导读:本文包含了浅沟道隔离平坦化论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:化学机械平坦化(CMP),浅沟道隔离(STI),研磨液,直接浅沟道隔离平坦化(DSTI,CMP)
浅沟道隔离平坦化论文文献综述
郑萍[1]（2011）在《直接浅沟道隔离平坦化技术的研究及应用》一文中研究指出随着半导体技术的不断发展,器件尺寸越来越小,因而对于器件间的隔离性能的要求也越来越高。进入到0.35μm及以下工艺以后,LOCOS(Local Oxidation of Silicon)工艺因其种种局限无法满足要求,进而产生了浅沟道隔离(STI)技术。而化学机械平坦化(CMP)技术是当今半导体制造中形成浅沟道隔离(STI)的关键技术。对STI的平坦化,基于CMP对不同密度图形研磨均匀性的考虑,传统的浅沟道隔离平坦化(STI CMP)工艺已经无法满足要求。直接浅沟道隔离平坦化(DSTI CMP)工艺由于使用了高选择比的二氧化铈研磨液,具有更好的片内平整度(Within wafer uniformity)和更小的碟形化程度,从而成为了0.18微米及以下高端工艺的主流技术。本文在介绍了化学机械平坦化及STI CMP的基本原理的基础上,能通过对传统浅沟道隔离平坦化与直接浅沟道隔离平坦化的比较,来分析阐述它们各自的优缺点和DSTI CMP的必要性。由于DSTI CMP的基础在于二氧化铈研磨液的使用,为建立DSTI CMP工艺系统,必须先选择研磨液。我们将通过实验来比较叁种不同二氧化铈研磨液在实验片上的研磨性能,选择具有较好性能的研磨液,并以此研磨液建立可应用于0.18μm及以下工艺的双步DSTI CMP工艺系统。双步DSTI CMP工艺系统应用到产品生产线后,晶片表面薄膜的厚度更加稳定,均匀度更好,碟形化程度也得到很大改善,使得产品的良率得到了大幅度的提高。通过对该系统在研磨终点和研磨程序上的优化设计和应用,来提高工艺的稳定性和准确度,降低工艺成本,并增加工艺产能。(本文来源于《电子科技大学》期刊2011-09-01）
邵群[2]（2008）在《基于0.13μm及以下制程的直接浅沟道隔离平坦化技术的研究及应用》一文中研究指出浅沟道隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法,而化学机械平坦化(CMP)技术是当今半导体制造中形成浅沟道隔离(STI)的关键技术。随着工艺技术发展到0.13微米甚至更小,器件对于氮化硅的损耗和碟形化有了更加严格的要求,这是传统的浅沟道隔离平坦化所无法满足的。由于高研磨率、高选择比的二氧化铈(CeO2)研磨液的应用,直接浅沟道隔离平坦化技术可以更好地控制氮化硅损耗和碟形化,使其成为0.13微米及以下高端制程的主流技术。本文在介绍了化学机械平坦化及浅沟道隔离平坦化(STI CMP)的基本原理的基础上,通过对浅沟道隔离平坦化与直接浅沟道隔离平坦化(DSTI CMP)的比较,阐述了DSTI CMP的优点和必要性。DSTI CMP的基础是二氧化铈研磨液的使用,通过实验,我们对比了叁种二氧化铈研磨液在0.13微米实验片上的研磨性能,选择具有较好性能的A研磨液,并以此建立了双步DSTI CMP工艺系统。建立的双步DSTI CMP工艺应用于0.13微米产品生产线后,晶片表面薄膜的厚度更加稳定,碟形化程度得到很大改善,产品的良率大幅提高。通过对双步DSTI CMP工艺在工艺终点和工艺产能方面的改善和优化,提高了工艺稳定性和精确度,降低了工艺时间与工艺成本,大幅提高了产能。(本文来源于《上海交通大学》期刊2008-12-18）
浅沟道隔离平坦化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
浅沟道隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法,而化学机械平坦化(CMP)技术是当今半导体制造中形成浅沟道隔离(STI)的关键技术。随着工艺技术发展到0.13微米甚至更小,器件对于氮化硅的损耗和碟形化有了更加严格的要求,这是传统的浅沟道隔离平坦化所无法满足的。由于高研磨率、高选择比的二氧化铈(CeO2)研磨液的应用,直接浅沟道隔离平坦化技术可以更好地控制氮化硅损耗和碟形化,使其成为0.13微米及以下高端制程的主流技术。本文在介绍了化学机械平坦化及浅沟道隔离平坦化(STI CMP)的基本原理的基础上,通过对浅沟道隔离平坦化与直接浅沟道隔离平坦化(DSTI CMP)的比较,阐述了DSTI CMP的优点和必要性。DSTI CMP的基础是二氧化铈研磨液的使用,通过实验,我们对比了叁种二氧化铈研磨液在0.13微米实验片上的研磨性能,选择具有较好性能的A研磨液,并以此建立了双步DSTI CMP工艺系统。建立的双步DSTI CMP工艺应用于0.13微米产品生产线后,晶片表面薄膜的厚度更加稳定,碟形化程度得到很大改善,产品的良率大幅提高。通过对双步DSTI CMP工艺在工艺终点和工艺产能方面的改善和优化,提高了工艺稳定性和精确度,降低了工艺时间与工艺成本,大幅提高了产能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
浅沟道隔离平坦化论文参考文献
[1].郑萍.直接浅沟道隔离平坦化技术的研究及应用[D].电子科技大学.2011
[2].邵群.基于0.13μm及以下制程的直接浅沟道隔离平坦化技术的研究及应用[D].上海交通大学.2008
标签：化学机械平坦化(CMP); 浅沟道隔离(STI); 研磨液; 直接浅沟道隔离平坦化(DSTI; CMP);