导读:本文包含了双靶反应共溅射论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:双靶共溅射,溅射功率,石墨靶,电催化
双靶反应共溅射论文文献综述
李春梅,唐振方[1]（2016）在《双靶反应共溅射制备WC薄膜及其电催化性能》一文中研究指出以金属钨靶和石墨靶反应共溅射的方法,在硅片上制备碳化钨薄膜。实验探究了功率和衬底温度对薄膜成分、质量的影响。研究表明,衬底温度为400℃时,薄膜生长致密、均匀,无裂痕;当钨靶功率为55 W,逐渐增大石墨靶功率时,薄膜成分分别为W、W_2C、WC_(1-x)。经电化学研究发现W_2C、WC_(1-x)两种薄膜均对甲醇有电催化作用,且有很高的比表面积,面积为1 cm~2的W_2C、WC_(1-x)薄膜电极对应的比表面积分别为33.32 cm2和64.68 cm2。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2016年04期）
严帅[2]（2013）在《双靶反应磁控共溅射制备氧化锌基透明导电薄膜的研究》一文中研究指出铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜，具有良好的光电学性能，同时原料丰富、成本低、无毒，而在平板显示器、薄膜太阳能电池、触摸屏等光电设备上有较好的应用前景，是目前替代氧化铟锡（ITO）主流透明导电薄膜的研究热点。实现AZO薄膜的低成本制备，同时提高其光电性能，对于降低光电器件的成本具有重大意义。磁控溅射法因具有沉积速率高、基底温度较低且薄膜的附着性好等优点，而被研究者广泛用来制备AZO薄膜。不同于常规的AZO陶瓷靶材，本文以金属Zn和Al为靶材，采用双靶反应磁控共溅射法，以期更低成本地制备出AZO透明导电薄膜；再通过退火，以提升AZO薄膜的光电综合性能；在此基础上，为克服室温沉积的较小厚度AZO薄膜光电性能较差的问题，分别引入金属Al层和Ag层，制备了叁明治结构的AZO/Al/AZO和ZnO/Ag/ZnO两种ZnO基多层薄膜。AZO薄膜的溅射试验表明，衬底温度不变时，随着溅射功率、溅射气压和氧氩比的分别增大，AZO薄膜结晶质量都先提高后降低；固定Zn靶材的直流溅射功率，逐渐增大Al靶的射频功率，可制备出Al掺杂含量也逐渐增大（0.57~2.57at.%）的AZO薄膜。将AZO薄膜在氮气和氢气混合气氛下500℃退火处理1.5h后，研究不同Al的掺杂含量对AZO薄膜结构性能的影响。测试表明，随着Al掺杂含量的增加，薄膜的光学带隙先增大后减小，电阻率先降低后增加，可见光区透光率逐渐减小。当Al掺杂含量为1.34at.%时，薄膜的光学带隙最大为3.511eV，电阻率最低为3.95×10-3Ω·cm，可见光区平均透过率达到83.68%。溅射AZO/Al/AZO和ZnO/Ag/ZnO叁明治结构薄膜的试验表明，随着中间层厚度的增加，薄膜的电阻率先减小后基本不变，透过率逐渐降低；随着上下层厚度的增加，薄膜的电阻率逐渐增大，透过率先增大后减小。当AZO/Al/AZO薄膜厚度为65/15/65nm时，薄膜电阻率为7.06×10-4Ω cm，可见光区平均透过率65.76%，薄膜品质因子为3.15×10-4Ω-1；ZnO/Ag/ZnO薄膜厚度为50/15/50nm时，薄膜电阻率为5.66×10-5Ω·cm，可见光区平均透过率71.17%，薄膜品质因子为6.80×10-3Ω-1。中间金属层能在较大程度上改善ZnO基薄膜的电学性能，且用Ag做中间层的薄膜光电性能优于用Al做中间层的薄膜。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2013-12-01）
刘丹,李合琴,武大伟,刘涛[3]（2011）在《双靶反应磁控共溅射制备Al掺杂ZnO薄膜及其光电性能》一文中研究指出采用双靶反应磁控共溅射法在Si(100)和载玻片衬底上制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计、紫外可见光分光光度计,四探针测试仪等手段对薄膜进行表征,研究了Al掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响。结果显示,Al掺杂未改变ZnO的晶体结构,ZAO薄膜沿(002)晶面生长,具有单一的紫光发射峰,在可见光区透过率大于80%,当Zn靶和Al靶溅射功率分别为100 W和20W时,ZAO薄膜的电阻率为8.85×10-4W.cm,表明利用双靶反应磁控共溅射法制备的ZAO薄膜具有较好的光电性能。(本文来源于《真空与低温》期刊2011年04期）
杨建平,李兴鳌,李永涛,任山令,王海云[4]（2011）在《直流磁控双靶反应共溅射制备钛酸铋铁电薄膜研究》一文中研究指出采用直流磁控双靶反应共溅射镀膜方法在Pt/Si(111)基底上制备了钛酸铋铁电薄膜。研究了反应条件对薄膜的生长行为、晶体结构、铁电性能的影响。结果表明:在钛靶、铋靶溅射功率一定的情况下,氧气浓度是影响生成Bi4Ti3O12铁电薄膜的关键因素。在设定钛靶溅射功率为60W,铋靶溅射功率为50W的情况下,氧气与氩气的流量相等时(均为5sccm),能较好地生成Bi4Ti3O12铁电薄膜。(本文来源于《Proceedings of the 2011 International Conference on Future Computer Science and Application（FCSA 2011 V4）》期刊2011-07-16）
杨建平,李兴鳌,李永涛,任山令,王海云[5]（2010）在《直流磁控双靶反应共溅射制备钛酸铋铁电薄膜研究》一文中研究指出采用直流磁控双靶反应共溅射镀膜方法在Pt/Si(111)基底上制备了钛酸铋铁电薄膜。研究了反应条件对薄膜的生长行为、晶体结构、铁电性能的影响。结果表明:在钛靶、铋靶溅射功率一定的情况下,氧气浓度是影响生成Bi4Ti3O12铁电薄膜的关键因素。在设定钛靶溅射功率为60W,铋靶溅射功率为50W的情况下,氧气与氩气的流量相等时(均为5sccm),能较好地生成Bi4Ti3O12铁电薄膜。(本文来源于《Proceedings of 2010 International Conference on Semiconductor Laser and Photonics (ICSLP 2010)》期刊2010-10-25）
曹守娟[6]（2009）在《双靶直流反应磁控共溅射沉积TiAlN薄膜及其性能研究》一文中研究指出作为TiN硬质薄膜最有前景的替代材料,TiAlN薄膜比TiN具有更优良的特性,如高的硬度、良好的耐蚀性和耐磨性等。因此,TiAlN薄膜在切削刀具、模具领域具有更广泛的应用。本文采用双靶直流反应磁控溅射法在金属基片上制备了TiN、TiAlN薄膜,并对它们的性能进行了测试分析。研究了N_2分压、靶功率和基体温度等工艺条件对TiN、TiAlN薄膜成分及性能的影响,制备出了高硬度,高耐磨性的薄膜。利用XRD分析了薄膜的结构及成分,结果表明:所制备的TiN薄膜为fcc NaCl型结构,具有(111)取向。TiAlN薄膜的成分比较复杂,在Al靶功率为150W时,薄膜中只有TiN相。随Al靶功率的增加,薄膜的主要组成相为AlN和AlTi_3N。用扫描电镜(SEM)观察了TiAlN薄膜的表面形貌,结果表明,Al元素的加入细化了薄膜晶粒。当N_2分压为6.0×10~(-2)pa,基体温度为300℃,Al靶功率为350W时,薄膜为细条状结构,晶粒致密均匀,尺寸约为Φ50×200nm~3。Al靶功率为450W时,薄膜为针状结构,尺寸约为200nm。用显微硬度仪测了薄膜的显微硬度,其中TiN薄膜的显微硬度达到1920HV,TiAlN薄膜的显微硬度达到2900HV。可以看出,TiAlN薄膜的硬度明显高于TiN。对薄膜进行中性盐雾试验,结果表明:TiAlN薄膜比TiN薄膜具有更好的耐蚀性。并且在基体温度为400℃,N_2分压为6.0×10~(-2)pa,Al靶功率为350W时,TiAlN薄膜的耐蚀性最好。在基体温度为400℃,N_2分压为6.0×10~(-2)pa条件下制备了TiAlN薄膜,研究Al靶功率对薄膜耐磨性的影响。结果表明:在Al靶功率为350W时,薄膜的耐磨性最好。(本文来源于《东北大学》期刊2009-06-29）
闫梁臣,熊小涛,杨会生,高克玮,王燕斌[7]（2005）在《磁控双靶反应共溅射(Ti,Al)N薄膜的研究》一文中研究指出采用磁控双靶反应共溅射技术制备出了(Ti0.5Al0.5)N耐磨硬质薄膜,其显微硬度高于35GPa,摩擦系数小于0.18。实验结果表明当N2流量较低时,(Ti,Al)N薄膜结构和性能随N2流量变化明显;当N2流量较高时,薄膜结构和性能变化缓慢。等离子体发射光谱仪(PEM)对磁控反应溅射过程监测结果表明,钛铝原子与氮原子反应存在一个临界点,低于临界点,磁控反应溅射为金属态溅射模式,高于临界点,磁控溅射向非金属态溅射模式转变,溅射速率降低。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2005年03期）
双靶反应共溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜，具有良好的光电学性能，同时原料丰富、成本低、无毒，而在平板显示器、薄膜太阳能电池、触摸屏等光电设备上有较好的应用前景，是目前替代氧化铟锡（ITO）主流透明导电薄膜的研究热点。实现AZO薄膜的低成本制备，同时提高其光电性能，对于降低光电器件的成本具有重大意义。磁控溅射法因具有沉积速率高、基底温度较低且薄膜的附着性好等优点，而被研究者广泛用来制备AZO薄膜。不同于常规的AZO陶瓷靶材，本文以金属Zn和Al为靶材，采用双靶反应磁控共溅射法，以期更低成本地制备出AZO透明导电薄膜；再通过退火，以提升AZO薄膜的光电综合性能；在此基础上，为克服室温沉积的较小厚度AZO薄膜光电性能较差的问题，分别引入金属Al层和Ag层，制备了叁明治结构的AZO/Al/AZO和ZnO/Ag/ZnO两种ZnO基多层薄膜。AZO薄膜的溅射试验表明，衬底温度不变时，随着溅射功率、溅射气压和氧氩比的分别增大，AZO薄膜结晶质量都先提高后降低；固定Zn靶材的直流溅射功率，逐渐增大Al靶的射频功率，可制备出Al掺杂含量也逐渐增大（0.57~2.57at.%）的AZO薄膜。将AZO薄膜在氮气和氢气混合气氛下500℃退火处理1.5h后，研究不同Al的掺杂含量对AZO薄膜结构性能的影响。测试表明，随着Al掺杂含量的增加，薄膜的光学带隙先增大后减小，电阻率先降低后增加，可见光区透光率逐渐减小。当Al掺杂含量为1.34at.%时，薄膜的光学带隙最大为3.511eV，电阻率最低为3.95×10-3Ω·cm，可见光区平均透过率达到83.68%。溅射AZO/Al/AZO和ZnO/Ag/ZnO叁明治结构薄膜的试验表明，随着中间层厚度的增加，薄膜的电阻率先减小后基本不变，透过率逐渐降低；随着上下层厚度的增加，薄膜的电阻率逐渐增大，透过率先增大后减小。当AZO/Al/AZO薄膜厚度为65/15/65nm时，薄膜电阻率为7.06×10-4Ω cm，可见光区平均透过率65.76%，薄膜品质因子为3.15×10-4Ω-1；ZnO/Ag/ZnO薄膜厚度为50/15/50nm时，薄膜电阻率为5.66×10-5Ω·cm，可见光区平均透过率71.17%，薄膜品质因子为6.80×10-3Ω-1。中间金属层能在较大程度上改善ZnO基薄膜的电学性能，且用Ag做中间层的薄膜光电性能优于用Al做中间层的薄膜。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双靶反应共溅射论文参考文献
[1].李春梅,唐振方.双靶反应共溅射制备WC薄膜及其电催化性能[J].人工晶体学报.2016
[2].严帅.双靶反应磁控共溅射制备氧化锌基透明导电薄膜的研究[D].哈尔滨工业大学.2013
[3].刘丹,李合琴,武大伟,刘涛.双靶反应磁控共溅射制备Al掺杂ZnO薄膜及其光电性能[J].真空与低温.2011
[4].杨建平,李兴鳌,李永涛,任山令,王海云.直流磁控双靶反应共溅射制备钛酸铋铁电薄膜研究[C].Proceedingsofthe2011InternationalConferenceonFutureComputerScienceandApplication（FCSA2011V4）.2011
[5].杨建平,李兴鳌,李永涛,任山令,王海云.直流磁控双靶反应共溅射制备钛酸铋铁电薄膜研究[C].Proceedingsof2010InternationalConferenceonSemiconductorLaserandPhotonics(ICSLP2010).2010
[6].曹守娟.双靶直流反应磁控共溅射沉积TiAlN薄膜及其性能研究[D].东北大学.2009
[7].闫梁臣,熊小涛,杨会生,高克玮,王燕斌.磁控双靶反应共溅射(Ti,Al)N薄膜的研究[J].真空科学与技术学报.2005