导读:本文包含了有机薄膜光电器件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:有机半导体,薄膜,光电性质
有机薄膜光电器件论文文献综述
钟志有,朱雅,陈首部,陆轴[1]（2018）在《光电器件中有机半导体薄膜的光学和电学性质研究（英文）》一文中研究指出采用真空热蒸发制备了AlQ,BAlQ和NPB有机半导体薄膜样品,探讨了薄膜的透射、吸收和光学性质.制备了有机薄膜样品的夹心结构器件,研究了其电流-电压特性.结果表明:有机薄膜的透明性能良好,AlQ和BAlQ具有几乎相同的直接光学能隙(4.46 eV),大于NPB的能隙值(3.11 eV). AlQ,BAlQ和NPB内部自由载流子浓度具有相同的数量级(1022m~(-3),但NPB具有最高的零电场迁移率(1.75×10~(-8)cm~2(V~(-1)·s~(-1))和电导率(1.45×10~(-10)S·cm~(-1)).(本文来源于《中南民族大学学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
司长峰[2]（2018）在《碱金属掺杂的ZnO薄膜的电子传输特性及在有机光电器件中的应用》一文中研究指出近年来,有机电子由于其成本低、可柔性、质轻、分子设计多样性等优点,吸引了越来越多的关注。有机电子器件包括有机发光器件(Organic Light-Emitting Devices,OLEDs)、光伏电池(Organic Photovoltaics,OPVs)、场效应晶体管(Organic Field Effect Transistors,OFETs)以及光电探测器和存储器等,在信息技术应用方面展现出巨大的应用前景。有机光电器件中的电子注入和传输对器件的性能起着重要的作用。氧化锌(ZnO)因其高电子迁移率和可见光透过率,以及大面积卷对卷制造等优点,被认为优异的n型半导体之一。研究发现掺杂型的ZnO具有更高的电荷载流子迁移率和较好的能级匹配,有利于提高了薄膜电子注入和传输能力。本论文系统研究了氢氧化锂(LiOH)、氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)等碱金属阳离子,锂卤盐(LiF、LiCl、LiBr、LiI)等阴离子,以及8-hydroxyquinolatolithium(Liq)掺杂的氧化锌对其薄膜及其有机光电器件性能的影响。首先,本文提出一种新颖的溶液法工艺,制备了叁种碱金属(LiOH、NaOH和KOH)掺杂的ZnO薄膜。分别测量了非掺杂和不同碱金属离子掺杂的ZnO薄膜的表面形貌,光物理和电学性质。首次提出将碱金属掺杂的ZnO薄膜作为电子注入层(EIL)应用到以叁(8-羟基喹啉)铝(Alq_3)为发光层的OLEDs中,以改善从阴极注入的电子能力;并研究了不同掺杂浓度和不同碱金属阳离子的ZnO掺杂薄膜作为EIL对OLEDs器件性能的影响。结果发现,10%摩尔比为最优掺杂浓度,器件亮度和电流效率与基于纯ZnO EIL器件相比,都得到明显提高。进一步发现基于10%KOH掺杂的ZnO的器件在100 cd m~(-2)亮度值下,最大电流效率可达到6.6 cd A~(-1)。此外,在基于聚(3-己基噻吩)(P3HT):[6,6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(PCBM)的倒置OPVs中,采用碱金属掺杂的ZnO作为阴极缓冲层。同样发现,基于10%KOH掺杂ZnO薄膜的OPVs器件表现出最优的性能。与纯ZnO缓冲层相比,10%K~+掺杂的ZnO缓冲层器件的开路电压(V_(oc))从0.61 V提高到0.62 V,填充因子(FF)从0.55增加到0.62,短路电流(J_(sc))8.37 mA cm~(-2)提高到8.50 mA cm~(-2)。其次,本文采用相同工艺制备了LiF,LiCl,LiBr,LiI掺杂ZnO薄膜,旨在探究锂盐中阴离子对ZnO薄膜影响。在OLEDs中使用不同的卤化锂掺杂的ZnO薄膜作为EIL,以改善从阴极注入电子能力,并调查了不同卤化锂掺杂比的ZnO EIL对OLEDs性能的影响。对比发现,10%掺杂的卤化锂掺杂ZnO薄膜性能相对优异。与LiF,LiCl和LiI+ZnO EIL相比,10%LiBr+ZnO EIL的最大电流效率为6.0 cd A~(-1),并表现出较低的效率滚降。此外,使用这些掺杂的ZnO薄膜作为缓冲层制备了基于P3HT:PCBM的倒置型OPVs器件,发现基于10%LiF+ZnO的OPVs器件表现出最好的性能。最后,本文采用Liq梯度掺杂ZnO(Li-ZnO)薄膜作为EIL,应用于倒置OLEDs。通过采用新颖的热退火工艺,诱导Liq的Li离子扩散到ZnO薄膜中,进而制备出梯度掺杂的Li-ZnO EIL。相比于纯ZnO薄膜器件,UV处理的Li-ZnO EIL应用到Alq_3作为发光层的倒置OLEDs电流效率最大可达4.42 cd A~(-1)。器件性能的提高归因于由于Li-ZnO层的引入,提高了电子注入和传输能力,UV处理钝化了ZnO层缺陷态,从而提高了器件稳定性。(本文来源于《上海大学》期刊2018-03-01）
王卉[3]（2016）在《大面积有机一维微米线阵列与二维单晶薄膜的制备及其光电器件研究》一文中研究指出近十年来,由有机小分子半导体材料制备的微纳晶体越来越受到研究者的关注。因为相比于无机半导体材料,有机材料在具有低成本、机械柔韧性、低的生长温度等优势的同时,还可以通过改变分子结构灵活的调控其电学性能。而有机晶体结构相较于非晶结构,在提高所构建器件的光电性能方面更具优势。但通过常规方法制备大面积一维单晶纳米线和二维单晶纳米薄膜还面临着很大的挑战。材料尺寸的局限性,使对其光电性能的研究仍停留在单个器件的阶段,阻碍了其集成化应用。大面积一维单晶微米线和二维单晶纳米薄膜的成功制备,可以把性能研究从单个器件阶段提升到集成器件阶段,这大大促进微纳米晶体结构的大规模集成化应用。本论文着重研究了大面积有机一维微米线阵列和二维单晶薄膜的制备及其在光电器件上的应用。一、光刻胶辅助提拉法原位快速生长大面积高度有序的一维C60微米线阵列及其光电探测性能的研究该工作把光刻胶辅助挥发法与提拉技术相结合,可以在极短的时间里制备大面积超长富勒烯微米线(C60 MWs)阵列。所得C60微米线截面为标准的正六边形是完美的单晶结构,阵列面积可达到1×1cm2。基于模板作用,新方法通过改变模板图案来调控阵列密度,同时实现了不同根数的C60微米线阵列在金电极对上精确定点定位生长。这一优势很好的应用到器件构建上,避免了在有机纳米材料上直接光刻,一步法完成光电探测集成器件的制备。基于C60微米线阵列制备的光电探测器显示了优异而稳定的光响应性能。同时,高晶体质量的C60微米线阵列不但可以在硬的Si O2/Si基底上生长,还可以在柔性的PET基底上直接生长。本工作所提出的新方法具有简便性、普适性,在构建大面积高性能功能化的有机晶体集成器件方面具有巨大潜能。二、利用叁相界面法制备二维大面积C10-BTBT单晶薄膜及其有机场效应晶体管(OFETs)的研究本工作提出一种新的方法r-LB(reverse-Langmuir–Blodgett)技术辅助挥发法,来直接一步法生长二维大面积有机C10-BTBT单晶薄膜。结合液面张力和外部施加的驱动力以形成扩展力。在扩展力的作用下有机小分子溶液缓慢平铺在水面上,同时随着有机溶剂的挥发,在有机溶液/水/空气叁相接触线处有机小分子自组装生长成单晶薄膜。单晶薄膜可以从水面上转移到任意基底上(硬基底Si O2/Si、柔性PEN基底)。所得到的C10-BTBT二维单晶薄膜厚度可以在几纳米到几十纳米之间进行调控,面积达到厘米尺度。由该方法所得到的有机单晶薄膜应用到OFETs上,器件具有极高的迁移率(>10 cm2V-1s-1)和极大的开关比(>107),同时超大面积的优势为其在以后的集成器件应用中提供了可能。(本文来源于《苏州大学》期刊2016-04-01）
田苗苗,贺小光,祁金刚,王宁[4]（2015）在《IPTO薄膜制备及其在有机光电器件中的应用》一文中研究指出新型IPTO(Pr Ti O3掺杂In2O3)薄膜的可见光透过率及导电性可与商业化的ITO薄膜媲美。采用双源电子束设备制备了一种新型的IPTO透明导电薄膜,通过开尔文探针法测试,其功函数为5.14 e V。为验证新型IPTO透明导电阳极对有机电致发光器件性能的影响,将IPTO替代商业化ITO作为阳极制备了有机电致发光器件。基于IPTO阳极的器件的亮度最大值为85 140 cd/m2,外量子效率最大值为3.16%,分别为以ITO为阳极的器件的3倍及1.13倍。这种性能的改善是由于IPTO具有较小的表面粗糙度及较高的功函数,可以降低阳极的注入势垒,有利于电荷向有机层注入,改善了器件内的空穴及电子的注入平衡。(本文来源于《发光学报》期刊2015年10期）
周世杰[5]（2014）在《PEDOT:PSS薄膜的改性及其作阳极在柔性有机光电器件中的应用》一文中研究指出近年来，随着高电导率和光学透明的材料取得巨大进展，各种光电器件受到广泛研究和关注，特别是柔性有机太阳能电池（flexible organic solar cell，FOSC）和柔性有机电致发光二极管（flexible organic light-emitting diode，OLED）等有机电子器件，它有着低成本的制备，简单的工艺，可弯曲和滚筒式批量生产等特点。目前，常采用氧化铟锡（ITO）做OSC和OLED的透明电极。ITO薄膜易碎，不适合在柔性或可弯曲器件上的应用。为了解决这些问题，现在很多人正在研究碳纳米管、石墨烯、薄膜金属、金属网格和导电高分子等来代替ITO。特别地，导电高分子有着高导电率和透明性，是一种很好透明电极材料。其中聚（3,4-乙撑二氧噻吩）[poly(3,4-ethylenedioxythiophen)，PEDOT]是在导电高分子中最具有潜力的一种材料。由于PEDOT的能带低、环境稳定性好、透光率好和氧化还原性低等特点。目前PEDOT已被广泛应用于有机太阳能电池、有机发光二极管及超级电容器等研究领域。大量研究表明，用有机溶剂、表面活性剂、盐溶液和酸溶液对聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐[poly(3,4-ethylenedioxythiophen):poly(4-styrenesulfoate)，PEDOT:PSS]进行预处理或后处理，使PEDOT:PSS薄膜的导电率提高了2-3个数量级。提高电导率的原因是PEDOT:PSS的形态发生改变，比如聚合物PEDOT的链段伸展、团聚和PEDOT与PSS的相分离等。本文用了十二烷基苯磺酸（Dodecyl benzenesulfonic acid，DBSA）溶液对PEDOT:PSS薄膜进行后处理，并研究DBSA溶液对PEDOT:PSS薄膜导电性的影响与其本质，以及研究了PEDOT:PSS作为透明电极在柔性有机发光二极管和柔性有机太阳能电池的应用。实验证明，当用25%（体积分数）的DBSA溶液对PEDOT:PSS薄膜进行120℃退火处理20分钟，最后得到PEDOT:PSS薄膜的电导率比原来的提高了叁个数量级。未处理前的PEDOT:PSS电导率为3S/cm，处理后PEDOT:PSS薄膜的导电率提高到1458S/cm。目前有报道，用硫酸处理的方法可得到高电导率的PEDOT:PSS薄膜。但是当制备以PET等塑料薄膜为衬底的柔性有机电子器件时，使硫酸处理PEDOT:PSS薄膜会把PET等塑料衬底腐蚀掉。而用DBSA溶液的处理方法则不会对PET衬底产生影响，适合制备柔性有机电子器件。通过原子力显微镜（AFM）、紫外-可见吸收光谱、X射线光电子能谱（XPS）等测试手段来分析和探讨PEDOT:PSS薄膜的电导率提高的原因。测试结果表明，经过DBSA溶液处理的PEDOT:PSS薄膜表面形貌发生了改变，处理后的PEDOT:PSS薄膜表面变得较粗糙了。主要原因是，DBSA溶液处理后，PEDOT:PSS中的过剩的绝缘成分PSS减少了，PEDOT聚合物链段发生聚集，有利于聚合物中的电荷传输，从而提高了PEDOT:PSS薄膜的电导率。把这种经DBSA溶液处理的PEDOT:PSS薄膜作透明阳极应用在有机电致发光二极管中，并研究其器件性能。采用溶液加工方法制备基于以PET塑料片作衬底以及PEDOT:PSS薄膜作透明阳极的柔性有机电致发光二极管，器件结构为PEDOT:PSS（anode）/PEDOT:PSS4083/EML/Ba/Al，结果表明，用PEDOT:PSS薄膜作阳极的有机电致发光二级管，无论是硬性衬底还是柔性衬底，其器件性能与ITO作阳极的器件的性能很接近，甚至在低电场时，PEDOT:PSS作阳极的器件性能比ITO作阳极的器件性能好。对于以P-PPV为发光层的器件，当器件亮度为100cd/m2时，PEDOT:PSS薄膜作阳极的柔性OLED器件的电流效率为10.4cd/A，所需的工作电压为5.25V，而ITO作阳极的器件最高电流效率为14.39cd/A，在100cd/m2时，所需的工作电压为5.87V，对应的电流效率为6.8cd/A；当器件亮度为1000cd/m2，PEDOT:PSS薄膜作阳极的柔性OLED器件的电流效率为13cd/A，而ITO作阳极的器件的电流效率为10.3cd/A。这也说明了，PEDOT:PSS薄膜作柔性有机电子器件的阳极是具有很好的应用潜力。最后尝试采用经DBSA溶液处理的PEDOT:PSS薄膜作透明阳极，制备了以PET塑料片作衬底的柔性有机太阳能电池器件。实验结果表明，基于PEDOT:PSS作阳极的柔性有机太阳电池的开路电压为0.84V，短路电流为6.79mA/cm2，能量转换效率为2.96%，比ITO器件的能量转换效率（4.08%）稍低一些。主要原因是PEDOT:PSS薄膜的电导率不够高，使器件的串联电阻比较大，不利于抽取器件内部的空穴，从而降低器件的能量转换效率。(本文来源于《华南理工大学》期刊2014-06-09）
曲崇,徐征,张世玉,冯贞健,田丽杰[6]（2012）在《有机-无机复合薄膜电致发光器件中势垒对光电性能的影响》一文中研究指出利用无机非晶SiO2与有机聚合物PPV复合制备了异质结器件,研究了不同层之间由于能级匹配而产生的势垒对整个器件的光电性能的影响。对于单层有机器件ITO/PPV/Al及双层有机无机复合器件ITO/PPV/SiO2/Al,空穴的注入取决于ITO/PPV界面的势垒,空穴是多数载流子,发光强度主要取决于电子的注入。单层器件电子的注入能力与PPV/Al界面的势垒有关;双层器件由于引进SiO2层,提高了电子的注入能力,其发光强度和发光效率较单层器件都有改善。对于3层有机-无机复合器件ITO/SiO2/PPV/SiO2/Al,在两个方向上电子注入的势垒不同,电子的注入能力有所差别,交流激发时,当Al电极为负(ITO为正)时,器件的最大瞬时发光强度是当ITO电极为负(Al为正)时最大瞬时发光强度的1.3倍。(本文来源于《光电子.激光》期刊2012年01期）
王宁[7]（2010）在《新型透明导电氧化物薄膜的设计与制备及其在有机光电器件中的应用研究》一文中研究指出透明导电氧化物(TCO)薄膜是一种重要的宽禁带光电薄膜,它是当代微电子学、光电子学、磁电子学、太阳能电池、传感器、电子物理器件等新兴交叉学科和技术的材料基础,并广泛地渗透到当代科技的各个领域。随着薄膜科学与技术的迅速发展,各种新型的光电子器件也不断出现,特别是以有机电致发光与有机光伏为代表的新型器件的出现,为开发新型功能薄膜和更优异的器件性能开辟了许多新的研究方向,并取得了令人瞩目的应用成果。本论文主要针对当前TCO的研究工作的热点问题,利用真空热蒸发和末端离子源辅助沉积的电子束蒸发方法,通过合理的理论设计,对当前氧化铟锡(ITO)在有机光电器件中的应用存在的问题进行了探索性研究,首次制备出一系列的二元及叁元的新型TCO材料,获得了一些初步的结果。主要创新性结果如下:(1)首次报导了两种新的TCO材料,掺钒的氧化铟薄膜(IVO)及掺铋的氧化铟薄膜(IBO)。在薄膜未进行过退火处理的情况下,通过各种表征手段研究了薄膜的光电特性及钒与铋掺杂对氧化铟的电学及光学性质的影响。结果表明,IVO及IBO都有着与商业ITO可比拟的电学及光学特性。基于它们制备的有机电致发光器件(OLED)都获得了比基于ITO阳极器件更好的性能。(2)首次报导了两种新型的高功函数的叁元体系TCO材料,掺钛酸镁的氧化铟薄膜(IMTO)及掺钛酸镨的氧化铟薄膜(IPTO)。我们详细地研究了这两种TCO材料的光电特性。IMTO与IPTO都有着较为平坦及光滑的表面,两者都有着较高的可见光透过率(~80%)和较大的禁带宽度(4.65 eV与4.26 eV)。IMTO与IPTO都有着可与金的功函数媲美的表面功函数(> 5.1 eV),而且两种薄膜的表面功函数有着非常高的均一性及大气稳定性。基于这两种薄膜的OLED器件表现出比基于ITO器件更好的性能。与传统的叁元制备方法相比,我们的方法不仅对设备的要求不高而且成本较低,便于今后的大规模商业应用。(3)首次报导了一种新型的叁元体系的TCO材料,掺杂钛酸镧的TCO薄膜(ILTO)。ILTO除了有着优异的光电特性外,在室温下该材料还具有近紫外(386 nm)的PL特性。我们期望该材料在金属氧化物体系,特别是多重氧化物体系中能够做为一种功能层去实现近紫外的光致发光(PL)及电致发光(EL)器件。ILTO具有高达5.2 eV的表面有效功函数,而且该薄膜功函数的热稳定性非常好。利用ILTO阳极制备的OLED比ITO阳极器件获得了更好的电致发光性能;基于ILTO阳极的有机太阳能电池(OSC)也取得了比基于ITO阳极的OSC更好的光电转换性能。ILTO作为新型TCO阳极,在有机光电子器件中表现出了优异的性能。(本文来源于《中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）》期刊2010-03-01）
刘祖刚,沈悦,蒋雪茵,张志林,赵伟明[8]（1993）在《Diamine的光、电性质及其在有机薄膜电致发光器件中的应用》一文中研究指出合成了芳香族二胺类衍生物(diamine),测定了它的光、电性质.制备了diamine作为空穴传输层的二层结构有机薄膜电致发光器件,使器件的发光亮度相对单层器件有了很大的提高.并用不同区域掺杂的方法,探讨了电致发光机理.分析、讨论了激子的形成和复合区域,较好地解释了单、双层器件的不同的电流电压关系和不同的亮度电压关系.从激子的扩散方程出发,对双层掺杂器件的发光强度比数据进行了拟合,确证了激子的扩散模式.(本文来源于《发光学报》期刊1993年02期）
有机薄膜光电器件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来,有机电子由于其成本低、可柔性、质轻、分子设计多样性等优点,吸引了越来越多的关注。有机电子器件包括有机发光器件(Organic Light-Emitting Devices,OLEDs)、光伏电池(Organic Photovoltaics,OPVs)、场效应晶体管(Organic Field Effect Transistors,OFETs)以及光电探测器和存储器等,在信息技术应用方面展现出巨大的应用前景。有机光电器件中的电子注入和传输对器件的性能起着重要的作用。氧化锌(ZnO)因其高电子迁移率和可见光透过率,以及大面积卷对卷制造等优点,被认为优异的n型半导体之一。研究发现掺杂型的ZnO具有更高的电荷载流子迁移率和较好的能级匹配,有利于提高了薄膜电子注入和传输能力。本论文系统研究了氢氧化锂(LiOH)、氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)等碱金属阳离子,锂卤盐(LiF、LiCl、LiBr、LiI)等阴离子,以及8-hydroxyquinolatolithium(Liq)掺杂的氧化锌对其薄膜及其有机光电器件性能的影响。首先,本文提出一种新颖的溶液法工艺,制备了叁种碱金属(LiOH、NaOH和KOH)掺杂的ZnO薄膜。分别测量了非掺杂和不同碱金属离子掺杂的ZnO薄膜的表面形貌,光物理和电学性质。首次提出将碱金属掺杂的ZnO薄膜作为电子注入层(EIL)应用到以叁(8-羟基喹啉)铝(Alq_3)为发光层的OLEDs中,以改善从阴极注入的电子能力;并研究了不同掺杂浓度和不同碱金属阳离子的ZnO掺杂薄膜作为EIL对OLEDs器件性能的影响。结果发现,10%摩尔比为最优掺杂浓度,器件亮度和电流效率与基于纯ZnO EIL器件相比,都得到明显提高。进一步发现基于10%KOH掺杂的ZnO的器件在100 cd m~(-2)亮度值下,最大电流效率可达到6.6 cd A~(-1)。此外,在基于聚(3-己基噻吩)(P3HT):[6,6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(PCBM)的倒置OPVs中,采用碱金属掺杂的ZnO作为阴极缓冲层。同样发现,基于10%KOH掺杂ZnO薄膜的OPVs器件表现出最优的性能。与纯ZnO缓冲层相比,10%K~+掺杂的ZnO缓冲层器件的开路电压(V_(oc))从0.61 V提高到0.62 V,填充因子(FF)从0.55增加到0.62,短路电流(J_(sc))8.37 mA cm~(-2)提高到8.50 mA cm~(-2)。其次,本文采用相同工艺制备了LiF,LiCl,LiBr,LiI掺杂ZnO薄膜,旨在探究锂盐中阴离子对ZnO薄膜影响。在OLEDs中使用不同的卤化锂掺杂的ZnO薄膜作为EIL,以改善从阴极注入电子能力,并调查了不同卤化锂掺杂比的ZnO EIL对OLEDs性能的影响。对比发现,10%掺杂的卤化锂掺杂ZnO薄膜性能相对优异。与LiF,LiCl和LiI+ZnO EIL相比,10%LiBr+ZnO EIL的最大电流效率为6.0 cd A~(-1),并表现出较低的效率滚降。此外,使用这些掺杂的ZnO薄膜作为缓冲层制备了基于P3HT:PCBM的倒置型OPVs器件,发现基于10%LiF+ZnO的OPVs器件表现出最好的性能。最后,本文采用Liq梯度掺杂ZnO(Li-ZnO)薄膜作为EIL,应用于倒置OLEDs。通过采用新颖的热退火工艺,诱导Liq的Li离子扩散到ZnO薄膜中,进而制备出梯度掺杂的Li-ZnO EIL。相比于纯ZnO薄膜器件,UV处理的Li-ZnO EIL应用到Alq_3作为发光层的倒置OLEDs电流效率最大可达4.42 cd A~(-1)。器件性能的提高归因于由于Li-ZnO层的引入,提高了电子注入和传输能力,UV处理钝化了ZnO层缺陷态,从而提高了器件稳定性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
有机薄膜光电器件论文参考文献
[1].钟志有,朱雅,陈首部,陆轴.光电器件中有机半导体薄膜的光学和电学性质研究（英文）[J].中南民族大学学报(自然科学版).2018
[2].司长峰.碱金属掺杂的ZnO薄膜的电子传输特性及在有机光电器件中的应用[D].上海大学.2018
[3].王卉.大面积有机一维微米线阵列与二维单晶薄膜的制备及其光电器件研究[D].苏州大学.2016
[4].田苗苗,贺小光,祁金刚,王宁.IPTO薄膜制备及其在有机光电器件中的应用[J].发光学报.2015
[5].周世杰.PEDOT:PSS薄膜的改性及其作阳极在柔性有机光电器件中的应用[D].华南理工大学.2014
[6].曲崇,徐征,张世玉,冯贞健,田丽杰.有机-无机复合薄膜电致发光器件中势垒对光电性能的影响[J].光电子.激光.2012
[7].王宁.新型透明导电氧化物薄膜的设计与制备及其在有机光电器件中的应用研究[D].中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）.2010
[8].刘祖刚,沈悦,蒋雪茵,张志林,赵伟明.Diamine的光、电性质及其在有机薄膜电致发光器件中的应用[J].发光学报.1993