导读:本文包含了集成电路栅极论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CMOS,栅氧化层穿通,定位方法,EDA软件
集成电路栅极论文文献综述
邢岳[1]（2016）在《CMOS数字集成电路栅氧化层穿通的定位与改进》一文中研究指出随着我国电子技术的不断进步,电子元器件的可靠性也在不断提高,同时用户对电子元器件生产厂的质量要求也趋于严格。为保证产品可靠性持续提高,对产品的失效分析和产品的改进就显得尤为重要,正确的定位失效点、准确的原因分析可以及时发现设计缺陷或工艺隐患,若及时采取必要的改进措施,可减少失效的重复发生,有效提高产品的合格率和可靠性。栅氧化层是CMOS数字集成电路中最重要的结构之一,但由于栅氧化层厚度薄,在生产和使用中极易出现穿通,影响电路正常工作。栅氧化层穿通后无法恢复,因此在生产和使用过程中应及时发现、准确定位、分析原因并采取措施,应尽量避免栅氧化层穿通的出现。研究内容基于本企业生产的铝栅CMOS数字集成电路产品,在生产和使用过程中大量失效分析案例基础上,针对栅氧化层穿通模式介绍测试系统编程复测、液晶热点分析等定位方法,并给出有效实用的定位流程。进而对栅氧化层穿通的原因进行分析,并针对具体原因给出相应的改进措施。研究过程利用了多款EDA软件进行产品测试及设计开发,利用STS2106A数字集成电路测试软件对产品失效现象进行确认,利用OrCAD/Pspice软件绘制改进产品的电路图并仿真,验证改进的有效性,还利用L-Edit软件绘制产品的版图,并进行DRC及LVS的验证,确保版图和逻辑关系符合电路要求。在设计方面,通过改进BH2003译码器输出结构,消除了电路输出端栅氧化层穿通带来的负面影响。通过对现有产品抗静电能力进行分析,对现行的抗静电结构进行了改进和补充,使产品的抗静电能力提高到3000V以上。两项改进均达到了提升产品可靠性的目的。(本文来源于《北京工业大学》期刊2016-12-01）
潘少俊[2]（2014）在《集成电路栅介质TDDB失效预警电路设计》一文中研究指出当集成电路的特征尺寸发展到90nm时，MOS器件的栅介质层厚度将至2nm以下，仅相当于几个原子的厚度。在电源电压与栅介质层厚度不再等比例减小的情况下，栅介质层内的电场强度不断增加，导致的经时击穿(TDDB)问题越来越受到人们的关注并成为集成电路的主要失效机理之一。目前，电子产品的故障预测与健康管理(PHM)技术得到广泛的认可，无论从成本的节省，还是避免故障的发生，都具有较大的优势。电子产品的PHM技术方法主要有叁种：预兆单元法、失效先兆监测指针法和寿命消耗监控法。本文基于PHM技术的预兆单元法，设计了一种监测MOS晶体管经时击穿的失效预警电路。主要包括互不交迭的时钟模块、应力电压产生模块、降压模块和输出模块等电路。其中，互不交迭的时钟模块为应力电压产生模块提供两个不交迭的时钟信号驱动；应力电压产生模块采用了一种新型升压电荷泵电路，该电荷泵在轻负载时能产生较高的输出电压，并且在产生高压应力的同时，避免自身MOS晶体管的栅介质处在应力之下，从而提高了可靠性；应力电压产生模块产生的应力电压经降压模块分别加载到MOS电容和输出模块；MOS电容在应力作用下加速失效，从而可预警发生的TDDB。基于SMIC0.18um CMOS工艺，利用Cadence Spectre仿真工具对所设计的TDDB失效预警电路进行仿真，结果表明：当失效预警电路处于应力状态并未发生击穿失效时，输出高电平；一旦发生TDDB失效，输出低电平，即发出报警信号，达到了要求设计目标。所设计的TDDB失效预警电路具有结构简单、可靠性高、易于集成的特点，不仅可以降低集成电路由TDDB引起的失效故障，还可为电子产品的可靠性研究及集成电路PHM技术发展奠定良好的基础。(本文来源于《暨南大学》期刊2014-06-01）
王浩,黄淮[3]（2007）在《混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A-IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路》一文中研究指出本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路(IC)。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能,然后介绍电平下移功能。之后,还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路,它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A/600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器,而且适用于混合动力电动汽车。(本文来源于《电力电子》期刊2007年02期）
[4]（2005）在《高速栅极驱动集成电路系列》一文中研究指出国际整流器公司(简称 IR,纽约证交所代号 IRF)是全球电源管理技术业界知名企业。IR 发布了一系列带有完备保护功能的高压 IGBT 控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半。新推出的 IC 系列包括1200V 及600V 的栅极驱动集成电路及电流传感接口集成电路,应用领域为换向电机驱动器、通用换向电路、开关电源 SMPS 和不间断电源 UPS。(本文来源于《电子制作》期刊2005年11期）
[5]（2005）在《IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列》一文中研究指出功率管理技术公司I R日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半。新推出的IC系列包括1200V及6(本文来源于《电子与电脑》期刊2005年09期）
徐荣国[6]（2003）在《用栅极驱动器集成电路制作的100W数字功率放大器》一文中研究指出当数字功率放大器的输出功率大于50W之后,就无法只用单片全集成的集成电路来构成放大器,必须采用栅极驱动器集成电路与大功率MOS-FET组合的构成方式。这里介绍一款用通用运算放大器、通用逻辑集成电路、栅极驱动器及大功率MOS-FET组成的单声道100W/8数字音频功率放大器。 图1是该数字放大器的电路图。输入端用运算放大器接成积分电路,并从D类输出级引入负反馈。通过引入负反馈可以实现自澈振荡和改善音频带域内的各种特性。振荡频率约为300kHz。(本文来源于《实用影音技术》期刊2003年12期）
相文峰,颜雷,谈国太,郭海中,刘丽峰[7]（2003）在《硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状》一文中研究指出随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求 ,硅基集成电路的集成度越来越高 ,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的 .当栅极SiO2 介电层的厚度减小到原子尺度大小时 ,由于量子效应的影响 ,SiO2 将失去介电特性 ,因此必须寻找一种新的高介电常数 (high -K)的氧化物材料来代替它 .如今世界上许多国家都开展了替代SiO2 的介电氧化物材料的研究工作 .文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响 ,栅极SiO2 介电层的高K氧化物材料的要求和粗选 ,并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述 .(本文来源于《物理》期刊2003年04期）
李宏,张培平[8]（2001）在《单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117》一文中研究指出:IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能特点和参数限制 ,同时剖析了它的内部结构和工作原理 ,最后给出了其典型应用电路图和应用举例(本文来源于《国外电子元器件》期刊2001年05期）
集成电路栅极论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
当集成电路的特征尺寸发展到90nm时，MOS器件的栅介质层厚度将至2nm以下，仅相当于几个原子的厚度。在电源电压与栅介质层厚度不再等比例减小的情况下，栅介质层内的电场强度不断增加，导致的经时击穿(TDDB)问题越来越受到人们的关注并成为集成电路的主要失效机理之一。目前，电子产品的故障预测与健康管理(PHM)技术得到广泛的认可，无论从成本的节省，还是避免故障的发生，都具有较大的优势。电子产品的PHM技术方法主要有叁种：预兆单元法、失效先兆监测指针法和寿命消耗监控法。本文基于PHM技术的预兆单元法，设计了一种监测MOS晶体管经时击穿的失效预警电路。主要包括互不交迭的时钟模块、应力电压产生模块、降压模块和输出模块等电路。其中，互不交迭的时钟模块为应力电压产生模块提供两个不交迭的时钟信号驱动；应力电压产生模块采用了一种新型升压电荷泵电路，该电荷泵在轻负载时能产生较高的输出电压，并且在产生高压应力的同时，避免自身MOS晶体管的栅介质处在应力之下，从而提高了可靠性；应力电压产生模块产生的应力电压经降压模块分别加载到MOS电容和输出模块；MOS电容在应力作用下加速失效，从而可预警发生的TDDB。基于SMIC0.18um CMOS工艺，利用Cadence Spectre仿真工具对所设计的TDDB失效预警电路进行仿真，结果表明：当失效预警电路处于应力状态并未发生击穿失效时，输出高电平；一旦发生TDDB失效，输出低电平，即发出报警信号，达到了要求设计目标。所设计的TDDB失效预警电路具有结构简单、可靠性高、易于集成的特点，不仅可以降低集成电路由TDDB引起的失效故障，还可为电子产品的可靠性研究及集成电路PHM技术发展奠定良好的基础。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
集成电路栅极论文参考文献
[1].邢岳.CMOS数字集成电路栅氧化层穿通的定位与改进[D].北京工业大学.2016
[2].潘少俊.集成电路栅介质TDDB失效预警电路设计[D].暨南大学.2014
[3].王浩,黄淮.混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A-IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路[J].电力电子.2007
[4]..高速栅极驱动集成电路系列[J].电子制作.2005
[5]..IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列[J].电子与电脑.2005
[6].徐荣国.用栅极驱动器集成电路制作的100W数字功率放大器[J].实用影音技术.2003
[7].相文峰,颜雷,谈国太,郭海中,刘丽峰.硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状[J].物理.2003
[8].李宏,张培平.单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117[J].国外电子元器件.2001