导读:本文包含了集成稳压论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:集成电流,稳压电源,设计分析
集成稳压论文文献综述
曹嘉伟[1]（2019）在《基于集成直流稳压电源设计研究》一文中研究指出电子设备已经在人们的生产生活中逐渐得到普及,每一款电子设备都需要稳定的直流电源来提供稳定的供电支持,确保电子电路的正常运转,电源质量的好坏会直接关系到电子设备的运行安全性以及使用寿命。本文对集成直流稳压电源进行设计分析,对提高直流稳压电源的稳定性有重要意义。(本文来源于《电子制作》期刊2019年19期）
廉鹏飞,刘楠,孔泽斌,吉裕晖,陈萝娜[2]（2018）在《一种集成稳压器的失效机理分析》一文中研究指出对一种集成稳压器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。通过内部目检、微光分析、扫描电镜及能谱分析,定位了集成稳压器的失效点。采用仿真和实验分别对稳压器的失效原因进行了分析和验证,搭建了输出端到公共端存在电流通路的等效电路,计算并仿真了等效电路的I-V模型,测试结果表明,仿真I-V特性曲线与实际I-V特性曲线高度一致。通过复现试验,确认了导致稳压器失效的原因是输入端的高能量外部过电应力致使过热保护管开启,并在过流与过热的条件下产生与电流方向一致的电迁移痕迹,从而使过热保护管的集电极和发射极短路,引发稳压器失效。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年11期）
Jennifer,Joseph[3]（2018）在《集成MOSFET的优化型降压稳压器将功率密度提升至新水平》一文中研究指出集成是固态电子产品的基础,将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展。随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展,功能密度不断提高,在物理尺寸和功率两方面都提供了更高能效的方案。对产品开发人员来说,功率密度是一个始终存在的挑战,对各种电压下更高电流的需求(通常远低于系统总线)带来了对更小的降压稳压器的需求,这(本文来源于《今日电子》期刊2018年05期）
[4]（2018）在《集成有稳压器的全新叁相MOSFET驱动器IC》一文中研究指出A4919专为范围广泛的工业应用而设计,能够提供5.0V或3.3V电压。A4919在与微处理器端接时,可以通过块(梯形)、正弦波或矢量换向来进行控制。A4919的设计定位是商业和工业市场中简单而直接的控制栅极驱动器,能够为外设或微处理器提供LDO,并在(本文来源于《今日电子》期刊2018年03期）
李亮[5]（2016）在《集成稳压电源的设计》一文中研究指出电子设备中都需要稳定的直流电源,功率较小的直流电源大多数都是将50HZ的交流电流经过整流滤波和稳压后获得的。(本文来源于《电子世界》期刊2016年20期）
李强,郭凯敏,李楠,金香,宝金[6]（2016）在《单片集成低静态电流低压差线性稳压器设计》一文中研究指出设计了一款静态电流小、驱动能力大、环路响应快的单片集成低压差线性稳压器,重点介绍了误差放大器、补偿电路和瞬态响应增强电路的设计方法.误差放大器的输入管采用共源共栅结构,输出级采用推挽电路,可提高放大器的驱动能力;补偿电路使用共源共栅补偿方法,补偿电容约1pF,环路相位裕度大于60°;瞬态响应增强电路采用动态偏置结构,使稳压器输出电压的上过冲有明显改善,提高了瞬态响应性能.稳压器的输出不用接片外电容,在片内集成50-100pF的电容即可稳定工作.(本文来源于《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》期刊2016年04期）
李甜[7]（2016）在《一种片上集成的低压差线性稳压器设计》一文中研究指出随着智能手机和平板电脑等便携式电子设备的迅猛发展,电源管理单元变得无处不在。稳压器是电源管理单元的核心模块,按照工作模式可以将稳压器分为开关型稳压器和低压差线性稳压器(low dropout regulator,简称LDO)。相比于开关型稳压器,LDO具有低成本、低功耗、低噪声、电源纹波抑制能力强、响应速度快等诸多优势,因此在电源管理中拥有不可替代的地位。根据不同应用环境设计不同性能的LDO已经成为电源管理中的重要研究方向。本论文设计了一种片上集成、高电源纹波抑制、快速瞬态响应的LDO。首先分析了LDO的系统组成和性能指标。随后,提出了一种高电源纹波抑制、低失调影响的带隙基准电路,其创新点在于:1)利用超级源随器产生局部电源给基准的核心模块供电,从而显着提高电源抑制能力;2)基准的核心模块不采用运放钳位,而是利用自偏置进行钳位,从而有效减小失调。接着介绍了LDO的主体电路,其中,误差放大器采用折迭共源共栅结构,buffer采用超级源随器结构,反馈网络为电阻分压结构,功率管为PMOS。详细分析了LDO的环路稳定性、电源纹波抑制以及输出噪声。通过将pass管栅极的极点和输出电容的ESR引入的零点都推至高频,并采用current buffer补偿使得在环路的单位增益频率内只有一个极点,从而确保环路在所有条件下都能稳定。其关键点在于:1)采用超级源随器作为buffer并结合动态偏置技术,使得buffer的输出电阻随着负载电流而变化,从而使pass管栅极处的极点始终远高于LDO环路的单位增益频率;2)采用电容耦合技术提供了一条从LDO输出到buffer输入的快通路,从而解决了在瞬态响应时EA带宽有限的问题。本设计在0.18μm工艺下流片,核心版图面积为560μm×300μm,输出电容采用ESR低于50 mΩ的多层陶瓷电容,电容值2μF,测试表明,在2 V~3.3 V的工作电压范围内可以稳定地输出1.8 V;最大负载电流100 mA;最小压差200 mV;在2.1 V的电源电压下,负载调整率为18.3 ppm/m A;在10 mA负载电流下,线性调整率为169 ppm/V;整个LDO在空载时的静态电流为178μA,满载时为350μA;带隙基准的PSR在高达40 MHz的频率范围内能好于46 dB;在负载电流为1 mA时,LDO的PSR在低频好于46 dB,1 MHz处PSR可以达到30 dB;负载电流在10 ns内从0突变到100 mA,上冲和下冲分别为10.6 mV和6.4 mV。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-03-18）
[8]（2015）在《安森美集成式LIN和稳压器的NCV7428系统基础芯片》一文中研究指出概述NCV7428系统基础芯片(SBC)集成了常见于汽车电子控制单元(ECU)内的功能。NCV7428提供和监控应用微控制器和其它负载的低压电源,包含1个LIN收发器。特性·控制逻辑确保安全上电顺序和对不同的电源条件做出恰当的反应控制模式转换,包括电源管理和总线唤醒处理产生复位(本文来源于《世界电子元器件》期刊2015年10期）
李越民[9]（2015）在《集成式直流稳压电源的设计》一文中研究指出集成式直流稳压电源主要是以整流,滤波,稳压叁大部分组成。其中整流电路是将生活中通常所用的工频交流电转化成具有直流电成分的脉冲直流电,滤波则是将整流后的直流电中的交流成分去除增加其中的直流成分,稳压是将滤波后的直流电采用稳压芯片进一步稳定直流电。本文本着经济快捷的原则所设计的直流稳压电源具有输出电压比输入电压低,反应速度快,输出波纹小,工作产生噪声低的特点,但相应存在效率低热量大。(本文来源于《通讯世界》期刊2015年18期）
曹建建,王红敏,程婕[10]（2015）在《叁端集成稳压电源的布焊及故障分析》一文中研究指出叁端集成稳压电源是大学必修课《电装实习》课程的重要内容之一。根据已有的电装教学经验,分析叁端集成稳压电源的基本工作原理,介绍稳压电源的布焊过程和测试过程,详细介绍学生在完成稳压电源后可能出现的各种故障,并提供了切实有效的解决方法。经过实践验证,这些过程进一步提升了学生的电路原理分析能力、仪器设备(示波器、万用表)在实际电路测试中的操作和使用能力,提高了实习效率,也为电子组装爱好者提供了解决此类问题的经验。(本文来源于《现代电子技术》期刊2015年10期）
集成稳压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对一种集成稳压器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。通过内部目检、微光分析、扫描电镜及能谱分析,定位了集成稳压器的失效点。采用仿真和实验分别对稳压器的失效原因进行了分析和验证,搭建了输出端到公共端存在电流通路的等效电路,计算并仿真了等效电路的I-V模型,测试结果表明,仿真I-V特性曲线与实际I-V特性曲线高度一致。通过复现试验,确认了导致稳压器失效的原因是输入端的高能量外部过电应力致使过热保护管开启,并在过流与过热的条件下产生与电流方向一致的电迁移痕迹,从而使过热保护管的集电极和发射极短路,引发稳压器失效。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
集成稳压论文参考文献
[1].曹嘉伟.基于集成直流稳压电源设计研究[J].电子制作.2019
[2].廉鹏飞,刘楠,孔泽斌,吉裕晖,陈萝娜.一种集成稳压器的失效机理分析[J].半导体技术.2018
[3].Jennifer,Joseph.集成MOSFET的优化型降压稳压器将功率密度提升至新水平[J].今日电子.2018
[4]..集成有稳压器的全新叁相MOSFET驱动器IC[J].今日电子.2018
[5].李亮.集成稳压电源的设计[J].电子世界.2016
[6].李强,郭凯敏,李楠,金香,宝金.单片集成低静态电流低压差线性稳压器设计[J].内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版).2016
[7].李甜.一种片上集成的低压差线性稳压器设计[D].电子科技大学.2016
[8]..安森美集成式LIN和稳压器的NCV7428系统基础芯片[J].世界电子元器件.2015
[9].李越民.集成式直流稳压电源的设计[J].通讯世界.2015
[10].曹建建,王红敏,程婕.叁端集成稳压电源的布焊及故障分析[J].现代电子技术.2015