导读:本文包含了单粒子瞬态论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:FPGA,组合电路,单粒子多瞬态,软错误
单粒子瞬态论文文献综述
鄂长江,李少甫,齐艺轲[1]（2019）在《单粒子多瞬态诱导的组合电路软错误敏感性评估》一文中研究指出为了评估数字电路的软错误敏感性,研究了一种适于FPGA的单粒子多瞬态(SEMT)诱导的组合电路软错误评估方法.考虑脉冲传输过程中受到的电气屏蔽的影响和辐射粒子入射的随机性,控制不同脉宽的SEMT脉冲对所有SEMT故障位置进行故障注入,统计错误结果.实验结果表明,该方法能对单粒子两个及以上瞬态诱导的组合电路软错误敏感性进行分析,得到各故障位置敏感度信息,供电路设计前端参考改进.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2019年11期）
高成,张芮,王怡豪,黄姣英[2]（2019）在《深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究》一文中研究指出针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值范围。同时,开展脉冲激光模拟单粒子瞬态效应试验,定位该器件单粒子瞬态效应的敏感区域,捕捉不同辐照能量下器件产生的单粒子瞬态脉冲,确定单粒子瞬态效应的阈值范围,并与仿真结果进行对比分析。(本文来源于《微电子学》期刊2019年05期）
高占占,侯鹏飞,郭红霞,李波,宋宏甲[3]（2019）在《选择性埋氧层上硅器件的单粒子瞬态响应的温度相关性》一文中研究指出本文建立了90 nm工艺下的绝缘体上硅浮体器件和选择性埋氧层上硅器件模型,通过器件电路混合仿真探究了工作温度对上述两种结构的多级反相器链单粒子瞬态脉冲宽度以及器件内部电荷收集过程的影响.研究表明, N型选择性埋氧层上硅器件相较于浮体器件具有更好的抗单粒子能力,但P型选择性埋氧层上硅器件的抗单粒子能力在高线性能量转移值下与浮体器件基本相同.同时电荷收集的温度相关性分析表明,N型选择性埋氧层上硅器件只存在漂移扩散过程,当温度升高时其电荷收集量变化很小,而N型浮体器件存在双极放大过程,电荷收集量随着温度的升高而显着增加;另外, P型选择性埋氧层上硅器件和浮体器件均存在双极放大过程,当温度升高时P型选择性埋氧层上硅器件衬底中的双极放大过程越来越严重,由于局部埋氧层的存在,反而抑制了其源极的双极放大过程,导致它的电荷收集量要明显少于P型浮体器件.因此选择性埋氧层上硅器件比浮体器件更好地抑制了温度对单粒子瞬态脉冲的影响.(本文来源于《物理学报》期刊2019年04期）
李赛,陈睿,韩建伟[4]（2019）在《130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究》一文中研究指出针对130 nm体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态(SET)的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET脉宽特性受激光能量、重离子线性能量传递(LET)值、PMOS管栅长尺寸等因素的影响机制。重离子和脉冲激光实验结果类似,均表现为随激光能量、LET值的增加,电路被辐射诱发的SET脉宽逐步增大,且表现出明显的双(多)峰分布趋势,但辐射诱发的SET脉冲个数呈先增加再减少规律。此外,实验结果表明,在不同激光能量、LET值下,PMOS管栅长尺寸影响反相器链SET脉冲的特征不同。当激光能量、LET值较低时,PMOS管栅长尺寸大的电路产生的SET脉宽较大,而当激光能量、LET值较大时,PMOS管栅长尺寸小的电路反而产生更宽的SET脉冲。分析表明,较高激光能量、LET辐照时,寄生双极放大效应被触发可能是导致PMOS管栅长尺寸影响电路SET特征差异的主要原因。(本文来源于《北京航空航天大学学报》期刊2019年06期）
姚帅,陆妩,于新,李小龙,王信[5]（2019）在《变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响》一文中研究指出利用变温辐照方法模拟了低剂量率辐照,研究了双极电压比较器LM2903的电离总剂量(TID)-单粒子瞬态(SET)的协同效应。结果表明,高电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有抑制作用;低电平工作状态偏置时,TID对LM2903的SET具有促进作用。电离辐照诱发的界面态缺陷电荷是TID-SET协同效应产生的根本原因,电压比较器的输出级结构导致了偏置状态对TID-SET协同效应的不同影响。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2019年06期）
安恒,张晨光,杨生胜,薛玉雄,王光毅[6]（2019）在《SiGe BiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究》一文中研究指出验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描的办法分析了器件内部单粒子效应敏感区域,并在此基础上分析了脉冲激光能量与SET脉冲的相互关系,获得了单粒子效应截面,为SiGe BiCMOS工艺器件在卫星电子系统的筛选应用以及抗辐射加固设计提供数据参考。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2019年03期）
曹靓,田海燕,王栋[7]（2018）在《一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新叁模冗余触发器》一文中研究指出数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显着。单粒子瞬态脉冲对电路的影响随着电路工作主频越来越高也变得越发严重,甚至可能使电路功能完全失效。在自刷新叁模冗余触发器设计的基础上,进行了抗单粒子瞬态辐射效应加固设计,增强了原设计的自刷新叁模冗余触发器的抗单粒子瞬态脉冲的能力,为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。(本文来源于《电子与封装》期刊2018年09期）
宋文斌,王莉,宗杨,毕津顺,韩郑生[8]（2018）在《体偏置对SOI CMOS器件单粒子瞬态特性的影响》一文中研究指出将不同线性能量转移的碳到铜等五种粒子注入晶体管或电路,研究了NMOS和PMOS在不同重离子浓度下的归一化收集电荷。利用TCAD叁维仿真研究了体偏置对绝缘体上硅(SOI)CMOS技术单粒子瞬态(SET)的影响。结果发现,单次瞬态特性,包括电荷收集和瞬态脉冲宽度,可以通过合理的体偏置来大幅改善。这一结果可为空间和军事应用中的集成电路加固提供了一种来减轻单粒子瞬态效应的新方法。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2018年02期）
焦强[9]（2018）在《温度对NMOSFET单粒子瞬态电荷收集影响规律数值模拟》一文中研究指出本文以NMOSFET晶体管为研究对象,基于TCAD仿真模拟软件对单粒子瞬态进行模拟分析,系统地研究了温度、线性能量传递(liner energy transfer,LET)、电场和入射角度等单因素,以及温度与LET值、电场和入射角度协同作用对单粒子瞬态效应和电荷收集的影响。具体研究内容和创新主要体现在以下几个方面:基于模拟仿真分析了温度对单粒子电荷收集的影响。温度和电荷收集量存在抛物线关系。随温度升高载流子的迁移率升高,在运动过程中获得较高的动能并发生二次电离,诱导更多电荷产生,随温度的升高二次电离减弱,但器件内部电场升高,使得电荷收集量随温度增加先减小后增加。此外,基于温度的研究结果对温度和其它因素的协同作用进行研究,温度升高促进LET值对收集电荷的作用;在低温下电场对电荷收集影响较大;入射角度越大有效LET值越大,故温度升高促进入射角度对收集电荷的作用。基于模拟仿真分析温度对单粒子瞬态的影响。瞬态电流的峰值随温度升高而降低,随温度降低载流子迁移率高导致初始电流增加;瞬态持续时间随温度升高而升高,随温度升高载流子的扩散系数减小。此外研究了温度和LET值、电场和入射角度的协同作用,发现LET值对瞬态电流峰值低温度下影响大;在高温下LET值对电流持续时间变化影响大;温度显着的影响了电场对单粒子瞬态的作用;对温度和入射角度而言,入射角度越大有效LET值越大,故入射角度对单粒子瞬态的影响规律具有温度依赖性。本文进行了NMOSFET单粒子瞬态及电荷收集温度依赖性的仿真模拟研究,并取得了一定的结果,揭示了载流子迁移率与温度和单粒子瞬态及电荷收集的相关性,为今后的MOSFET单粒子瞬态效应数值模拟评价技术奠定了基础。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-06-01）
李建波[10]（2018）在《SRAM的单粒子瞬态效应仿真分析》一文中研究指出随着集成电路制造技术的不断进步与航天事业的持续发展,单粒子效应对集成电路造成的影响愈发严重。由于SRAM具有集成度高、速度快等特点,被广泛应用在集成电路中,而SRAM的单粒子翻转效应是导致航天发生故障的主要原因之一。此外,单粒子效应实验具有机时紧张、排队难、费用高等问题,因此研究SRAM的单粒子效应仿真方法并采用仿真方法来指导实验具有重要意义。论文首先从器件层面研究了130nm工艺下不同LET的高能粒子入射半导体器件敏感区域后产生的瞬态电流。采用Cogenda公司的VisualTCAD工具构建器件叁维模型,在敏感区域入射不同LET值的高能粒子,分别获得从0.4到100之间26个不同LET的瞬态电流源模型。论文采用扫描分析的方法,对SRAM的关键信号进行单粒子瞬态效应敏感性分析。根据SRAM的工作机理,提取SRAM中的关键信号并分析其容易受到单粒子瞬态效应影响的敏感位置。针对每一个关键信号,在其敏感位置采用扫描的方法注入不同LET所对应的电流源,仿真不同LET对应的电流源引起的电路响应,最终获得能导致电路发生故障的最小LET值。分析结果表明,列译码器与灵敏放大器模块中的关键信号对单粒子瞬态效应最为敏感,逻辑电路模块次之,行译码器模块最不敏感。论文分析了SRAM中存储单元在不同工艺角、不同温度、不同电压下的抗单粒子效应能力,仿真得到的单粒子翻转LET阈值为0.6MeV·cm~2/mg,与参考文献中LET阈值(0.5~0.6 MeV·cm~2/mg)相符。在随机的时间、对随机选择存储单元中的敏感节点进行故障注入,注入电流源的脉冲宽度和峰值在一定范围内随机,每个LET值平均仿真100次,获得不同LET值下的翻转截面并采用WeiBull函数拟合翻转截面曲线,拟合得到的饱和翻转截面为1.6?10~(-8)cm~(-2)/bit,与实验数据(5.0?10~(8-)cm~(-2)/bit)保持在同一数量级。论文同时对SRAM外围电路进行单粒子瞬态效应的统计分析。在随机的时间、对随机选择存储单元中的敏感节点进行故障注入,注入电流源的脉冲宽度和峰值在一定范围内随机,,仿真结果为100次重复仿真的统计平均值。对SRAM的逻辑电路模块、行译码器模块、列译码器与灵敏放大器模块以及整体的外围电路进行单粒子瞬态效应统计分析,形成各外围电路发生的平均错误个数随LET的变化曲线以及平均错误个数随时钟周期变化曲线。分析结果表明,随着LET值的增大、时钟频率的增加,外围电路发生的错误均逐渐增加,但不同外围电路模块的变化趋势不同。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-06-01）
单粒子瞬态论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值范围。同时,开展脉冲激光模拟单粒子瞬态效应试验,定位该器件单粒子瞬态效应的敏感区域,捕捉不同辐照能量下器件产生的单粒子瞬态脉冲,确定单粒子瞬态效应的阈值范围,并与仿真结果进行对比分析。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单粒子瞬态论文参考文献
[1].鄂长江,李少甫,齐艺轲.单粒子多瞬态诱导的组合电路软错误敏感性评估[J].微电子学与计算机.2019
[2].高成,张芮,王怡豪,黄姣英.深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究[J].微电子学.2019
[3].高占占,侯鹏飞,郭红霞,李波,宋宏甲.选择性埋氧层上硅器件的单粒子瞬态响应的温度相关性[J].物理学报.2019
[4].李赛,陈睿,韩建伟.130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究[J].北京航空航天大学学报.2019
[5].姚帅,陆妩,于新,李小龙,王信.变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响[J].原子能科学技术.2019
[6].安恒,张晨光,杨生胜,薛玉雄,王光毅.SiGeBiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究[J].红外与激光工程.2019
[7].曹靓,田海燕,王栋.一种抗单粒子瞬态辐射效应的自刷新叁模冗余触发器[J].电子与封装.2018
[8].宋文斌,王莉,宗杨,毕津顺,韩郑生.体偏置对SOICMOS器件单粒子瞬态特性的影响[J].功能材料与器件学报.2018
[9].焦强.温度对NMOSFET单粒子瞬态电荷收集影响规律数值模拟[D].哈尔滨工业大学.2018
[10].李建波.SRAM的单粒子瞬态效应仿真分析[D].西安电子科技大学.2018