碳氧含量论文-姚炯彬,刘一波

碳氧含量论文-姚炯彬,刘一波

导读:本文包含了碳氧含量论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:预合金粉末,脱蜡工艺,制粒

碳氧含量论文文献综述

姚炯彬,刘一波[1](2018)在《脱蜡工艺对超细预合金胎体中碳氧含量的影响》一文中研究指出为提高超细预合金粉末的流动性、冷压性能,需加入制粒剂对超细预合金粉末进行制粒,再通过还原脱蜡工艺和随炉保温脱蜡工艺2种脱蜡方法去除。结果表明:超细预合金粉末制粒后无论采用还原脱蜡工艺还是随炉保温脱蜡工艺脱蜡,烧结后的胎体都会有制粒剂残留从而使碳含量增加;还原脱蜡工艺处理的胎体中碳、氧质量分数最低,分别为0.048%和0.22%,但随炉保温脱蜡工艺通过延长保温时间,胎体中碳含量也可以达到还原脱蜡工艺的水平。在随炉保温脱蜡工艺下,试样氧含量不随保温时间增加而降低,只与烧结条件有关,高温烧结时石墨模具内产生还原性气氛使试样氧含量降低。2种脱蜡方法对超细FeCoCu预合金粉末胎体的抗弯强度和洛氏硬度影响不大。(本文来源于《金刚石与磨料磨具工程》期刊2018年04期)

路小彬[2](2015)在《多重透射反射红外光谱(MTR-IR)测量晶硅薄片碳氧含量和晶硅表面高分子刷图案化》一文中研究指出在CZ直拉法生产硅片的过程中,由于使用了石英(Si02)坩埚和石墨(C)加热部件,所以在熔硅过程中会不同程度地引入氧碳杂质。氧以间隙原子的形式存在于硅晶格中,故称间隙氧(InterstitialOxygen,Oi)。碳在硅晶体中取代硅原子的位置,称为代位碳(Substitutional Carbon,Cs)。间隙氧和代位碳是直拉(CZ)硅中氧碳的最主要存在形式,其含量的高低不仅影响硅材料的本征吸收,而且对材料的物理和导电特性产生影响。氧的不利之处是产生微缺陷,有利之处是对位错的延伸产生钉扎作用,增强硅片强度,其本征吸杂技术可防止生产工艺中缺陷的产生。高碳含量影响氧的成核和沉淀,还会导致器件软化特性和二次击穿。因此,硅中氧碳含量的控制成为改善材料性能的一种手段,然而,要控制氧碳含量首先必须测量准确。利用双嵌段共聚物聚苯乙烯-聚乙烯吡啶(polystyrene-block-poly-(4-vinyl pyridine),PS-b-P4VP;polystyrene-block-poly-(2-vinyl pyridine),PS-b-P2VP)在不同处理条件时发生相分离,产生一定规则图案的特性,把双嵌段共聚物制作成不同形貌的模版,如点状、直线条状、规则指纹状等。然后利用这些模版,通过氢氟酸(Hydroflouricacid,HF)腐蚀、氧等离子刻蚀、反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching,RIE)等技术在硅片表面制作出各种由Si-Hx端和SiOx交替间隔组成的图案,然后再在这些图案基础上接种各种高分子刷,从而实现各种不同的功能,如集成电路、生物芯片、微型化学反应器等。本文中,一、我们利用多重透射-反射红外光谱(Multiple Transmission-Re flection Infrared Spectroscopy,MTR-IR)法对太阳能电池用单晶硅片、薄单晶硅片、多晶硅片中代位碳和间隙氧含量进行了红外定量分析和相关理论探讨。二、利用光刻技术和嵌段共聚物刻蚀技术在硅表面组装聚甲基丙烯酸(Polymethacrylic Ac-id,PMAA)、甲基丙烯酸羟乙酯(2-HydroxyethylMethacrylate,HEMA)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)、聚N-异丙基丙烯酰胺(N-Iso Propyl acrylamide,PNIPAM)聚合物刷,使之成较规则图案化分布。论文的主要研究内容与结果如下:1、MTR-IR法和IR法测量太阳能电池硅片中间隙氧与代位碳含量的比较研究。我们最近开发了一种多重透射-反射傅立叶变换红外光谱法(MIR-IR)用于测量太阳能电池硅片中间隙氧(Oi)和代位碳(Cs)含量,并和传统的IR(Infrared)法进行了比较,结果发现在1107 cm-1附近的氧吸收峰可以实现信号放大9~10倍,在605 cm-1处碳吸收峰可以实现信号放大7~8倍,从而可以将原有检测限降低一个数量级,提高检出的灵敏度。多次重复测量的结果证实了 MTR-IR法的准确性与重现性。另外,相比较于垂直入射和布儒斯特角单次透射,MTR法可以极大程度地减少薄硅片(厚度≤ 0.3 mm)内部多重反射透射引起的干涉条纹的振幅。并对干涉条纹减少的机理进行了探讨。一是积分球作用(相消干涉)即反射光和透射光的波峰与波谷分别加和抵消;二是布儒斯特角时p偏振光没有反射(硅片内部不产生反射),全部透过,从而减少干涉条纹。并利用p偏振光计算公式对0.1mm、0.2 mm薄硅片中的代位碳、间隙氧含量进行了计算。对s偏振光和p偏振光的薄硅片红外图谱进行了模拟,并解释了 p偏振吸收峰总是比s偏振吸收峰高的原因。对多晶硅中碳氧含量分布情况进行了分析,对1.0 mm多晶硅中间隙氧和代位碳含量进行了测量,并和IR法进行了比较,无论从准确性还是从重现性均优于IR法。2、嵌段共聚物PS-b-P4VP为模版制备高分子刷点阵纳米图案。两亲性嵌段共聚物PS-b-P4VP在甲苯溶液里自组装成胶束,旋涂在硅片上形成PS作基质背景、P4VP形成突出于PS基质背景的50~80nm的圆点,用稀HF溶液腐蚀得到了孔径分布在50~80 nm之间较均匀的圆形纳米坑,腐蚀的机理是因P4VP胶束亲水、而且HF能使P4VP中的吡啶环质子化,故蚀刻选择性地发生在P4VP胶束的下方。先用稀HF溶液腐蚀平面硅得到表面悬挂的Si-Hx键,再通过硅氢化反应共价偶联上末端带叔烷基溴引发基团的单分子膜,末端叔烷基溴能引发表面原子转移自由基聚合反应(Surface-Induced Atom Transfer Rad icalPolymerization,SI-ATRP),使用单体甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)、甲基丙烯酸钠(NaMA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、N-异丙基丙烯酰胺(NIPAM)在硅表面经 SI-ATRP 组装了多种聚合物刷 Si-g-Poly(HEMA/PMAA/PMMA/PNIPAM),得到了凸出表面的点阵状图案。整个过程用多次透射反射红外光谱(MTR-IR),原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)进行检测,证实了在硅表面聚合物刷图案阵列的形成过程。3、嵌段共聚物PS-b-P2VP为模版制备高分子刷线状或指纹状纳米图案。两亲性嵌段共聚物PS-b-P2VP在甲苯溶液里自组装成胶束,旋涂在硅片上形成PS作基质背景、P2VP形成突出于PS基质背景的20~30 nm的圆点。然后在10:1 THF/H2O溶剂蒸汽密闭环境中室温下放置30~40 h,形成PS-b-P2VP直线条或指纹状图案,然后在Na2PtCl4/HCl溶液中浸泡3~24 h,带正电荷的[P2VP]+和带负电荷的[PtCl4]2-静电吸引结合在一起,用O2等离子体处理除去PS-b-P2VP,同时使Na2PtCl4生成Pt线条。用1:1:4 HF/H2O2/EtOH的阳极辅助溶液腐蚀得到了间距在50~80nm之间,带宽30~50 nm的线状或指纹状条纹,腐蚀的机理是Pt所处位点的原电池反应机理,最后在线状条纹的纳米坑处组装PMAA,得到线条状或指纹状的PMAA图案。图案的形貌用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行观测。(本文来源于《南京大学》期刊2015-04-10)

李强,杨晓峰,乐国敏,范辉[3](2015)在《碳氧含量及其反应对93W-4.6Ni-1.9Fe-0.5Co合金力学性能与组织的影响(英文)》一文中研究指出采用具有不同碳氧含量的初始粉末,利用真空液相烧结制备93W-4.6Ni-1.9Fe-0.5Co合金试样,研究碳氧含量的变化及其平衡反应对合金力学性能与组织的影响。结果表明,压坯在真空高温烧结过程中,原料自身含有的碳具有较强的脱氧能力,通过碳氧反应可减少合金中的氧、碳含量,阻止氧化物、碳化物夹杂的生成,在钨颗粒与粘接相之间形成牢固的界面。当合金总氧含量低于500μg/g时,合金的力学性能显着提高。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2015年02期)

李强,王伟,杨晓峰,范辉[4](2014)在《碳氧含量对93W-5Ni-2Fe钨合金冲击性能的影响》一文中研究指出采用真空液相烧结制备了不同碳氧杂质含量的93W-5Ni-2Fe合金试样,研究了碳氧杂质含量对合金冲击性能的影响。结果表明,压坯在真空高温烧结过程中,原料中自身含有的碳具有较强的脱氧能力,通过碳氧平衡反应可减少合金中碳氧含量。碳氧杂质含量较高时,合金中存在较大尺寸的碳氧非金属夹杂物,合金的冲击性能较差。降低碳氧杂质含量可减小或避免碳氧夹杂物的生成,有利于提高钨合金的冲击性能。(本文来源于《金属热处理》期刊2014年07期)

张东[5](2011)在《直拉单晶炉中碳氧含量的研究》一文中研究指出晶体硅中的杂质会显着的影响各种硅基器件的性能,本文分析了直拉单晶炉中碳、氧杂质的引入机制,研究了减少碳、氧杂质的措施,并且做了相应的分析。(本文来源于《科技信息》期刊2011年30期)

邹洪伟,叶金文,刘颖,夏珊,李平平[6](2010)在《原料粉末碳、氧含量对无粘结相硬质合金性能的影响》一文中研究指出采用放电等离子(spark plasma sintering,简称SPS)烧结制备出了无粘结相硬质合金材料,并结合XRD、SEM、金相显微镜等分析测试手段,研究了原料粉末中碳、氧含量对无粘结相硬质合金的微观组织和性能的影响。结果表明,原料粉末中游离碳含量过高会造成烧结体晶粒的显着长大,氧含量较高会降低烧结体的致密度,从而导致烧结体的性能变差;采用纯度较高的原始粉末时,维氏硬度达到2566kg.f/mm2,断裂韧性为6.2MPa/m1/2。另外,在500℃对原料粉末进行氢气预处理可以明显降低氧含量,在1700℃下可制备出相对密度达98.8%,维氏硬度为2731kg.f/mm2,断裂韧性为6.16MPa/m1/2的无粘结相硬质合金材料。(本文来源于《功能材料》期刊2010年01期)

邹洪伟,叶金文,刘颖,夏珊,李平平[7](2009)在《原料中的碳、氧含量对无粘结相硬质合金性能的影响》一文中研究指出本文采用放电等离子(Spark Plasma Sintering,简称SPS)烧结制备出了无粘结相硬质合金材料,并结合XRD、SEM、金相显微镜等分析测试手段,研究了原料粉末中碳、氧含量对无粘结相硬质合金的微观组织和性能的影响。结果表明:原料粉末中游离碳含量过高会造成烧结体晶粒的显着长大,氧含量较高会降低烧结体的致密度,从而导致烧结体的性能变差;采用纯度较高的原始粉末时,维氏硬度达到2566 Kgf/mm~2,断裂韧性为6.2 MPa/m~(1/2)。另外,在500℃对原料粉末进行氢气预处理可以明显降低氧含量,在1700℃下可制备出相对密度达98.8%,维氏硬度为2731Kgf/mm~2,断裂韧性为6.16MPa/m~(1/2)的无粘结相硬质合金材料。(本文来源于《2009(重庆)中西部第二届有色金属工业发展论坛论文集》期刊2009-11-09)

于少飞,钱百年,国旭明[8](2005)在《ULCB熔敷金属组织与碳、氧含量对力学性能的影响》一文中研究指出不同保护气氛下焊接得到的超低碳贝氏体(ULCB)熔敷金属的组织由贝氏体板条和少量针状铁索体组成,贝氏体主要在原始奥氏体晶界及先形成的贝氏体条侧面形核,形成相互交叉的分布形态.Ar+1.5%02保护熔敷金属性能最好;Ar+4%CO_2保护时由于焊缝增碳,组织中生成了碳化物,熔敷金属强度升高,韧性降低;Ar+4%O_2保护时由于组织中生成大量氧化物夹杂,韧性急剧降低.(本文来源于《金属学报》期刊2005年10期)

郭世柏,曲选辉,何新波,段柏华[9](2003)在《钛合金注射成形脱脂过程中的碳、氧含量控制》一文中研究指出采用金属注射成形方法制备了Ti-6Al-4V合金坯体,研究了不同热脱脂气氛(真空和氮气)、脱脂速率、脱脂温度以及此温度时保温时间对钛合金脱脂坯及合金碳、氧含量的影响。实验结果表明:真空脱脂坯中碳含量稍高于氮气气氛,但氧含量较低;真空热脱脂速率增加,脱脂坯中碳含量变化很小,但氧含量明显降低;真空脱脂温度超过550℃,碳含量维持在0.1wt%,但氧含量增加;600℃下真空脱脂,保温时间超过1h,坯体中碳含量几乎无变化,但氧含量增加。脱脂坯的最大尺寸偏差为0.1mm,最小尺寸偏差为0.04mm,从而脱脂坯的尺寸精度较高。(本文来源于《中国科协第二届优秀博士生学术年会材料科学技术分会论文集》期刊2003-06-30)

刘自强,王廷魁,梁永信,宋黎明,王德洪[10](1989)在《腐朽材和健全材的碳氧含量及结晶度变化研究》一文中研究指出本文分别对红松、白桦和黄波罗叁个树种的腐朽材和健全材,用电子能谱仪和X射线衍射仪,测定了样品的氧碳含量和结晶度的变化,实验结果表明,腐朽材的相对氧含量上升,而结晶度下降。随腐朽程度的不同,碳氧含量的比例不断变化,在腐朽极为严重的情况下,氧的含量可能高于碳的含量。说明腐朽的主要机制是氧化过程,及结晶区破坏和结晶度下降。本文是木材腐朽检测的基础研究之一,为木材腐朽检测的研究提供基础数据和理论依据。(本文来源于《东北林业大学学报》期刊1989年01期)

碳氧含量论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

在CZ直拉法生产硅片的过程中,由于使用了石英(Si02)坩埚和石墨(C)加热部件,所以在熔硅过程中会不同程度地引入氧碳杂质。氧以间隙原子的形式存在于硅晶格中,故称间隙氧(InterstitialOxygen,Oi)。碳在硅晶体中取代硅原子的位置,称为代位碳(Substitutional Carbon,Cs)。间隙氧和代位碳是直拉(CZ)硅中氧碳的最主要存在形式,其含量的高低不仅影响硅材料的本征吸收,而且对材料的物理和导电特性产生影响。氧的不利之处是产生微缺陷,有利之处是对位错的延伸产生钉扎作用,增强硅片强度,其本征吸杂技术可防止生产工艺中缺陷的产生。高碳含量影响氧的成核和沉淀,还会导致器件软化特性和二次击穿。因此,硅中氧碳含量的控制成为改善材料性能的一种手段,然而,要控制氧碳含量首先必须测量准确。利用双嵌段共聚物聚苯乙烯-聚乙烯吡啶(polystyrene-block-poly-(4-vinyl pyridine),PS-b-P4VP;polystyrene-block-poly-(2-vinyl pyridine),PS-b-P2VP)在不同处理条件时发生相分离,产生一定规则图案的特性,把双嵌段共聚物制作成不同形貌的模版,如点状、直线条状、规则指纹状等。然后利用这些模版,通过氢氟酸(Hydroflouricacid,HF)腐蚀、氧等离子刻蚀、反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching,RIE)等技术在硅片表面制作出各种由Si-Hx端和SiOx交替间隔组成的图案,然后再在这些图案基础上接种各种高分子刷,从而实现各种不同的功能,如集成电路、生物芯片、微型化学反应器等。本文中,一、我们利用多重透射-反射红外光谱(Multiple Transmission-Re flection Infrared Spectroscopy,MTR-IR)法对太阳能电池用单晶硅片、薄单晶硅片、多晶硅片中代位碳和间隙氧含量进行了红外定量分析和相关理论探讨。二、利用光刻技术和嵌段共聚物刻蚀技术在硅表面组装聚甲基丙烯酸(Polymethacrylic Ac-id,PMAA)、甲基丙烯酸羟乙酯(2-HydroxyethylMethacrylate,HEMA)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)、聚N-异丙基丙烯酰胺(N-Iso Propyl acrylamide,PNIPAM)聚合物刷,使之成较规则图案化分布。论文的主要研究内容与结果如下:1、MTR-IR法和IR法测量太阳能电池硅片中间隙氧与代位碳含量的比较研究。我们最近开发了一种多重透射-反射傅立叶变换红外光谱法(MIR-IR)用于测量太阳能电池硅片中间隙氧(Oi)和代位碳(Cs)含量,并和传统的IR(Infrared)法进行了比较,结果发现在1107 cm-1附近的氧吸收峰可以实现信号放大9~10倍,在605 cm-1处碳吸收峰可以实现信号放大7~8倍,从而可以将原有检测限降低一个数量级,提高检出的灵敏度。多次重复测量的结果证实了 MTR-IR法的准确性与重现性。另外,相比较于垂直入射和布儒斯特角单次透射,MTR法可以极大程度地减少薄硅片(厚度≤ 0.3 mm)内部多重反射透射引起的干涉条纹的振幅。并对干涉条纹减少的机理进行了探讨。一是积分球作用(相消干涉)即反射光和透射光的波峰与波谷分别加和抵消;二是布儒斯特角时p偏振光没有反射(硅片内部不产生反射),全部透过,从而减少干涉条纹。并利用p偏振光计算公式对0.1mm、0.2 mm薄硅片中的代位碳、间隙氧含量进行了计算。对s偏振光和p偏振光的薄硅片红外图谱进行了模拟,并解释了 p偏振吸收峰总是比s偏振吸收峰高的原因。对多晶硅中碳氧含量分布情况进行了分析,对1.0 mm多晶硅中间隙氧和代位碳含量进行了测量,并和IR法进行了比较,无论从准确性还是从重现性均优于IR法。2、嵌段共聚物PS-b-P4VP为模版制备高分子刷点阵纳米图案。两亲性嵌段共聚物PS-b-P4VP在甲苯溶液里自组装成胶束,旋涂在硅片上形成PS作基质背景、P4VP形成突出于PS基质背景的50~80nm的圆点,用稀HF溶液腐蚀得到了孔径分布在50~80 nm之间较均匀的圆形纳米坑,腐蚀的机理是因P4VP胶束亲水、而且HF能使P4VP中的吡啶环质子化,故蚀刻选择性地发生在P4VP胶束的下方。先用稀HF溶液腐蚀平面硅得到表面悬挂的Si-Hx键,再通过硅氢化反应共价偶联上末端带叔烷基溴引发基团的单分子膜,末端叔烷基溴能引发表面原子转移自由基聚合反应(Surface-Induced Atom Transfer Rad icalPolymerization,SI-ATRP),使用单体甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)、甲基丙烯酸钠(NaMA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、N-异丙基丙烯酰胺(NIPAM)在硅表面经 SI-ATRP 组装了多种聚合物刷 Si-g-Poly(HEMA/PMAA/PMMA/PNIPAM),得到了凸出表面的点阵状图案。整个过程用多次透射反射红外光谱(MTR-IR),原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)进行检测,证实了在硅表面聚合物刷图案阵列的形成过程。3、嵌段共聚物PS-b-P2VP为模版制备高分子刷线状或指纹状纳米图案。两亲性嵌段共聚物PS-b-P2VP在甲苯溶液里自组装成胶束,旋涂在硅片上形成PS作基质背景、P2VP形成突出于PS基质背景的20~30 nm的圆点。然后在10:1 THF/H2O溶剂蒸汽密闭环境中室温下放置30~40 h,形成PS-b-P2VP直线条或指纹状图案,然后在Na2PtCl4/HCl溶液中浸泡3~24 h,带正电荷的[P2VP]+和带负电荷的[PtCl4]2-静电吸引结合在一起,用O2等离子体处理除去PS-b-P2VP,同时使Na2PtCl4生成Pt线条。用1:1:4 HF/H2O2/EtOH的阳极辅助溶液腐蚀得到了间距在50~80nm之间,带宽30~50 nm的线状或指纹状条纹,腐蚀的机理是Pt所处位点的原电池反应机理,最后在线状条纹的纳米坑处组装PMAA,得到线条状或指纹状的PMAA图案。图案的形貌用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)进行观测。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

碳氧含量论文参考文献

[1].姚炯彬,刘一波.脱蜡工艺对超细预合金胎体中碳氧含量的影响[J].金刚石与磨料磨具工程.2018

[2].路小彬.多重透射反射红外光谱(MTR-IR)测量晶硅薄片碳氧含量和晶硅表面高分子刷图案化[D].南京大学.2015

[3].李强,杨晓峰,乐国敏,范辉.碳氧含量及其反应对93W-4.6Ni-1.9Fe-0.5Co合金力学性能与组织的影响(英文)[J].稀有金属材料与工程.2015

[4].李强,王伟,杨晓峰,范辉.碳氧含量对93W-5Ni-2Fe钨合金冲击性能的影响[J].金属热处理.2014

[5].张东.直拉单晶炉中碳氧含量的研究[J].科技信息.2011

[6].邹洪伟,叶金文,刘颖,夏珊,李平平.原料粉末碳、氧含量对无粘结相硬质合金性能的影响[J].功能材料.2010

[7].邹洪伟,叶金文,刘颖,夏珊,李平平.原料中的碳、氧含量对无粘结相硬质合金性能的影响[C].2009(重庆)中西部第二届有色金属工业发展论坛论文集.2009

[8].于少飞,钱百年,国旭明.ULCB熔敷金属组织与碳、氧含量对力学性能的影响[J].金属学报.2005

[9].郭世柏,曲选辉,何新波,段柏华.钛合金注射成形脱脂过程中的碳、氧含量控制[C].中国科协第二届优秀博士生学术年会材料科学技术分会论文集.2003

[10].刘自强,王廷魁,梁永信,宋黎明,王德洪.腐朽材和健全材的碳氧含量及结晶度变化研究[J].东北林业大学学报.1989

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