导读:本文包含了叁元系压电陶瓷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:PZN-PNN-PSN-PZT,五元系压电陶瓷,Ba2+和La3+共掺杂,密度
叁元系压电陶瓷论文文献综述
张元松,张静,褚涛,刘长流,张珍宣[1]（2019）在《Ba~(2+)和La~(3+)共掺杂对PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷性能的影响》一文中研究指出采用固相烧结法制备了Ba~(2+)和La~(3+)共掺杂的PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷。通过XRD、SEM研究了组分的微观结构,并研究了不同Ba~(2+)和La~(3+)共掺杂量对组分的密度及压电介电性能的影响。研究表明:组分的相结构均为单一的ABO3型钙钛矿结构;当x≤0.025时,组分的密度变化不大,x>0.025时,密度略有下降;不同量的Ba~(2+)、La~(3+)共掺杂到组分中,所有陶瓷样品存在特征双峰和准同型相界。在x=0.025处,陶瓷的特征双峰逐渐向中间靠拢,说明该处的准同型相界结构最为稳定;当x=0.025时,陶瓷的压电介电性能获得最优,即:ε_r=6327、d_(33)=911pC/N、K_p=0.78、tan_δ=2.94%、Q_m=25。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2019年08期）
闫锋,郇正利,王文林[2]（2017）在《叁元系PZT-PMN体系压电陶瓷材料的制备与研究》一文中研究指出本文主要采用固相反应制备了PZT-PMN叁元系压电陶瓷材料。通过热失重(TG)和热差分析(DSC)、X射线衍射法(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电子色散谱仪(EDS)研究了该体系压电陶瓷的合成过程、晶体结构、断面形貌和成分组成。通过对PZT-PMN压电陶瓷Zr/Ti的调整找到了最佳性能的配方组成。(本文来源于《科技经济导刊》期刊2017年09期）
马建强[3]（2014）在《PZT-PNN-PZN四元系压电陶瓷的低温烧结与性能研究》一文中研究指出近年来,多层压电器件已广泛研究用于器件的整机一体化、小型化、复合化和高性能。为了用更便宜的金属电极如纯Ag或高Ag/低Pd实现多层压电陶瓷的共烧,降低烧结温度是必要的。因此,低温烧结压电陶瓷对制备廉价的多层压电器件十分重要。本文通过非化学计量、添加CuO为烧结助剂、增加组元的方法来降低压电陶瓷的烧结温度,研究其对PZT-PNN-PZN四元系压电陶瓷材料的烧结温度、微观形貌、烧结密度、介电和压电性能的影响。首先,采用一次合成法制备了PZT-PNN-PZN四元系压电陶瓷,在PZT-PNN-PZN四元系压电陶瓷中添加Pb_3O_4、NiO、ZnO,改变组分的非化学计量,研究了不同的Pb_3O_4、NiO、ZnO含量对于PZT-PNN-PZN四元系压电陶瓷的烧结特性和电性能的影响。实验结果表明:Pb_3O_4、NiO、ZnO的加入没有改变基体材料的晶体结构,同时在烧结过程中形成了液相,促进烧结致密化并降低了烧结温度。但Pb_3O_4、NiO、ZnO的加入恶化了样品的性能。采用分步合成法,1mol%N iO过量的样品在950°C下烧结4h后,其压电常数d33、介电损耗tanδ、相对介电常数ε_33~T/ε0分别为:337pc/N,2.1%,2311。同时,还研究了在二次合成前后加入NiO对于样品的烧结特性以及性能的影响,结果表明在合成后加入NiO样品烧结后的致密度更大,性能也比较优良。采用非化学计量能降低压电陶瓷的烧结温度,但严重恶化了压电和介电性能。其次,为了使陶瓷具有较低的烧结温度并同时具有优良的压电性能,采用最常见的烧结助剂CuO来实现。实验结果表明,CuO的加入没有改变基体的主晶相结构,同时能够明显提高材料的致密度。1mol%CuO掺杂的样品在950°C下烧结4h的压电常数d33、介电损耗tanδ、相对介电常数ε_33~T/ε0分别为:411pc/N,1.86%,2449,具有一定的应用潜力。C uO的添加能有效降低陶瓷的烧结温度,也能得到相对优良的压电和介电性能。最后,引入钙钛矿结构组元PFW作为烧结助剂,采用分步合成法制备(a-x)Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3-bPb(i_(1/3)Nb_(2/3))O_3-c Pb(Zn_(1/3) Nb_(2/3))O_3-xPb(Fe_(2/3)W_(1/3))O_3(a+b+c+x=1,0.06≤x≤0.10)陶瓷,研究了PFW含量对致密度、微观形貌、相结构、介电和压电性能,PFW的掺杂使材料的烧结温度从1180°C降低到940°C,PFW的添加增加了PFW-PNN-PZN-PZT陶瓷的烧结致密度和平均晶粒尺寸,当x=0.08时陶瓷在940°C烧结4h具有优良的性能:d33=496pC/N,ε_33~T/ε0=3119,tanδ=2.1%,and Tc=242°C。这些数值表明此新组成适用于多层压电器件。(本文来源于《天津大学》期刊2014-12-01）
王大伟,赵全亮,曹茂盛,崔岩,ZHANG,Shu-Jun[4]（2014）在《Sn含量对PbSnO_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3叁元系压电陶瓷相结构和电性能的影响》一文中研究指出采用两步钶铁矿前驱体工艺制备了PbSnO3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PSn-PMN-PT)叁元系压电陶瓷,研究了Sn含量的变化对PSn-PMN-PT叁元系压电陶瓷结构和性能的影响。XRD结果表明,所选成分均处于叁方相和四方相共存的准同型相界上,当Sn含量减少时,PSn-PMN-PT的XRD图谱基本没有发生变化,而当Sn含量增加时,在XRD图谱中逐渐出现烧绿石相。电性能研究表明,缺失少量Sn可以提高PSn-PMN-PT的压电、介电和铁电性能,减小损耗;而添加过量Sn明显损害其压电和铁电性能,增加损耗。缺失0.2mol%Sn的PSn-PMN-PT具有最佳的压电和铁电性能,d33:~530 pC/N,kp:~56.4%,Qm:~570,εr:~3070,tanδ:~0.32%,Pr:~28.9μC/cm2,EC:~8 kV/cm。(本文来源于《无机材料学报》期刊2014年01期）
时亮,张波萍,赵笑昆,朱立峰,赵磊[5]（2013）在《烧结温度对BiYbO_3–PbTiO_3–PbZrO_3叁元系压电陶瓷结构和性能的影响》一文中研究指出采用固相合成法制备0.55(0.1BiYbO3–0.9PbTiO3)–0.45PbZrO3+0.2%La2O3(BY–PT–PZ–La0.2)压电陶瓷。研究了烧结温度对BY–PT–PZ–La0.2压电陶瓷相结构、微观形貌及电学性能的影响。在1 080~1 220℃烧结温度范围内,样品的主相均为四方钙钛矿结构,c/a值由1.024提高到1.031。随烧结温度升高,Curie温度TC保持在379~385℃范围,相对密度和介电常数呈先增大后减小趋势,在1 130℃分别达到最大值97.58%和1 068。由于高致密度、较低的四方度c/a和较少的ZrO2杂相,在此温度烧结的陶瓷可获得最优电学性能:压电常数d33=276 pC/N,TC=382℃,剩余极化强度Pr=14.15μC/cm2,机电耦合系数kp=49.73%,介电损耗tanδ=0.023。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2013年12期）
郑木鹏,侯育冬,朱满康,严辉[6]（2013）在《PZN-PZT多元系压电陶瓷的研究进展》一文中研究指出PZN-PZT压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为目前研究与应用最为广泛的多元系压电陶瓷材料之一。本文主要介绍了其结构特点、改性方法及器件应用的研究进展,并展望了其发展趋势。(本文来源于《真空电子技术》期刊2013年04期）
郑木鹏,侯育冬,朱满康,严辉[7]（2013）在《PZN-PZT多元系压电陶瓷的研究进展》一文中研究指出PZN-PZT压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为目前研究与应用最为广泛的多元系压电陶瓷材料之一。本文主要介绍了其结构特点、改性方法及器件应用的研究进展,并展望了其发展趋势。(本文来源于《真空电子技术—陶瓷金属封接和真空电子与专用金属材料分会年会专辑》期刊2013-07-01）
左文武[8]（2013）在《铅基弛豫铁电体—锆钛酸铅四元系压电陶瓷的烧结特性及电性能研究》一文中研究指出为了能在较低的烧结温度下获得具有高压电常数d33、高机电耦合系数kp、高相对介电常数εT33/ε0、适中机械品质因数Qm和低介电损耗tanδ的压电陶瓷材料,以满足多层压电变压器、压电驱动器和陶瓷电容器等多层压电陶瓷器件应用要求,本文以ZnO、Li2C03和Bi203作为低温烧结助剂,研究其对PZT基四元系压电陶瓷材料的微观形貌、烧结密度、介电和压电性能的影响。首先,本文研究了添加ZnO/Li2C03比例和总量的不同对PZT基四元系压电陶瓷的烧结特性和电性能的影响。实验结果表明：ZnO/Li2C03的加入没有改变基体材料晶体结构,同时形成的液相促进了烧结致密化并降低了烧结温度。当ZnO:Li2C03=1:2,ZnO/Li2C03=3.75mol%时,在较低的温度范围内便能获得较高的致密度和综合电性能,可以满足多层陶瓷器件中不同内电极的使用要求,具有一定的实用价值。例如在820℃烧结2h后,其压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、介电常数εT33/ε0、介电损耗tan8分别为：545pC/N,0.52,56,3174,0.047,可以满足纯Ag浆作为内电极时的使用要求；在980℃烧结2h后,其电性能分别为：715pC/N,0.59,53,4153,0.031,可以满足90Ag-1OPd浆作为内电极时的使用要求；在1020℃烧结2h后,其电性能分别为：690pC/N,0.58,56,3730,0.035,可以满足85Ag-15Pd浆作为内电极时的使用要求。接着,本文还研究了烧结温度和保温时间对ZnO/Li2C03掺杂的PZT基四元系压电陶瓷材料的微观结构和机电性能的影响。实验表明：当烧结温度为1020℃时,晶界迁移能高,晶粒尺寸大且均匀,样品结构致密,气孔少。保温时间为2h时,液相浸润晶界充分,晶粒发育完整,晶界间隙小。综上所述,当烧结工艺为在1020℃下保温2h时,即可获得结构致密、微观组织均匀和电性能优异的样品。最后,为了进一步降低烧结温度,使之可以与低成本Ag-Pd电极相匹配,本文在添加ZnO/Li2C03(ZnO:Li2C03=1:2,ZnO/Li2C03=3.75mol％)的基础上,进一步研究了少量Bi203的添加对PZT基四元系压电陶瓷的致密化行为和电性能的影响。实验结果表明：少量Bi203没有改变主晶相结构,同时能明显提高材料致密度,Bi3+的掺杂作用还进一步增强了材料的弛豫特性。添加0.1m01%Bi203样品在820℃-1020℃下保温2h后的电性能为：d33=533～742pC/N,kp=0.56-0.64,Qm=42-68,εT33/εo=3122-4251,可以满足低成本Ag-Pd电极的使用要求,在多层压电陶瓷器件方面应用潜力巨大。(本文来源于《合肥工业大学》期刊2013-04-01）
吴涛[9]（2012）在《PMS-PZT叁元系压电陶瓷掺杂改性及其低温烧结性能研究》一文中研究指出近些年，随着PZT基压电陶瓷器件的广泛应用，大功率化和小型化已经成为了一个重要的发展方向，例如：压电陶瓷变压器、压电超声马达等。锑锰锆钛酸铅（PMS-PZT）叁元系陶瓷具有较好的压电性能和良好的烧结性能，为了进一步提高其各方面的综合性能，在本实验中我们对其进行了Sr、Mn的硬性掺杂改性、制备工艺的优化和掺杂低温烧结助剂CuO的性能研究，以期获得满足在实际应用要求的大功率压电陶瓷体。采用传统的固相烧结法制备了Pb_(1.04)(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3+xwt%SrCO_3+y wt%MnO_2叁元系压电陶瓷（简称PMS-PZT，其中x+y=0.3），研究了不同的Sr/Mn含量比对其性能的影响，通过X射线衍射（XRD）对试样的晶相进行了分析，用扫描电子显微镜（SEM）观察了试样的表面微观结构，并且讨论了其压电和介电性能，通过研究发现：在900℃煅烧，1180℃烧结保温2h，当Sr/Mn=1/1时，得到综合性能优良的压电陶瓷材料：压电系数d_(33)=320pC/N、机械品质因数Kp=0.56、损耗tanδ=0.32%、相对介电常数ε_(33)~T/ε_0=1519和机电耦合系数Qm=2080。在上一步得到的最佳的配方的前提下，研究了制备工艺对其压电介电性能的影响，包括合成温度、成型压力、极化条件和B位先驱体法。通过对其各方面性能的研究表明，最佳的合成温度、成型压力分别为900℃和300MPa，最佳的极化电场、极化时间和极化温度分别为3kv/mm、15min和130℃，得到的综合性能为：d_(33)=315pC/N，Kp=0.58，ε_(33)~T/ε0=1570和tanδ=0.33%。随后，又研究了B位先驱体法制备工艺，结果表明，采用B位先驱体法可以降低烧结温度，但同时也会恶化压电陶瓷电性能。为了降低烧结温度，尽量较少或者抑制PbO的挥发，我们在上述配方中掺杂了CuO，由于CuO和PbO可以形成低共熔物，促进烧结的进行，在较低的烧结温度下就会达到陶瓷体的致密化。研究了不同CuO含量对其性能的影响，通过显微结构和相结构的分析，结果表明：当CuO的掺杂量为0.1wt.%，烧结温度为925℃，可以得到综合性能较佳的压电陶瓷体，最佳的性能为：d_(33)=289pC/N、Kp=0.56、ε_(33)~T/ε_0=1621、tanδ=0.41%、Tc=260℃。(本文来源于《天津大学》期刊2012-12-01）
李建华[10]（2011）在《Sr掺杂四元系压电陶瓷压电性能研究》一文中研究指出采用传统的固相烧结法制备了Pb(Sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷,并通过添加SrCO3提高材料的性能。采用X线衍射对合成后材料的晶相进行分析,用扫描电子显微镜观察了样品表面的显微结构,并讨论了组成压电性能及温度稳定性的影响。当烧结温度为1 260℃并保温2h,且x(Sr)=0.02～0.04时,PSN-PZN-PZT系统的综合性能最佳:压电常数d33=288～291pC/N,机电耦合系数kp=53.6%～59.1%,机械品质因数Qm=1 529～1 554,TC=254～265℃。(本文来源于《压电与声光》期刊2011年06期）
叁元系压电陶瓷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要采用固相反应制备了PZT-PMN叁元系压电陶瓷材料。通过热失重(TG)和热差分析(DSC)、X射线衍射法(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电子色散谱仪(EDS)研究了该体系压电陶瓷的合成过程、晶体结构、断面形貌和成分组成。通过对PZT-PMN压电陶瓷Zr/Ti的调整找到了最佳性能的配方组成。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
叁元系压电陶瓷论文参考文献
[1].张元松,张静,褚涛,刘长流,张珍宣.Ba~(2+)和La~(3+)共掺杂对PZN-PNN-PSN-PZT五元系压电陶瓷性能的影响[J].中国陶瓷.2019
[2].闫锋,郇正利,王文林.叁元系PZT-PMN体系压电陶瓷材料的制备与研究[J].科技经济导刊.2017
[3].马建强.PZT-PNN-PZN四元系压电陶瓷的低温烧结与性能研究[D].天津大学.2014
[4].王大伟,赵全亮,曹茂盛,崔岩,ZHANG,Shu-Jun.Sn含量对PbSnO_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3叁元系压电陶瓷相结构和电性能的影响[J].无机材料学报.2014
[5].时亮,张波萍,赵笑昆,朱立峰,赵磊.烧结温度对BiYbO_3–PbTiO_3–PbZrO_3叁元系压电陶瓷结构和性能的影响[J].硅酸盐学报.2013
[6].郑木鹏,侯育冬,朱满康,严辉.PZN-PZT多元系压电陶瓷的研究进展[J].真空电子技术.2013
[7].郑木鹏,侯育冬,朱满康,严辉.PZN-PZT多元系压电陶瓷的研究进展[C].真空电子技术—陶瓷金属封接和真空电子与专用金属材料分会年会专辑.2013
[8].左文武.铅基弛豫铁电体—锆钛酸铅四元系压电陶瓷的烧结特性及电性能研究[D].合肥工业大学.2013
[9].吴涛.PMS-PZT叁元系压电陶瓷掺杂改性及其低温烧结性能研究[D].天津大学.2012
[10].李建华.Sr掺杂四元系压电陶瓷压电性能研究[J].压电与声光.2011
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