紧束缚近似方法论文-施仲诚,房鸿

紧束缚近似方法论文-施仲诚,房鸿

导读:本文包含了紧束缚近似方法论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:紧束缚近似,最近邻原子,能带,轨道重迭

紧束缚近似方法论文文献综述

施仲诚,房鸿[1](2011)在《紧束缚近似方法在计算石墨烯能带中的应用》一文中研究指出通过引入紧束缚近似理论,使用Matlab计算了石墨烯的能带和π能带图.结果表明,考虑最近邻原子影响,在K?Γ?M-K方向的全能带图中,观察到了能带的简并特性及能带间的跳跃,与其他方法(如第一原理)相符.在正交基矢下,π能带(价带和导带)具有完全的对称性,加入轨道重迭后(即非正交基矢),对称性被破坏,表现为价带靠近费米面,导带远离费米面,从能量的位移上可以发现,远离比靠近的趋势更为明显.(本文来源于《西安工业大学学报》期刊2011年06期)

黄晓江[2](2006)在《用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响》一文中研究指出本文采用经验紧束缚近似方法研究了SiH_2在Si(100)-c(4×2)表面单空位处的吸附结构、0.5ML覆盖率氢化的硅表面结构以及附加硅原子在H-terminated Si(100)表面的沉积吸附行为。本文首先计算分析了SiH_2、SiH_2+H和SiH_2+2H等硅烷分解后的产物在硅表面的吸附特性,我们发现每种情况都有叁个可能吸附的位置,并且表面附着氢原子的出现可以造成这些吸附位置相对稳定性的逆转。其次本文还计算得到了c(4×4)和同侧吸附两种稳定的0.5ML的H-terminated Si(100)-p(2×2)表面结构,从理论上论证了实验上观测到的Si(100)-p(2×2)基底上形成的H-terminatedSi(100)-c(4×4)结构。同时,本文研究了附加硅原子在理想H-terminated Si(100)表面的沉积扩散行为,计算得到了一系列沉积点和可能的扩散路径;讨论分析了扩散行为的各向异性以及氢覆盖率对各向异性影响的规律,并且发现附加硅原子在H-terminated Si(100)表面上的扩散势垒比在清洁Si(100)表面上的高,我们认为这主要是因为氢原子饱和了表面上硅原子的悬挂键,提高了扩散势垒。本文最后研究了附加硅原子在有缺陷的H-terminated Si(100)表面的沉积扩散行为,发现H-terminatedSi(100)表面的单空位是附加硅原子理想的沉积点,并且随着结构的拓扑周期变短,附加硅原子跳出单空位也将更加困难。(本文来源于《苏州大学》期刊2006-05-01)

黄宏彬,蒋杰,陈坤基,冯端[3](2002)在《闪锌矿结构CdS量子点的电子结构:紧束缚近似下一种新的计算方法(英文)》一文中研究指出在紧束缚近似下发展了一种新的计算方法 ,计算了闪锌矿结构CdS量子点的电子结构 ,并与有效质量近似作了比较 .这种计算方法比较简洁 ,在K 空间进行计算 ,结果却与实空间复杂计算的结果一致 .紧束缚近似的理论结果在很大范围内可与实验结果相符合 .结果表明 ,紧束缚近似下K空间的计算方法是一种简单有效的方式 ,可以扩展到其它材料和结构(本文来源于《南京大学学报(自然科学版)》期刊2002年01期)

紧束缚近似方法论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文采用经验紧束缚近似方法研究了SiH_2在Si(100)-c(4×2)表面单空位处的吸附结构、0.5ML覆盖率氢化的硅表面结构以及附加硅原子在H-terminated Si(100)表面的沉积吸附行为。本文首先计算分析了SiH_2、SiH_2+H和SiH_2+2H等硅烷分解后的产物在硅表面的吸附特性,我们发现每种情况都有叁个可能吸附的位置,并且表面附着氢原子的出现可以造成这些吸附位置相对稳定性的逆转。其次本文还计算得到了c(4×4)和同侧吸附两种稳定的0.5ML的H-terminated Si(100)-p(2×2)表面结构,从理论上论证了实验上观测到的Si(100)-p(2×2)基底上形成的H-terminatedSi(100)-c(4×4)结构。同时,本文研究了附加硅原子在理想H-terminated Si(100)表面的沉积扩散行为,计算得到了一系列沉积点和可能的扩散路径;讨论分析了扩散行为的各向异性以及氢覆盖率对各向异性影响的规律,并且发现附加硅原子在H-terminated Si(100)表面上的扩散势垒比在清洁Si(100)表面上的高,我们认为这主要是因为氢原子饱和了表面上硅原子的悬挂键,提高了扩散势垒。本文最后研究了附加硅原子在有缺陷的H-terminated Si(100)表面的沉积扩散行为,发现H-terminatedSi(100)表面的单空位是附加硅原子理想的沉积点,并且随着结构的拓扑周期变短,附加硅原子跳出单空位也将更加困难。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

紧束缚近似方法论文参考文献

[1].施仲诚,房鸿.紧束缚近似方法在计算石墨烯能带中的应用[J].西安工业大学学报.2011

[2].黄晓江.用经验紧束缚近似方法研究硅表面氢化特性及其对同质生长的影响[D].苏州大学.2006

[3].黄宏彬,蒋杰,陈坤基,冯端.闪锌矿结构CdS量子点的电子结构:紧束缚近似下一种新的计算方法(英文)[J].南京大学学报(自然科学版).2002

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