本文主要研究内容
作者刘松（2019）在《理解MOSFET时间相关及能量相关输出电容Coss(tr)和Coss(er)》一文中研究指出：本文论述了功率MOSFET数据表中静态输出电容Coss、时间相关输出电容Coss(tr)和能量相关输出电容Coss(er)的具体定义以及测量的方法,特别说明了在实际的不同应用中,采用不同的输出电容的原因。谐振变换器必须采用时间相关输出电容Coss(tr)来计算死区时间,硬开关变换器必须采用能量相关输出电容Coss(er)来计算开关损耗。
Abstract
ben wen lun shu le gong lv MOSFETshu ju biao zhong jing tai shu chu dian rong Coss、shi jian xiang guan shu chu dian rong Coss(tr)he neng liang xiang guan shu chu dian rong Coss(er)de ju ti ding yi yi ji ce liang de fang fa ,te bie shui ming le zai shi ji de bu tong ying yong zhong ,cai yong bu tong de shu chu dian rong de yuan yin 。xie zhen bian huan qi bi xu cai yong shi jian xiang guan shu chu dian rong Coss(tr)lai ji suan si ou shi jian ,ying kai guan bian huan qi bi xu cai yong neng liang xiang guan shu chu dian rong Coss(er)lai ji suan kai guan sun hao 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电子产品世界的刘松，发表于刊物电子产品世界2019年04期论文，是一篇关于输出电容论文,死区时间论文,开关损耗论文,超结论文,电子产品世界2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电子产品世界2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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