导读:本文包含了椭偏术论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:测量,氧化层,光谱椭偏,扫描机构
椭偏术论文文献综述
吴学健,张继涛,李岩,罗志勇,尉昊贇[1]（2011）在《基于光谱椭偏术的Si球表面氧化层厚度测量》一文中研究指出为改善X射线晶体密度法测得的阿伏伽德罗常数的标准不确定度,研制了一种基于光谱椭偏术和二维Si球扫描机构的Si球表面氧化层厚度自动扫描测量系统,用于测量直径约93.6 mm、质量约1 kg的单晶Si球表面氧化层平均厚度。用本文系统对标准Si球表面进行400点扫描测量实验,得到氧化层厚度分布,且测得其平均厚度为6.00(22)nm。测量结果可将由氧化层导致的阿伏伽德罗常数测量相对不确定度降低至2.5×10-8。(本文来源于《光电子.激光》期刊2011年09期）
张继涛[2]（2010）在《基于光谱椭偏术的硅球表面氧化层厚度测量系统》一文中研究指出阿伏加德罗常数(NA)是一个联系宏观物质和微观物质的基本物理常数,它的精确测量有助于重新定义国际基本单位“千克”和“摩尔”。X射线晶体密度法是目前测量NA的主要方法。在该方法中,为实现NA测量不确定度2×10-8的目标,单晶硅球表面自然氧化层平均厚度的测量准确度应达到0.1 nm。本文在对氧化层生长机理和物理模型分析的基础上,提出了基于光谱椭偏术的扫描测量方案,并研制出一套高精度硅球表面氧化层自动扫描测量系统。针对国产硅球抛光效果不佳的问题,提出了改进的硅球抛光工艺,将国产硅球S303的表面粗糙度(Ra)由15.30 nm降低至1.33 nm,得到一个适用于NA测量的实验用硅球。研究了光谱椭偏仪在硅球表面氧化层测量应用中的可行性和提高测量准确度的方法。通过理论分析指出球面面形将使椭偏仪产生偏振混迭效应,该效应会导致膜厚测量误差。提出了利用光阑滤波来消除偏振混迭效应的方案,使该效应导致的膜厚测量不确定度小于0.05 nm;此外,光谱椭偏术是一种间接测量方法,其膜厚测量结果依赖于光学模型,不具有可溯源性。针对该问题,提出了一种用X射线反射术标定光谱椭偏仪的新方法。该方法将光谱椭偏仪的测量准确度提高至亚纳米量级,并可将其测量结果溯源至X射线的波长。由于氧化层厚度在硅球表面分布不均,为得到其平均厚度,需要对硅球进行扫描测量。根据硅球的特点(如:整个球面均是光学面,尺寸大,质量大,不允许损伤等),研制出一套升降式扫描机构装置,该装置具有重复定位精度高、旋转精确等优点;另外,氧化层平均厚度的测量需要对硅球表面进行合理采样,提出了一种基于加权平均的等角度采样算法。该算法利用等面积投影理论,将氧化层平均厚度的测量分为等角度采样及加权平均两个步骤,避免了对扫描机构定位分辨率的苛刻要求,易于实现和扩展。在此基础上,研制出一套高精度硅球表面氧化层自动扫描测量系统。利用该系统对硅球S303表面进行了多组扫描测量实验,得到氧化层平均厚度为4.27(10) nm,将氧化层测量导致的NA相对测量不确定度降低至1×10-8,有助于NA测量准确度的提高。(本文来源于《清华大学》期刊2010-04-01）
陈赤,巩岩[3]（2008）在《性能最强的实时椭偏术多通道穆勒矩阵光谱术》一文中研究指出文章总结了利用双旋转补偿器结构的多通道椭偏术技术及其应用,作为性能最强大的实时,单点光学测量手段的光谱椭偏术,可在0.25秒内,宽光谱范围1.7～3.5eV一次测量全部16个穆勒矩阵元。椭偏仪各光学器位置可以用PC1r SC2r A表示,其中P,S,A分别代表起偏器,样品和检偏器,C_(1r)和C_(2r)表(本文来源于《第十二届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）》期刊2008-07-20）
陈赤[4]（2006）在《实时椭偏术及其在薄膜生长过程中的应用》一文中研究指出随着现代科学技术的发展,尤其是纳米技术日渐广泛的应用,薄膜生长机理,生长过程薄膜,薄膜表面及各层膜界面的性质,在生长过程中各层膜的性质与生长条件的关系已成为越来越重要的研究课题。实时在线椭偏术测量可以提供单层薄膜生长的信息便于了解薄膜生长过程中的性质的变化最终达到优化薄膜生长条件的目的。椭偏术是测量已知偏振态的光束与样品作用后偏振态的改变,常规的办法是测量复数反射比G=R_p/R_s=tgΨexpiΔ,由于能够及其准确测得p和s电场相对相位的变化,使(本文来源于《第十一届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）》期刊2006-08-20）
许波,陈良尧,王昱,张荣君,郑卫民[5]（1998）在《用椭偏术研究与接触介质有关的贵金属的介电函数》一文中研究指出为了研究接触介质对金属光学性质的影响，实验中使用具有不同折射率的梯形棱镜作为衬底，将金和银蒸发到棱镜底部，用椭偏术分别测量了薄膜在金属空气、金属衬底界面的介电函数．结果表明：无论在Ｄｒｕｄｅ区，还是在带间跃迁区，金属衬底界面处薄膜介电函数不仅与金属空气界面处的测量值不同，而且随衬底折射率改变而改变．在固体接触条件下获得的结果与其他作者在液体接触条件下获得的结果相一致，但尚难被现有机制所解释(本文来源于《物理学报》期刊1998年05期）
张胜涛,陶长元,李念兵,黄宗卿,徐楚绍[6]（1997）在《掠射椭偏术对K_4〔Fe(CN)_6〕/K_3〔Fe(CN)_6〕电极反应的研究》一文中研究指出提出掠射椭圆偏振测试技术的实验方案，应用该掠射式技术结合循环伏安法研究了在镀有Ｉｎ２Ｏ３玻璃片上进行的Ｋ４〔Ｆｅ（ＣＮ）６〕／Ｋ３〔Ｆｅ（ＣＮ）６〕电极反应．结果证明：掠射椭圆偏振术可在电化学反应过程中现场测定椭圆偏振参数及其变化规律，这些规律与所发生的表面电化学反应规律相对应，由此可以对电极体系进行研究；现场掠射椭圆偏振术还能用于分析表面扩散层的性质，弥补其它界面研究方法的缺陷．(本文来源于《电化学》期刊1997年03期）
孙兆奇,曹卓良,吴桂芳[7]（1997）在《用反射椭偏术测膜厚实验中存在的问题及解决办法(英文)》一文中研究指出薄膜科学与技术是当前高科技中的一个重要领域，用反射式椭偏仪测量薄膜厚度是一个重要的物理实验．然而，目前的实验内容只能确定膜厚在第一周期以内的值而不能确定膜厚的周期数，因而不能测得薄膜的实际厚度．本文讨论了这一问题并提供了一个简易可行的解决办法(本文来源于《安徽大学学报(自然科学版)》期刊1997年02期）
张胜涛,李念兵,黄宗卿[8]（1996）在《现场椭偏术研究钴离子注入对碱性镍电极的影响》一文中研究指出为了提高镍电极表面活性物质的利用率和深入认识镍电极的性能,应用光谱电化学研究方法——椭圆偏振光现场测试技术研究了碱性溶液中镍电极的性质.讨论了充电电流与放电电流以及钻离子注入对碱性镍电极性能的影响.实验结果表明:在表面层中注入钴离子后,可以改良在碱性镍电极表面形成活性物质层的均匀性,形成较厚的表面活性物质层,提高碱性镍电极表面氧化层的钝化性能,若对碱性镍电极施以较大的阳极极化电流,表面上注入的钴离子能够在充电过程中使更多的Ni(OH)_2转化到NiOOH,从而提高了碱性镍电极的容量.文中还介绍了椭圆偏振技术应用于现场电极反应研究的优越性.(本文来源于《电源技术》期刊1996年05期）
王阿明[9]（1988）在《用椭偏术测量兔眼角膜的折射率》一文中研究指出本文描述了椭偏术原理、椭偏仪结构。测量了兔眼角膜的折射率(本文来源于《徐州医学院学报》期刊1988年04期）
王润[10]（1987）在《用双入射角的反射型椭偏术自动测定单层膜厚度》一文中研究指出本文提出了应用双入射角的反射型椭偏术,可克服椭偏仪一般只能测定膜层厚度小于1周期值的缺点。该技术已成功地应用于微机控制自动消光法椭偏仪上,能自动测定厚膜的膜厚和折射率。经大规模集成电路生产中使用,效果良好,且能提高测量精度和简化操作。(本文来源于《上海机械学院学报》期刊1987年04期）
椭偏术论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
阿伏加德罗常数(NA)是一个联系宏观物质和微观物质的基本物理常数,它的精确测量有助于重新定义国际基本单位“千克”和“摩尔”。X射线晶体密度法是目前测量NA的主要方法。在该方法中,为实现NA测量不确定度2×10-8的目标,单晶硅球表面自然氧化层平均厚度的测量准确度应达到0.1 nm。本文在对氧化层生长机理和物理模型分析的基础上,提出了基于光谱椭偏术的扫描测量方案,并研制出一套高精度硅球表面氧化层自动扫描测量系统。针对国产硅球抛光效果不佳的问题,提出了改进的硅球抛光工艺,将国产硅球S303的表面粗糙度(Ra)由15.30 nm降低至1.33 nm,得到一个适用于NA测量的实验用硅球。研究了光谱椭偏仪在硅球表面氧化层测量应用中的可行性和提高测量准确度的方法。通过理论分析指出球面面形将使椭偏仪产生偏振混迭效应,该效应会导致膜厚测量误差。提出了利用光阑滤波来消除偏振混迭效应的方案,使该效应导致的膜厚测量不确定度小于0.05 nm;此外,光谱椭偏术是一种间接测量方法,其膜厚测量结果依赖于光学模型,不具有可溯源性。针对该问题,提出了一种用X射线反射术标定光谱椭偏仪的新方法。该方法将光谱椭偏仪的测量准确度提高至亚纳米量级,并可将其测量结果溯源至X射线的波长。由于氧化层厚度在硅球表面分布不均,为得到其平均厚度,需要对硅球进行扫描测量。根据硅球的特点(如:整个球面均是光学面,尺寸大,质量大,不允许损伤等),研制出一套升降式扫描机构装置,该装置具有重复定位精度高、旋转精确等优点;另外,氧化层平均厚度的测量需要对硅球表面进行合理采样,提出了一种基于加权平均的等角度采样算法。该算法利用等面积投影理论,将氧化层平均厚度的测量分为等角度采样及加权平均两个步骤,避免了对扫描机构定位分辨率的苛刻要求,易于实现和扩展。在此基础上,研制出一套高精度硅球表面氧化层自动扫描测量系统。利用该系统对硅球S303表面进行了多组扫描测量实验,得到氧化层平均厚度为4.27(10) nm,将氧化层测量导致的NA相对测量不确定度降低至1×10-8,有助于NA测量准确度的提高。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
椭偏术论文参考文献
[1].吴学健,张继涛,李岩,罗志勇,尉昊贇.基于光谱椭偏术的Si球表面氧化层厚度测量[J].光电子.激光.2011
[2].张继涛.基于光谱椭偏术的硅球表面氧化层厚度测量系统[D].清华大学.2010
[3].陈赤,巩岩.性能最强的实时椭偏术多通道穆勒矩阵光谱术[C].第十二届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）.2008
[4].陈赤.实时椭偏术及其在薄膜生长过程中的应用[C].第十一届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）.2006
[5].许波,陈良尧,王昱,张荣君,郑卫民.用椭偏术研究与接触介质有关的贵金属的介电函数[J].物理学报.1998
[6].张胜涛,陶长元,李念兵,黄宗卿,徐楚绍.掠射椭偏术对K_4〔Fe(CN)_6〕/K_3〔Fe(CN)_6〕电极反应的研究[J].电化学.1997
[7].孙兆奇,曹卓良,吴桂芳.用反射椭偏术测膜厚实验中存在的问题及解决办法(英文)[J].安徽大学学报(自然科学版).1997
[8].张胜涛,李念兵,黄宗卿.现场椭偏术研究钴离子注入对碱性镍电极的影响[J].电源技术.1996
[9].王阿明.用椭偏术测量兔眼角膜的折射率[J].徐州医学院学报.1988
[10].王润.用双入射角的反射型椭偏术自动测定单层膜厚度[J].上海机械学院学报.1987