导读:本文包含了共晶焊接论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:功率芯片,AuSn20焊料,共晶焊接
共晶焊接论文文献综述
任卫朋,刘凯,罗燕,陈靖,余之光[1]（2019）在《GaAs功率芯片AuSn20共晶焊接技术研究》一文中研究指出针对GaAs功率芯片共晶焊接工艺中,因焊接空洞、虚焊致使芯片烧毁的问题,对AuSn20共晶焊接技术进行研究。通过自动共晶设备,对共晶温度曲线参数进行实验分析。结果表明,共晶温度曲线设置260℃、320℃的温度梯度可以保证焊料的充分融化、浸润,共晶熔融时间控制在15-30s可以形成适量的IMC层。对优化后的共晶焊接面进行热阻分析,在满负荷条件下,功率芯片最高节温为93℃,满足小于125℃的要求,说明共晶质量良好。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2019年25期）
余定展,黄海燕,张夏一,赵五洲,刘祖冲[2]（2019）在《一种混合集成电路共晶焊接用石墨夹具的设计》一文中研究指出在某贯军标混合集成电路产品研制过程中,陶瓷基片共晶焊接的焊透率直接影响产品的噪声系数、增益等重要特性指标。文中设计了多组均匀分布、独立配重的倒扣式一体化石墨组件,可实现共晶焊接载体限位。倒置时多组重针悬空,不施压;正置时多组重针自动下垂,对基片等均匀配重施压,最终完成一致性共晶焊接。采用该设计方法研制的石墨夹具能有效解决基片等偏移和空洞率高的问题,保证了电路单元的接地性能,突破了该贯军标混合集成电路产品的批量研制技术瓶颈,提高了批量成品的质量一致性水平。焊透率检测及重要指标测试结果验证了该方法的可行性和有效性。(本文来源于《电子机械工程》期刊2019年04期）
陈帅,赵志平,张飞,黄建国,赵文忠[3]（2018）在《微波芯片共晶焊接技术研究》一文中研究指出利用共晶炉,采用Au80Sn20共晶焊片对GaAs微波芯片与MoCu载体进行了共晶焊接。利用推拉力测试仪、X射线衍射仪对焊接样品的焊接强度和孔洞率进行了测试。采用正交试验法分析了焊料尺寸、焊接压力及温度曲线等工艺参数对共晶焊接的影响。研究发现:各因素影响主次顺序为焊接压力、焊接曲线、焊片大小;当焊料尺寸为70%,焊接压力为0.001N/mm2,选用优化的温度曲线时,共晶焊接效果最优,孔洞率小于1%,剪切强度大于50N,满足GJB548B的要求。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2018年03期）
郝成丽,王曦,查家宏,邵明坤[4]（2017）在《功率芯片高焊透率二次共晶焊接工艺技术研究》一文中研究指出介绍了功率芯片二次共晶工艺中焊料选型对共晶工艺的影响。通过对共晶后的试验件进行焊透率、剪切强度测试,试验结果发现使用In-15Pb-5Ag焊料和Sn-37Pb焊料进行二次共晶后的样品,其焊透率全部达到了90%以上,且剪切力均符合GJB548B"方法2019.2芯片剪切强度"中的相关要求。(本文来源于《航天制造技术》期刊2017年06期）
吴娜,胡永芳,严伟,李孝轩[5]（2016）在《微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微观组织结构研究》一文中研究指出文中采用Au80Sn20共晶焊料对Ga As功率芯片与Mo Cu基板进行焊接,分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响,给出了Ga As芯片共晶焊的工艺参数控制要求,通过扫描电镜及能谱仪分析接头的显微组织、元素分布,通过X射线检测仪测定接头的孔洞率,研究Ga As芯片背面和Mo Cu基板表面的镀层与焊料之间的相互作用以及焊缝的凝固过程。Ga As芯片背面的Au层部分溶解在Au Sn焊料中,Mo Cu基板表面的Au层完全溶解在Au Sn焊料中,焊缝与Ni层结合,焊缝由靠近两侧母材的ζ-Au5Sn金属间化合物层和中间的Au-Sn共晶组织组成。(本文来源于《电子机械工程》期刊2016年04期）
王成君,王宏杰,郭华锋,王永卿[6]（2016）在《真空共晶焊接设备温度场设计及仿真优化》一文中研究指出共晶焊接设备的温度均匀性直接决定焊接电子元器件的质量,因此设备的温度场设计成为共晶焊接设备的关键。本文首先设计了由加热元件(红外灯管)、热板、反射板和隔热板组成的加热组件;其次应用试验测试和有限元仿真相结合的方法,分别讨论了两组加热元件的排布方式对于热场温度均匀性的影响;最后采用真空共晶焊接设备验证了温度场设计的可行性。实验结果表明,采用加热元件变间距排布的方式,其温度场的均匀性能达到±5℃的要求,焊接电子元件的平均孔洞率和剪切强度分别达到了1.78%和9.8kg,符合了GJB 548B-2005对于电子元器件焊接质量的要求。(本文来源于《真空》期刊2016年04期）
庞天生,陈小勇[7]（2016）在《真空共晶焊接工艺参数对焊点空洞率的影响》一文中研究指出为了降低大功率芯片的焊点空洞率,改善大功率芯片的散热效果,运用ANSYS软件建立了砷化镓芯片与热沉的焊接叁维有限元仿真模型。通过单因素试验设置镀金层厚度、降温速率和升温速率进行仿真,分析工艺参数对焊点空洞率的影响规律,得到最小的焊点空洞率工艺参数组合。仿真结果表明,对真空共晶焊焊点空洞影响最显着的是降温速率,其次是镀金层厚度,升温速率无影响,真空共晶焊焊点空洞率最小的工艺参数组合为镀金层厚度8μm、降温速率1.5℃/s、升温速率0.7~1.1℃/s。(本文来源于《桂林电子科技大学学报》期刊2016年03期）
李良海,仝良玉,葛秋玲[8]（2015）在《AuSn共晶焊接层空洞对陶瓷封装热阻的影响》一文中研究指出共晶焊接装片以其稳定可靠的性能在微电子封装领域得到了越来越广泛的应用。在焊接过程中,由于界面氧化、沾污等原因产生的焊接层空洞对芯片的散热有较大的影响。研究了影响空洞率大小的因素,并采用有限元方法仿真分析了不同空洞对热阻的影响。根据仿真结果可以看出:空洞率在小于10%时,结壳热阻随着空洞率的增大没有显着的变化;当空洞率大于10%时,结壳热阻随着空洞率的增大而线性增加;当空洞率相同时,连续空洞的热阻几乎是分散空洞的热阻的两倍。实验结果表明利用等离子清洗机对焊接界面清洗能有效地降低焊接空洞率,芯片表面要有适当的压力来控制空洞率和焊接层厚度。(本文来源于《电子与封装》期刊2015年04期）
文尚胜,陈建龙,陈颖聪,吴玉香[9]（2014）在《基于共晶焊接工艺和板上封装技术的大功率LED热特性分析》一文中研究指出采用ANSYS有限元热分析软件,模拟了基于共晶焊接工艺和板上封装技术的大功率LED器件,并对比分析了COB封装器件与传统分立器件、共晶焊工艺与固晶胶粘接工艺的散热性能。结果表明:采用COB封装结构和共晶焊接工艺能获得更低热阻的LED灯具;芯片温度随芯片间距的减小而增大;固晶层厚度增大,芯片温度增大,而最大热应力减小。同时采用COB封装方式和共晶焊接工艺,并优化芯片间距和固晶层厚度,能有效改善大功率LED的热特性。(本文来源于《半导体光电》期刊2014年04期）
王新中,刘文,鲍锋辉,邹仕渊[10]（2014）在《浅谈共晶焊接在LED封装中的应用》一文中研究指出本文概述了叁种不同的固晶方法,对银胶固晶及共晶的芯片进行热阻测量及大电流老化试验,明确了LED共晶方式可以有效降低器件热阻,从而提高封装器件的可靠性。另外,对两种不同共晶方式的成本和工艺问题进行了简要的阐述。(本文来源于《中国科技信息》期刊2014年08期）
共晶焊接论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在某贯军标混合集成电路产品研制过程中,陶瓷基片共晶焊接的焊透率直接影响产品的噪声系数、增益等重要特性指标。文中设计了多组均匀分布、独立配重的倒扣式一体化石墨组件,可实现共晶焊接载体限位。倒置时多组重针悬空,不施压;正置时多组重针自动下垂,对基片等均匀配重施压,最终完成一致性共晶焊接。采用该设计方法研制的石墨夹具能有效解决基片等偏移和空洞率高的问题,保证了电路单元的接地性能,突破了该贯军标混合集成电路产品的批量研制技术瓶颈,提高了批量成品的质量一致性水平。焊透率检测及重要指标测试结果验证了该方法的可行性和有效性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
共晶焊接论文参考文献
[1].任卫朋,刘凯,罗燕,陈靖,余之光.GaAs功率芯片AuSn20共晶焊接技术研究[J].科技创新与应用.2019
[2].余定展,黄海燕,张夏一,赵五洲,刘祖冲.一种混合集成电路共晶焊接用石墨夹具的设计[J].电子机械工程.2019
[3].陈帅,赵志平,张飞,黄建国,赵文忠.微波芯片共晶焊接技术研究[J].电子工艺技术.2018
[4].郝成丽,王曦,查家宏,邵明坤.功率芯片高焊透率二次共晶焊接工艺技术研究[J].航天制造技术.2017
[5].吴娜,胡永芳,严伟,李孝轩.微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微观组织结构研究[J].电子机械工程.2016
[6].王成君,王宏杰,郭华锋,王永卿.真空共晶焊接设备温度场设计及仿真优化[J].真空.2016
[7].庞天生,陈小勇.真空共晶焊接工艺参数对焊点空洞率的影响[J].桂林电子科技大学学报.2016
[8].李良海,仝良玉,葛秋玲.AuSn共晶焊接层空洞对陶瓷封装热阻的影响[J].电子与封装.2015
[9].文尚胜,陈建龙,陈颖聪,吴玉香.基于共晶焊接工艺和板上封装技术的大功率LED热特性分析[J].半导体光电.2014
[10].王新中,刘文,鲍锋辉,邹仕渊.浅谈共晶焊接在LED封装中的应用[J].中国科技信息.2014