导读:本文包含了六噻吩论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:噻吩,硫杂环化合物,晶体,光谱性质
六噻吩论文文献综述
冷霞,马玉臣[1]（2014）在《用多体格林函数方法计算低聚六噻吩晶体的光谱性质》一文中研究指出低聚噻吩分子为线性π-共轭分子,近几年来,越来越多的人致力于研究它在有机光电器件中的应用。虽然拥有很高的关注度,但是,低聚噻吩的光学性质至今仍然很难解释。我们利用基于多体格林函数的GW方法和Bethe-Salpeter方程计算了低聚六噻吩晶体的光谱性质。六噻吩晶体晶胞有四个分子,分子呈人字形排列,属于单斜晶晶系。其初始结构如下:在我们的计算中,入射光的极化方向平行于b轴,即垂直于晶体的最长轴。在六噻吩晶体中,既有分子内的Frenkel激子,也有分子间的电荷转移激发态。我们计算的激子能量与实验一致。由于对称性,能量较低的Frenkel激子存在Davydov分裂,形成能量差大约0.03e V的两个双重简并的Davydov能级。能量较高的吸收峰来源于分子间的电荷转移激发态,由HOMO→LUMO的跃迁构成。(本文来源于《中国化学会第十二届全国量子化学会议论文摘要集》期刊2014-06-12）
张波,太惠玲,段成丽,谢光忠,蒋亚东[2]（2014）在《多壁碳纳米管/α-六噻吩双层OTFT气体传感器的制备及特性分析》一文中研究指出以多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWCNTs)和α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)双层膜作为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)作为电极,制备了沟道宽长比为640的有机薄膜晶体管(organic thin-film transistors,OTFT)气体传感器。测试了该传感器对痕量二氧化氮(NO2)气体的实时响应特性,并分析了NO2气体对OTFT传感器阈值电压、载流子迁移率等多参数的影响。研究结果表明,基于MWCNTs/α-6T的OTFT器件有较好的电学特性,载流子迁移率为3.0×10-2cm2/V·s;OTFT传感器对NO2气体具有较高的响应率,响应和恢复时间短,能检测(0.2~1)×10-6的痕量NO2气体,且具有良好的重复性;同时可以利用阈值电压和载流子迁移率等多参数来表征响应结果。形貌分析结果表明双层敏感膜的特殊形貌有利于提高器件的气敏性能。(本文来源于《功能材料》期刊2014年06期）
李娴,蒋亚东,谢光忠,太惠玲[3]（2012）在《α-六噻吩OTFT器件痕量NO_2气体传感器的制备及特性研究》一文中研究指出以α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)为电极,分别制备了沟道宽长比为40、160和640的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFT)器件。讨论了OTFT器件的宽长比对二氧化氮气敏性能的影响。结果表明,基于α-6T的OTFT器件对二氧化氮气体具有较高的实时响应;OTFT器件对二氧化氮气体的气敏性能与沟道宽长比有依赖关系,随着沟道宽长比的增大,器件的响应灵敏度提高、响应时间延长,宽长比为160的器件气敏性能最佳。(本文来源于《材料导报》期刊2012年22期）
杨继平,丁晨,陈向东,张维[4]（2011）在《荧光光谱法研究六噻吩与富勒烯的相互作用》一文中研究指出文章采用荧光光谱法研究在六噻吩(6T)/富勒烯(C60,C70和C84)混合液中由电子转移所引起的荧光猝灭现象,并由Stern-Volmer方程分别确定了6T/C60、6T/C70和6T/C84混合液中的双分子猝灭速率常数。结果表明,双分子猝灭速率常数与富勒烯的电子亲和力相关,对6T/C60、6T/C70和6T/C84混合液自由能变化(ΔGCS)的计算进一步证实了该相关性。(本文来源于《合肥工业大学学报(自然科学版)》期刊2011年01期）
沐俊应[5]（2008）在《柔性基底上有序生长六噻吩薄膜及其在太阳电池中的应用》一文中研究指出有机半导体材料具有质量轻、柔韧易加工性、可低温大面积成膜等特点,将低成本的有机半导体材料用于微电子及光电子器件的研究近年来受到高度重视。六噻吩(6T)是迄今发现空穴迁移率最高的有机半导体材料之一,是有机薄膜晶体管半导体层、有机发光二极管空穴传输层、以及有机薄膜太阳电池电子给体层的潜在备选材料,相关薄膜沉积工艺及器件研究非常必要。采用石英晶体微天平实时监测薄膜生长速率,控制生长速率和基底温度,分别在柔性聚乙烯吡咯烷酮(PVP)绝缘层和柔性氧化铟锡(ITO)透明导电层上真空蒸发沉积了分子有序排列的六噻吩薄膜。X射线衍射(XRD)分析表明,生长速率太高或太低都将导致薄膜结晶度的下降。对PVP基底,六噻吩薄膜有序生长的条件为生长速率10nm/min、基底温度90℃,分子链取向始终与基底平行,降低基底温度将导致薄膜结晶度的下降。扫描电镜(SEM)分析显示,室温下沉积的六噻吩薄膜由10hm级宽、100nm级长的秆状晶粒构成,而较高温度下沉积的六噻吩薄膜则由1μm级尺寸的片状晶粒构成。后者结晶度明显高于前者,可见SEM与XRD分析结果一致。而对ITO基底,六噻吩薄膜有序生长的条件为生长速率10nm/min、基底温度50℃。基底温度显着影响六噻吩分子取向,室温下六噻吩分子链与基底呈一定夹角,随着温度的提高六噻吩分子链趋向与基底平行,且紫外可见光谱中514nm处吸收峰发生红移。在优化六噻吩薄膜沉积工艺的基础上,以ITO为基底制备了基于6T/C_(60)的柔性薄膜太阳电池。平面异质结器件ITO/6T/C_(60)/Al的C_(60)层恒定为60nm,将6T层厚度从20nm提高到40nm,发现30nm时器件光伏性能最佳,10m W·cm~(-2)模拟太阳光下短路电流Isc为0.380mA·cm~(-2),开路电压Voc为0.330V,填充因子FF为0.41,光电转换效率η为0.51%。在C_(60)和Al层之间引入6nm厚度CuPc电极修饰层,FF及η均有所提高。采用单舟蒸发沉积了6T:C_(60)主体异质结薄膜,制备的混合型结构器件ITO/6T(20nm)/6T:C_(60)(20nm)/C_(60)(50nm)/Al的Isc为0.405mA·cm~(-2),Voc为0.364V,FF为0.39,η为0.58%。(本文来源于《中南大学》期刊2008-06-30）
沐俊应,陈振兴,梁氏秋水[6]（2007）在《柔性衬底上六噻吩薄膜的有序生长》一文中研究指出采用石英晶体微天平实时监测薄膜生长速率,控制衬底温度和生长速率,分别在柔性聚乙烯吡咯烷酮(PVP)绝缘层和柔性氧化铟锡(ITO)透明导电层上真空蒸发沉积了分子有序排列的六噻吩薄膜。X射线衍射分析表明,对PVP层而言,六噻吩薄膜有序生长的条件为衬底温度90℃、生长速率10 nm/min,六噻吩分子链始终与衬底平行,降低衬底温度将导致薄膜结晶度的下降。而对ITO层来说,六噻吩薄膜有序生长的条件为衬底温度50℃、生长速率10 nm/min,衬底温度显着影响了六噻吩分子取向,室温下六噻吩分子链与衬底成一定夹角,随着温度的提高六噻吩分子链趋向与衬底平行。对PVP和ITO衬底,生长速率太高或太低都将导致薄膜结晶度的下降。(本文来源于《微细加工技术》期刊2007年06期）
六噻吩论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWCNTs)和α-六噻吩(α-sexithiophene,α-6T)双层膜作为有源层,二氧化硅(SiO2)为绝缘层,钛/金(Ti/Au)作为电极,制备了沟道宽长比为640的有机薄膜晶体管(organic thin-film transistors,OTFT)气体传感器。测试了该传感器对痕量二氧化氮(NO2)气体的实时响应特性,并分析了NO2气体对OTFT传感器阈值电压、载流子迁移率等多参数的影响。研究结果表明,基于MWCNTs/α-6T的OTFT器件有较好的电学特性,载流子迁移率为3.0×10-2cm2/V·s;OTFT传感器对NO2气体具有较高的响应率,响应和恢复时间短,能检测(0.2~1)×10-6的痕量NO2气体,且具有良好的重复性;同时可以利用阈值电压和载流子迁移率等多参数来表征响应结果。形貌分析结果表明双层敏感膜的特殊形貌有利于提高器件的气敏性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
六噻吩论文参考文献
[1].冷霞,马玉臣.用多体格林函数方法计算低聚六噻吩晶体的光谱性质[C].中国化学会第十二届全国量子化学会议论文摘要集.2014
[2].张波,太惠玲,段成丽,谢光忠,蒋亚东.多壁碳纳米管/α-六噻吩双层OTFT气体传感器的制备及特性分析[J].功能材料.2014
[3].李娴,蒋亚东,谢光忠,太惠玲.α-六噻吩OTFT器件痕量NO_2气体传感器的制备及特性研究[J].材料导报.2012
[4].杨继平,丁晨,陈向东,张维.荧光光谱法研究六噻吩与富勒烯的相互作用[J].合肥工业大学学报(自然科学版).2011
[5].沐俊应.柔性基底上有序生长六噻吩薄膜及其在太阳电池中的应用[D].中南大学.2008
[6].沐俊应,陈振兴,梁氏秋水.柔性衬底上六噻吩薄膜的有序生长[J].微细加工技术.2007