储技术将面临尺寸极限挑战。基于硫系化合物材料的相变存储器和基于金属氧化的电阻存储器,由于其各自独特的存储特性优点,均被人为是是未来不挥发存储技术的候选者之一。其中,如何实现这两种两端式阻性存储器的高密度应用,一直是业界研究的热点。针对这种情况,本论文从工艺方案角度提出相变存储单元和电阻存储单元的高密度应用技术,并进行了实验论证。我们从存储单元的存储器和选通管两方面着手研究:在相变存储器方面,不依赖于光刻技术的基于介质击穿形成的3D相变存储器结构为实现相变存储器堆迭制造、并最终高密度应用提供可能,在电阻存储器方面,主要研究CuxO电阻存储器的特性及其机理,并提出相应的与铜互连后端工艺集成的解决方案;同时在选通管方面,主要是提出1TxDxR的复用选通技术,并分别利用相变材料和金属氧化物材料CuxO的p型半导体特性,构造异质结二极管,进一步作为选通管应用于存储单元中。上面所述的方案技术的最大共同点在于都可以在工艺上实现堆迭制造,从而使阻性存储器的高密度应用上,提供了工艺解决方案。本文共分5章。第l章为绪论,介绍不挥发存储技术背景及其选题动机。第2章为相变存储器及其电加工技术研究,具体介绍相变存储器机理及其现状、电介质的击穿理,并提出相变存储器的电加工技术方案,进行实验论证。第3章为基于CuxO的电阻存储器及其工艺集成方案,具体介绍了CuxO电阻存储器的制备方法、特性、及其机理模型,提出了在后端的铜互连结构中的集成实现方案。第4章为阻性存储器高密度存储应用的选通技术,提出了1TxDxR方案,并具体介绍了基于相变材料的异质结二极管和基于金属氧化物的异质结二极管的与1TxDxR方案的结合应用。第5章对全文进行总结论述,对阻性存储器的发展作展望。(本文来源于《复旦大学》期刊2008-05-25）
Jim,Harrison[3]（2005）在《数据存储器容量突破了1Tbit/英寸~2 热机存储工艺采用了阻性加热器和聚合剂》一文中研究指出IBM公司苏黎世研究实验室(位于瑞士苏黎世)的研究人员开发成功一种高密度数据存储系统,该系统采用了模仿原子力显微技术(AFM)的微电机系统(MEMS)部件。这种热机存储工艺能够实现大于1Tbit/英寸2的数据密度,远远高于磁记录的预期极限值。聚合剂中A(本文来源于《今日电子》期刊2005年06期）
阻性存储器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着特性尺寸的不断缩小,Flash不挥发存储技术将面临尺寸极限挑战。基于硫系化合物材料的相变存储器和基于金属氧化的电阻存储器,由于其各自独特的存储特性优点,均被人为是是未来不挥发存储技术的候选者之一。其中,如何实现这两种两端式阻性存储器的高密度应用,一直是业界研究的热点。针对这种情况,本论文从工艺方案角度提出相变存储单元和电阻存储单元的高密度应用技术,并进行了实验论证。我们从存储单元的存储器和选通管两方面着手研究:在相变存储器方面,不依赖于光刻技术的基于介质击穿形成的3D相变存储器结构为实现相变存储器堆迭制造、并最终高密度应用提供可能,在电阻存储器方面,主要研究CuxO电阻存储器的特性及其机理,并提出相应的与铜互连后端工艺集成的解决方案;同时在选通管方面,主要是提出1TxDxR的复用选通技术,并分别利用相变材料和金属氧化物材料CuxO的p型半导体特性,构造异质结二极管,进一步作为选通管应用于存储单元中。上面所述的方案技术的最大共同点在于都可以在工艺上实现堆迭制造,从而使阻性存储器的高密度应用上,提供了工艺解决方案。本文共分5章。第l章为绪论,介绍不挥发存储技术背景及其选题动机。第2章为相变存储器及其电加工技术研究,具体介绍相变存储器机理及其现状、电介质的击穿理,并提出相变存储器的电加工技术方案,进行实验论证。第3章为基于CuxO的电阻存储器及其工艺集成方案,具体介绍了CuxO电阻存储器的制备方法、特性、及其机理模型,提出了在后端的铜互连结构中的集成实现方案。第4章为阻性存储器高密度存储应用的选通技术,提出了1TxDxR方案,并具体介绍了基于相变材料的异质结二极管和基于金属氧化物的异质结二极管的与1TxDxR方案的结合应用。第5章对全文进行总结论述,对阻性存储器的发展作展望。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
阻性存储器论文参考文献
[1].高萍.硅基阻性存储器特性及其渗流通道型开关机理研究[D].大连理工大学.2015
[2].唐立.基于阻性存储器高密度应用的工艺解决方案研究[D].复旦大学.2008
[3].Jim,Harrison.数据存储器容量突破了1Tbit/英寸~2热机存储工艺采用了阻性加热器和聚合剂[J].今日电子.2005