导读:本文包含了复合型场发射论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:ANSYS,场发射阵列阴极,发射体层,电阻层
复合型场发射论文文献综述
邓江,葛延槟,虞游,王小菊[1]（2018）在《LaB_6复合型场发射阵列阴极的结构设计（英文）》一文中研究指出为了提高传统Spindt型场发射阵列阴极的稳定性,提出了一种新型的LaB_6复合型场发射阵列阴极结构,该结构包括非晶硅电阻层、钼过渡层和六硼化镧发射体层。基于ANSYS平台模拟了该阴极中电阻层、过渡层和发射体层厚度对热应力场分布的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,电阻层厚度不影响热应力场的分布,只是改变热应力的大小;随着电阻层厚度的增加,阴极最大热应力会减小;过渡层可以有效减缓发射层的热应力,且过渡层的厚度会影响热应力场的分布;当电阻层厚度为72 nm,过渡层厚度为200 nm,发射层厚度为728 nm时,阴极最为稳定。薄膜热应力测试结果与模拟结果基本一致,证实了引入过渡层和电阻层对于减小阴极热应力的可行性。(本文来源于《电子科技大学学报》期刊2018年02期）
裴文俊[2]（2010）在《复合型硅基场发射阵列阴极研究》一文中研究指出场发射阵列阴极作为一种新型电子源,具有体积小、功耗低、响应速度快、抗辐射、工作温度范围宽等优点,在众多领域有着重要的应用前景。但是目前,阴极的发射电流密度低和发射稳定性差,限制了其在实际器件中的应用。本文在传统微尖FEA结构基础上,采用新型的发射材料和独特的工艺,对复合型硅基场发射阵列阴极进行了制备和研究:选用附着力好、熔点高的多晶硅材料作为高阻尖锥基进行沉积;选用逸出功低、熔点高、电导率高、耐离子轰击、化学性质稳定的六硼化镧作为发射尖锥材料进行尖锥覆膜,以提高阴极的发射电流密度和发射稳定性。本文工作主要有:复合型硅基场发射阵列阴极的工艺研究、动态测试和结果分析。论文详细研究了阴极阵列的制备工艺:在n型硅衬底上,用硅热氧化工艺制作800 nm的绝缘层;采用磁控溅射法沉积200 nm的Ti-W栅极;使用半导体光刻工艺制作间距6μm,孔径1μm的空腔阵列,并对腔腹进行化学刻蚀;采用真空热蒸发法蒸镀Al牺牲层,电子束蒸发法沉积多晶硅尖锥基。通过对牺牲层的清洗和LaB6发射材料的电子束蒸发覆膜,最终制备出发射体形貌优良的复合型硅基场发射阵列。对复合型硅基场发射阵列进行了动态测试。测试过程中,阴极和栅极短路严重,是下一步研究的重点。最后对影响发射电流密度和发射稳定性的因素进行了分析,主要包括尖锥蒸镀不完全、尖锥的断裂与脱落、阴极的氧化、栅极的开裂与脱落、阴栅短路、尖锥微凸与毛刺,并提出了改进意见。(本文来源于《电子科技大学》期刊2010-04-01）
李东方[3]（2009）在《复合型尖锥场发射阵列制备工艺研究》一文中研究指出场致发射阵列阴极是真空微电子器件的核心部件,因其具有体积小、功耗低、响应速度快、抗辐射、工作温度范围宽等优点,在场发射平板显示器件、微波器件和传感器等领域有着重要的应用前景。论文采用新型的阴极发射体材料和独特的制备工艺,研制出一种Mo-LaB6复合型场发射阵列阴极。该阴极的优点在于:利用LaB6逸出功低、熔点高、电导率高、抗离子轰击能力强等特点及钼良好的金属性和稳定性,将二者结合起来作为发射体材料,从而有效提高了现有场发射阴极的发射电流密度和发射稳定性。论文首先对Mo-LaB6复合型场发射阵列的制备工艺进行研究,共采取了两种方案:台阶型和敷膜型。二者的制备方法类似,均包括光刻、氧化、刻蚀、栅极溅射和发射体材料沉积。台阶型是先在硅基底上沉积200nm的钼台阶,然后再沉积LaB6尖锥;覆膜型是先形成钼尖锥,再在钼锥表面沉积LaB6薄膜做发射体。论文对这两种制备方案中的工艺参数进行了详细讨论,最终获得了发射体形貌良好的Mo-LaB6复合型场发射阵列。其次,论文还对Mo-LaB6复合型场发射阵列制备过程中出现的失效性现象进行了研究,主要包括栅极的脱落、阴极和阳极的氧化、微毛刺现象、尖锥的脱落和膜料成分的变化。针对这些失效性现象,论文提出了可能的解决方法,包括退火工艺、氢化处理工艺和老炼工艺。将处理前后的阴极进行测试比较,结果表明,栅极脱落问题得到了有效解决,且阴极开启电压有所降低。这些失效性研究将为制作优良场发射阵列奠定良好的基础。论文最后对制备的Mo-LaB6复合型场发射阵列阴极进行封装和测试。封装工艺主要包括装配、排气、除气、封接和激活吸气剂等步骤。在测试前先对器件进行老炼,消除尖锥表面的毛刺和微凸起,测试电路是在Spindt基础上进行改进的。最后对结果进行分析,通过对试验结果的分析,表明了复合型场发射阵列的可行性。(本文来源于《电子科技大学》期刊2009-03-01）
李东方,林祖伦,陈文彬,代令,何世东[4]（2009）在《复合型场发射阵列失效性研究》一文中研究指出复合型尖锥场发射阵列制备工艺过程中遇到的问题主要有栅极的脱落、阴极的氧化、尖锥微毛刺现象。为了提高器件的整体性能,试验采用了叁种工艺改进方法,在真空环境中600℃高温退火;在氢气中进行氢化处理;对器件进行15 h的老炼。改进工艺后开启电压由75 V降到60 V,阳极收集最大电流从150μA提高到300μA,充分说明了改进工艺的可行性。(本文来源于《电子器件》期刊2009年01期）
复合型场发射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
场发射阵列阴极作为一种新型电子源,具有体积小、功耗低、响应速度快、抗辐射、工作温度范围宽等优点,在众多领域有着重要的应用前景。但是目前,阴极的发射电流密度低和发射稳定性差,限制了其在实际器件中的应用。本文在传统微尖FEA结构基础上,采用新型的发射材料和独特的工艺,对复合型硅基场发射阵列阴极进行了制备和研究:选用附着力好、熔点高的多晶硅材料作为高阻尖锥基进行沉积;选用逸出功低、熔点高、电导率高、耐离子轰击、化学性质稳定的六硼化镧作为发射尖锥材料进行尖锥覆膜,以提高阴极的发射电流密度和发射稳定性。本文工作主要有:复合型硅基场发射阵列阴极的工艺研究、动态测试和结果分析。论文详细研究了阴极阵列的制备工艺:在n型硅衬底上,用硅热氧化工艺制作800 nm的绝缘层;采用磁控溅射法沉积200 nm的Ti-W栅极;使用半导体光刻工艺制作间距6μm,孔径1μm的空腔阵列,并对腔腹进行化学刻蚀;采用真空热蒸发法蒸镀Al牺牲层,电子束蒸发法沉积多晶硅尖锥基。通过对牺牲层的清洗和LaB6发射材料的电子束蒸发覆膜,最终制备出发射体形貌优良的复合型硅基场发射阵列。对复合型硅基场发射阵列进行了动态测试。测试过程中,阴极和栅极短路严重,是下一步研究的重点。最后对影响发射电流密度和发射稳定性的因素进行了分析,主要包括尖锥蒸镀不完全、尖锥的断裂与脱落、阴极的氧化、栅极的开裂与脱落、阴栅短路、尖锥微凸与毛刺,并提出了改进意见。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
复合型场发射论文参考文献
[1].邓江,葛延槟,虞游,王小菊.LaB_6复合型场发射阵列阴极的结构设计（英文）[J].电子科技大学学报.2018
[2].裴文俊.复合型硅基场发射阵列阴极研究[D].电子科技大学.2010
[3].李东方.复合型尖锥场发射阵列制备工艺研究[D].电子科技大学.2009
[4].李东方,林祖伦,陈文彬,代令,何世东.复合型场发射阵列失效性研究[J].电子器件.2009