导读:本文包含了栅氧化层氮化论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:闪存,隧穿氧化层的氮化,氮残留,过量湿法蚀刻
栅氧化层氮化论文文献综述
李绍彬[1]（2015）在《一种改善由隧穿氧化层氮化技术引起栅氧化层衰退的方法》一文中研究指出隧穿氧化层在闪存器件中占有关键的地位,它极大地影响着闪存器件的循环擦写以及保持电子的能力。在形成隧穿氧化层的制程中,通常会通过加入氮化技术去提高隧穿氧化层的可靠性,但是这种工艺会给外围器件的栅氧化层带来负面影响。通过工艺方面的优化提出了一种较为简易的方法去消除由于氮化技术带来的对外围器件栅氧化层的影响。通过实验发现用过量湿法蚀刻可以很好地消除隧穿氧化层氮化技术的影响,提高了外围器件栅氧化层的可靠性。(本文来源于《电子与封装》期刊2015年11期）
张红伟,高剑琴,曹永峰,彭树根[2]（2014）在《ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善》一文中研究指出栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性气体,在高温下对原位水汽氧化法形成的栅氧化层进行实时退火处理。实验结果表明:与没有经过高温N2实时退火处理的栅氧化层相比,经过高温N2实时退火处理的栅氧化层表面均匀度可提高40%左右,栅氧界面态总电荷可减少一个数量级。PMOS器件负偏压不稳定性(NBTI)测试中0.1%样品失效时间(t0.1%)和50%样品失效时间(t50%)分别提高28.6%和40.7%。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年02期）
黄美浅,李观启,刘百勇[3]（1995）在《快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿》一文中研究指出研究不同类型、不同沟道长度的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。(本文来源于《华南理工大学学报(自然科学版)》期刊1995年12期）
林满院,孙有民,沈文正[4]（1995）在《薄栅氧化层的氮化》一文中研究指出采用对薄栅氧化层在纯ＮＨ３中氮化的技术，通过膜的击穿场强、表面电荷、抗腐蚀性和氮化膜中元素的百分浓度的检测对氧化样品进行分析，经过实验得到了稳定性和电特性都较好的薄栅介质，其中栅氧化层的平均击穿场强可达到１３ＭＶ／ｃｍ。(本文来源于《航天工艺》期刊1995年03期）
栅氧化层氮化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性气体,在高温下对原位水汽氧化法形成的栅氧化层进行实时退火处理。实验结果表明:与没有经过高温N2实时退火处理的栅氧化层相比,经过高温N2实时退火处理的栅氧化层表面均匀度可提高40%左右,栅氧界面态总电荷可减少一个数量级。PMOS器件负偏压不稳定性(NBTI)测试中0.1%样品失效时间(t0.1%)和50%样品失效时间(t50%)分别提高28.6%和40.7%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
栅氧化层氮化论文参考文献
[1].李绍彬.一种改善由隧穿氧化层氮化技术引起栅氧化层衰退的方法[J].电子与封装.2015
[2].张红伟,高剑琴,曹永峰,彭树根.ISSG及其氮化工艺对栅氧化层性能的改善[J].半导体技术.2014
[3].黄美浅,李观启,刘百勇.快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿[J].华南理工大学学报(自然科学版).1995
[4].林满院,孙有民,沈文正.薄栅氧化层的氮化[J].航天工艺.1995