导读:本文包含了空间粒子辐照论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:高能电子,半导体传感器,辐照,噪声
空间粒子辐照论文文献综述
孙莹,王风,张珅毅,荆涛,杨垂柏[1]（2016）在《应用于空间粒子探测的Si-PIN传感器电子辐照测试》一文中研究指出长期的高能电子辐照会对Si-PIN传感器探测性能造成影响,为了考核应用器件耐电子辐照能力,采用电子辐照源模拟空间电子环境对半导体传感器进行辐照试验.试验结果表明:传感器在接收7.64×10M辐照剂量情况下,传感器能量响应能力未发生改变,计数效率稍有下降;随着辐照剂量的增大,虽然传感器漏电流不断增大,但是噪声水平较平稳,传感器的性能不影响载荷工作指标.(本文来源于《空间科学学报》期刊2016年06期）
罗坤,陈光,李斌成[2]（2016）在《空间带电粒子辐照对1064nm激光薄膜的性能影响》一文中研究指出在空间环境中运行的激光系统必须遭受带电粒子的辐照,光学薄膜往往是激光系统中最薄弱的环节,其性能和稳定性易受带电粒子辐照的影响。我们采用离子束溅射法制备了1 064 nm单波段双面增透膜样品,测得1 064nm处透射率为99.964 5%,吸收为50 ppm,用低能质子和电子(40 Ke V)模拟空间带电粒子辐照样品,辐照通量为1.8×10~(13)个/cm~2,辐照引起样品1 064 nm处透射率下降362 ppm,吸收增加5 ppm;退火处理后,样品的光学性能恢复。结合SRIM程序模拟计算和分析,提出膜层内空位损伤是引起薄膜1 064 nm处光学性能退化的原因。(本文来源于《光电工程》期刊2016年02期）
盛延辉[3]（2015）在《空间带电粒子辐照下GaAs太阳电池的辐照损伤效应》一文中研究指出从空间带电粒子辐照下Ga As太阳电池电学性能退化规律、载流子输运规律和辐照缺陷演化规律叁个方面论述空间太阳电池的辐照损伤效应和物理机制,分析结果表明,太阳电池电学参数退化模型和载流子输运模型是揭示空间太阳电池辐照损伤物理机制的两个关键.由此,构建空间太阳电池辐照损伤机理的物理模型和理论体系.(本文来源于《哈尔滨师范大学自然科学学报》期刊2015年04期）
张宇民,柯瑞,韩杰才,周玉锋,尹中伟[4]（2013）在《蓝宝石单晶窗口材料空间粒子辐照效应研究》一文中研究指出蓝宝石单晶(α-Al2O3)窗口材料服役于空间环境中将不可避免地受到各种不同射线及离子流的辐照作用,影响其使用性能。本文研究了蓝宝石单晶经不同剂量质子流、电子流以及综合流辐照后其表面粗糙度、透过率以及面形精度等光学性能和结构的变化。实验表明空间粒子辐照使蓝宝石表面粗糙度增大且具有剂量效应,其中综合流对表面粗糙度影响最大,质子次之,电子影响最小;UV-Vis-VIR及FTIR测试实验表明空间粒子辐照使蓝宝石透过率下降,在紫外波段下降最明显,且在不同波段范围内不同辐照粒子种类对蓝宝石单晶透过率的影响程度也不同;粒子辐照对面形精度的影响不明显。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2013年07期）
孙永亮[5]（2013）在《GaAs/Ge太阳电池空间带电粒子辐照损伤机理研究》一文中研究指出目前太阳电池辐照损伤机理的研究主要从测试与理论两方面进行。测试方面主要是深能级瞬态谱测试，分析缺陷类型、浓度、俘获截面，但没有给出这些缺陷将以何种方式对电池产生影响。理论研究方面工作主要是建立电池模型，给出开路电压与短路电流的退化方程，但由于模型比较简化，忽略了很多影响电池电学性能的因素，仍需进一步研究。另外，程序模拟方面多为应用SRIM与CASINO程序对材料（并非器件）进行模拟，定性给出电池内部损伤程度。可见大多工作都不能够很好的揭示电池的内部损伤过程，没有具体给出导致电池电学性能退化相关参量的变化。针对以上研究现状本文对国产GaAs/Ge太阳电池进行了电子和质子地面等效模拟辐照试验，测试了光谱响应与I-V特性。应用PC1D程序分析了太阳电池的光谱响应曲线，确定了电池辐照前后的相关参数，再现了电池内部损伤过程，揭示了电池电学性能退化的机理。首先，通过PC1D程序对电池辐照前量子效率进行重现确定了辐照前电池的各项参数，包括，少子寿命为0.3μs，前表面复合率为5×104cm/s，后表面复合率为4×104cm/s等。其次， PC1D程序对1MeV电子辐照前后量子效率模拟结果表明，1MeV电子辐照对电池造成的损伤较均匀，同时给出了基区光生少子扩散长度变化过程，从辐照前的9μm到辐照注量为1×1015cm-2的0.94μm。基区多数载流子浓度由2×1017cm-3减少到7×1016cm-3。计算出基区少子扩散长度损伤系数KL为1.076×10-7，基区多子去除率RC为210.42cm-1。得出1MeV辐照后少数载流子扩散长度的缩短是影响短路电流退化的主要原因，多数载流子去除效应是影响开路电压的原因之一。再次， PC1D程序对高能质子辐照前后量子效率模拟结果表明，高能质子辐照损伤机理同1MeV电子辐照损伤机理相似，但损伤程度不同。4Mev与10MeV质子辐照后基区多数载流子去除率分别为2.1×104与1.6×104cm-1。扩散长度损伤系数分别为2.6×10-4与1.9×10-4。4MeV质子辐照损伤大于10MeV质子辐照损伤，因为质子辐照主要造成位移损伤，且能量越高损伤越小。1MeV电子辐照损伤比高能质子辐照损伤小，电子辐照主要是电离损伤。最后， PC1D程序对低能质子辐照前后量子效率模拟结果表明，40与170keV质子分别造成电池发射区和基区损伤，损伤机理与高能质子类似，40keV辐照后严重降低了发射区少子寿命，在辐照注量为5×10cm-2时少子寿命为3×10-6μs，相应的扩散长度远远小于发射区厚度，导致短路电流严重衰退，发射区多子去除率为RC=2.063×106cm-1，170keV质子辐照后电池基区多子去除率RC=3.29×106cm-1，扩散长度损伤系数为6.08×10-3。 PC1D程序对70keV与100keV质子辐照研究得出的电学特性与实验结果相差较大，主要因为70与100keV质子对电池结区损伤较大，增大漏电流所致，PC1D程序不能给出结区模型。(本文来源于《哈尔滨师范大学》期刊2013-06-01）
张宇民,柯瑞,韩杰才,周玉锋,尹中伟[6]（2012）在《蓝宝石单晶窗口材料空间粒子辐照效应研究》一文中研究指出研究蓝宝石单晶光学窗口由于空间粒子辐照作用而产生的性能变化规律,对于提高其工作性能、延长在轨服役寿命以及新型窗口的研制都具有十分重要的意义。本文研究了蓝宝石单晶窗口材料经不同剂量质子流、电子流以及综合流辐照后其光学性能和结构的变化,测试(本文来源于《第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-11蓝宝石及衬底材料》期刊2012-10-21）
胡建民[7]（2009）在《GaAs太阳电池空间粒子辐照效应及在轨性能退化预测方法》一文中研究指出本文通过空间带电粒子辐照地面等效模拟试验,研究了国产GaAs/Ge单结太阳电池和GaInP/GaAs/Ge叁结太阳电池的电学性能演化规律和辐照损伤机理。在此基础上,对GaAs/Ge单结太阳电池的在轨性能退化预测方法进行了简化和改进,并将其推广应用于GaInP/GaAs/Ge叁结太阳电池。针对地球同步轨道环境条件,预测了国产GaAs/Ge单结太阳电池和GaInP/GaAs/Ge叁结太阳电池的在轨服役行为。研究结果表明,不同能量质子辐照下,GaAs/Ge单结太阳电池的电学性能退化与电池发射区、基区和空间电荷区不同程度的损伤密切相关。70keV质子主要造成电池空间电荷区损伤,导致电池开路电压明显退化,40keV质子主要造成电池发射区损伤,导致电池短路电流显着降低。大于100keV质子辐照下,电池短路电流、开路电压和最大功率的退化幅度均随质子能量提高逐渐降低。电子辐照注量一定时,GaAs/Ge电池电学性能的退化幅度随电子能量增加而增大。1MeV电子和170keV质子的辐照次序对电池的辐照损伤效应没有影响。DLTS分析表明,<200keV质子辐照在GaAs/Ge电池中引入的辐照缺陷主要有Ec-0.31eV和Ec-0.47eV,且随质子能量的增加,缺陷浓度逐渐降低。在辐照损伤效应研究的基础上,针对GaAs/Ge太阳电池,建立了短路电流和开路电压退化的数学/物理模型。<200keV质子辐照下,GaInP/GaAs/Ge叁结电池的电学性能退化与质子能量密切相关。在一定的辐照注量下,170keV质子辐照造成电池开路电压、短路电流和最大功率的退化幅度最大;与之相比,40、100和130keV质子辐照引起电池电学性能退化幅度相对较小。4MeV和10MeV质子辐照下,电池的电学性能退化幅度随质子能量的增加逐渐减小。在一定的电子注量下,电池电学性能的退化幅度随电子能量提高而增大。采用光学深能级瞬态谱法分析了叁结GaInP/GaAs/Ge太阳电池的深能级缺陷。研究结果表明,<200keV质子辐照在GaInP子电池中引入的深能级缺陷主要有Ec-0.26eV、Ev+0.18eV和Ev+0.42eV;在GaAs子电池中产生的深能级缺陷主要有Ec-0.015eV、Ec-0.15eV和Ev+0.33eV。从试验和理论分析两方面,研究了<200keV质子通量对GaAs/Ge太阳电池辐照损伤效应的影响。结果表明,质子通量在6×109~1.2×1011cm-2s-1范围内,对GaAs/Ge太阳电池的辐照损伤效应没有影响,为进行空间带电粒子辐照地面等效模拟加速试验提供了依据。针对国产GaAs/Ge和GaInP/GaAs/Ge太阳电池,建立了不同能量电子和质子辐照下太阳电池电学性能退化曲线与动力学方程。在此基础上,确定了国产太阳电池不同能量粒子注量转换的相对损伤系数。通过Monte-Carlo方法计算了透过太阳电池防护盖片的空间带电粒子能谱及轨道等效注量,简化了等效注量法的计算过程。在低能质子辐照损伤效应研究的基础上,针对国产GaAs/Ge单结太阳电池,确定了<70keV质子和>70keV质子辐照位移损伤剂量转化的相对等效系数,对NRL的位移损伤剂量法进行了改进。将改进的位移损伤剂量法推广应用于GaInP/GaAs/Ge叁结太阳电池。采用改进的等效注量法和位移损伤剂量法,预测了表面加装120μm防护盖片的国产GaAs/Ge太阳电池和GaInP/GaAs/Ge太阳电池在地球同步轨道的电学性能退化。两种评价方法的预测结果一致,说明改进后的评价方法具有实际应用的可行性。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2009-06-01）
魏强,刘海,何世禹,杨德庄[8]（2005）在《空间带电粒子辐照效应的地面加速试验研究》一文中研究指出空间带电粒子辐照下空间材料的损伤与失效是空间材料学研究的重要组成内容,地面模拟加速试验是研究材料辐照损伤效应的重要方法和技术途径。文章阐述了地面辐照加速试验的方法及相关概念,以光学石英玻璃为例验证辐照加速试验与模拟等效区间的概念,为当前研究材料在空间带电粒子辐照环境条件下的行为与航天器设计、选材提供科学依据。(本文来源于《航天返回与遥感》期刊2005年02期）
王燕萍,唐本奇,李国政,贺朝会,陈晓华[9]（2002）在《~(252)Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统和应用》一文中研究指出描述了新建的2 52 Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统 ,给出利用该系统进行的MOS功率器件和SRAM器件单粒子效应实验及结果(本文来源于《核技术》期刊2002年04期）
空间粒子辐照论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在空间环境中运行的激光系统必须遭受带电粒子的辐照,光学薄膜往往是激光系统中最薄弱的环节,其性能和稳定性易受带电粒子辐照的影响。我们采用离子束溅射法制备了1 064 nm单波段双面增透膜样品,测得1 064nm处透射率为99.964 5%,吸收为50 ppm,用低能质子和电子(40 Ke V)模拟空间带电粒子辐照样品,辐照通量为1.8×10~(13)个/cm~2,辐照引起样品1 064 nm处透射率下降362 ppm,吸收增加5 ppm;退火处理后,样品的光学性能恢复。结合SRIM程序模拟计算和分析,提出膜层内空位损伤是引起薄膜1 064 nm处光学性能退化的原因。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
空间粒子辐照论文参考文献
[1].孙莹,王风,张珅毅,荆涛,杨垂柏.应用于空间粒子探测的Si-PIN传感器电子辐照测试[J].空间科学学报.2016
[2].罗坤,陈光,李斌成.空间带电粒子辐照对1064nm激光薄膜的性能影响[J].光电工程.2016
[3].盛延辉.空间带电粒子辐照下GaAs太阳电池的辐照损伤效应[J].哈尔滨师范大学自然科学学报.2015
[4].张宇民,柯瑞,韩杰才,周玉锋,尹中伟.蓝宝石单晶窗口材料空间粒子辐照效应研究[J].人工晶体学报.2013
[5].孙永亮.GaAs/Ge太阳电池空间带电粒子辐照损伤机理研究[D].哈尔滨师范大学.2013
[6].张宇民,柯瑞,韩杰才,周玉锋,尹中伟.蓝宝石单晶窗口材料空间粒子辐照效应研究[C].第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-11蓝宝石及衬底材料.2012
[7].胡建民.GaAs太阳电池空间粒子辐照效应及在轨性能退化预测方法[D].哈尔滨工业大学.2009
[8].魏强,刘海,何世禹,杨德庄.空间带电粒子辐照效应的地面加速试验研究[J].航天返回与遥感.2005
[9].王燕萍,唐本奇,李国政,贺朝会,陈晓华.~(252)Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统和应用[J].核技术.2002