导读:本文包含了稀磁性论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:稀磁半导体,ZnO薄膜,Cu掺杂,缓冲层
稀磁性论文文献综述
郝嘉伟,赵鹤平,肖立娟,李长山[1]（2014）在《缓冲层和退火气氛对Cu掺杂ZnO薄膜稀磁性的影响》一文中研究指出采用直流与射频双靶共溅射的方法在石英衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔测试仪(HALL8800)以及超导量子干涉仪(SQUID)分别对样品的结构、表面形貌、电学特性和磁性进行表征,研究了AZO缓冲层以及不同气氛下退火处理对薄膜磁性的影响。结果表明,加入缓冲层的样品结晶质量有所改善,但不利于磁性的产生;空气退火使样品中氧空位大量减少,同时磁性减弱;真空退火使样品中氧空位得以保留,磁性增强,氧空位缺陷对磁性的产生有很大贡献。样品中载流子浓度不高,电阻率较大,载流子浓度对样品磁性的影响不明显。(本文来源于《磁性材料及器件》期刊2014年04期）
张华新[2]（2009）在《稀磁性半导体Ni_xSn_(1-x)O_(2-δ)一维纳米结构的制备、微结构和磁性的研究》一文中研究指出本文采用化学气相沉积法分别制备了SnO_2纳米线和Ni_xSn_(1-x)O_(2-δ)纳米线及纳米带样品,探索了获得居里点在室温以上的稀释铁磁性半导体纳米线的制备方法和工艺条件;用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)、光致发光谱仪(PL),X射线光电子能谱仪(XPS)等表征手段,对样品进行了系统的研究,详细研究了样品的微结构、形貌以及磁性,并对其生长机理和磁性来源进行了探讨。主要结论如下:1.利用催化剂辅助,在Si衬底上沉积了SnO_2纳米线样品,表面光滑,直径分布在40-150nm之间,在轴向上直径没有明显变化,长度大于20微米,单晶。2.利用化学气相沉积法,在Si衬底上沉积了Ni_xSn_(1-x)O_(2-δ)纳米线及纳米带样品,纳米线直径在30nm-150nm之间,特征尺寸为50nm,纳米带特征尺寸为厚度33nm,宽度170nm,长度大于2微米,单晶。3.讨论了纳米线及纳米带的生长机制,认为是气－液－固机制控制其生长,并通过增加金层厚度制备样品的方法捕获小液滴分裂细节。4.在Ni_xSn_(1-x)O_(2-δ)纳米线及纳米带样品的常温磁化曲线上可以观察到明显的磁滞,表明样品具有室温铁磁性,磁矩可达3.33μ_B/Ni,并且随着掺入量的增加磁距先升后降。5.通过XRD测试没有发现Ni单质或氧化物的峰,而且透射电镜的观察照片中也没有发现磁性团簇,XPS显示Ni为离子态,可以认为Ni离子替代了SnO_2晶格中的Sn离子,而非Ni团簇或杂相。样品室温铁磁性是内禀的。6.样品的磁性来源可以由氧空缺型束缚磁极化子模型解释。(本文来源于《兰州大学》期刊2009-05-01）
李瑞,钟海政,张泽朋,杨春和,李永舫[3]（2007）在《胶体法制备Mn~(2+)掺杂Ⅱ-Ⅵ族稀磁性半导体纳米晶体材料的研究进展》一文中研究指出近年来兴起的稀磁性半导体纳米晶体(DMSNC)是一种新型的半导体材料,由于其优异的光电磁性能得到了国内外研究人员的重视,并取得了快速发展,有望在多个领域得到应用。本文对以胶体法制备的Mn2+掺杂的ZnS、ZnSe、CdS、CdSe等为代表的Ⅱ-Ⅵ族DMSNC的主要研究进展和掺杂原理进行了综述,指出了现阶段所存在的问题,并对其未来发展进行了展望。(本文来源于《化学通报》期刊2007年08期）
王永强,张爱芸[4]（2007）在《稀磁性半导体研究进展》一文中研究指出由磁性离子部分地代替非磁性阳离子所形成的稀磁性半导体,因其具有很多独特的性质而受到人们的广泛关注.本文主要介绍了稀磁性半导体的研究背景、研究过程、现状及其发展前景,并以Y.Matsumoto等所做的研究为例,介绍了此类材料的制备、研究方法以及技术中存在的缺陷.(本文来源于《河南理工大学学报(自然科学版)》期刊2007年04期）
尹晶磊[5]（2007）在《稀磁性半导体Co_xSn_（1-x）O_2纳米线的制备、微结构和磁性的研究》一文中研究指出磁性半导体被认为是下一世代利用电子的自旋自由度制造微电子元件的主要材料，有很好的应用前景。磁性半导体通常是将磁性元素注入Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族的半导体中而形成，其中最受瞩目的是稀释磁性半导体(Diluted Magnetic Semiconductor-DMS)。目前，已经有一些小组报道了具有室温铁磁性的稀磁半导体材料。但大部分工作都集中在薄膜和块状材料的制备和表征上，而一维结构的稀磁半导体材料制备方面的工作还比较少。纳米结构的稀磁半导体，被设想为自旋电子学器件的关键组成元件。在很大程度上，稀磁半导体纳米结构中的自旋效应还没有被开发。如果能找到简单易行的办法制备高质量的稀磁半导体纳米结构，那么这个领域的实际应用就很容以实现了。SnO_2是很受关注的半导体氧化物，其禁带宽度为3.6eV。具有光学透明性、导电性、化学敏感性使SnO_2有广泛的应用，包括：太阳能电池、催化剂、气敏材料等。本文采用化学气相沉积法分别制备了SnO_2和Co_xSn_(1-x)O_2纳米线样品，探索了获得居里点在室温以上的铁磁性半导体纳米线的制备方法和工艺条件；用X射线衍射(XRID)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、振动样品磁强计(VSM)等表征手段，对SnO_2和Co_xSn_(1-x)O_2纳米线样品进行了系统的研究，详细研究了样品的微结构、形貌以及磁性。主要结论如下：1．利用催化剂辅助，在Si衬底上沉积了SnO_2纳米线样品，所得纳米线相互重迭，表面光滑，直径分布在50-200nm之间，大部分直径约为100nm左右，在轴向上直径没有明显变化，长度可达几百微米。通过紫外—可见光谱测得SnO_2纳米线的禁带宽度约为3.66eV，相对于块体材料发生蓝移。2．研究了各种试验条件对SnO_2纳米线生长的影响，纳米线的形貌敏感的依赖于试验条件，其中O_2气流量、Ar气流量、催化剂尤为重要。3．讨论了这些SnO_2纳米线的生长机制，认为是气—液—固机制控制其生长，纳米线的直径受催化剂颗粒大小控制。4．利用化学气相沉积法，在Si衬底上沉积了CO_xSn_(1-x)O_2纳米线样品，其形貌与所沉积的SnO_2纳米线相似，直径在30nm-200nm之间，但长度要小很多，说明Co的掺入抑制了纳米线的生长。其机理仍是VLS机理，受到催化剂Au纳米液滴的限制。5．Co_xSn_(1-x)O_2纳米线样品的常温磁化曲线上可以观察到明显的磁滞，表明样品具有室温铁磁性，磁矩可达1.8μ_B／Co，并且随着掺入量的增加磁距急剧减少，说明掺杂量对磁距的影响非常大。6．通过XRD测试没有发现Co单质或氧化物的峰，而且透射电镜的观察照片中也没有发现磁性团簇，初步认为本文中观察到的铁磁性是由于Co离子掺入SnO_2晶格中而形成的，而非Co团簇或杂相。(本文来源于《兰州大学》期刊2007-05-01）
任平,张俊喜,徐群杰[6]（2007）在《Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料研究进展》一文中研究指出综述了目前国内外以As-基与Sb-基为基础的Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料的研究现状,系统地介绍了其生长方法与物理特性的研究进展,并指出其发展趋势与应用前景.(本文来源于《上海电力学院学报》期刊2007年01期）
刘超[7]（2006）在《ZnO基掺杂稀磁性的研究》一文中研究指出本文采用水热法,以3mol·L~(-1)KOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在前驱物(Zn(OH)_2或ZnO)中分别添加一定量的MnCl_2·4H_2O,CoCl_2·6H_2O,NiCl_2·6H_2O,FeSO_4·7H_2O,SnCl_2·2H_2O等,反应24小时合成各种ZnO基稀磁半导体晶体。 通过电子探针测量了晶体中的掺杂元素的含量,发现随着前驱物中掺杂元素含量的增加,晶体中掺杂元素的原子百分比含量随着增加,但是都存在一个极值。Mn最大原子百分比含量超过了8at%,Co最大原子百分比含量超过了5at%,Fe的掺杂量较少,约为0.5at%,Ni的最大原子百分比含量为0.65at%,掺杂过渡族金属离子获得的晶体基本保持了ZnO六棱柱形特征。 采用SQUID进行磁性测量,发现Zn_(1-x)Mn_xO晶体没有室温铁磁性,居里温度为50K,具有反铁磁性和高温顺磁性。Zn_(1-x)CoO_x晶体的磁化强度随温度变化很小,在室温300K存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,表明具有室温铁磁性。在室温以下,Zn_(1-x)Ni_xO稀磁半导体晶体的磁化强度不随温度升高而下降,300K时存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,说明具有室温铁磁性。Zn_(1-x)Fe_xO晶体磁化强度随温度升高而下降,室温下M-H曲线表明,没有磁饱和现象和磁滞回线,不具备室温铁磁性。Zn_(1-x)Fe_xO:Cu晶体磁化强度随温度降低的速度明显变缓,Cu掺杂后的晶体磁性增强,在室温下仍有较强的磁性,M-H曲线显示在室温下具有磁饱和性和磁滞回线,说明具有室温铁磁性。Zn_(1-x)Sn_xO晶体显示顺磁性。(本文来源于《河北大学》期刊2006-06-01）
杨景景[8]（2006）在《掺杂ZnO薄膜的制备工艺、光学特性及稀磁性能研究》一文中研究指出ZnO薄膜是优质的光电半导体材料，它具有宽带隙、介电常数低、机电耦合系数大、温度稳定性好、透光率高和化学稳定性高等特性。最近，采用磁性离子注入技术，又发现ZnO半导体在室温下具有铁磁有序性。因此，ZnO半导体成为目前最有应用潜力的新型功能材料之一。探索制备成本低、成膜质量好，并且工艺简单的成膜技术，对推动ZnO薄膜的应用具有十分重要的意义。 本文采用叁种制备工艺，在硅片和玻璃基片上成功地制备出具有稀磁特性的过渡金属(Fe、Co)掺杂的ZnO薄膜。 首先采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺，以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，乙醇胺为稳定剂，获得了均匀、透明的多晶ZnO薄膜。通过采用不同的退火方式，得到最佳的退火工艺参数。并以此工艺为基础，制备出具有稀磁特性的Zn_(1-x)Fe_xO(x=0.01、0.02、0.03)薄膜。 为了进一步摸索更有效的制备方法，我们尝试使用了PVA这种可溶性高分子聚合物，用于制备溶胶。探索出了一整套有效的制备方法，成功的制备了Zn_(1-x)Co_xO(x=0.08、0.12、0.18)薄膜。采用该方法制备的样品价态准确，组分精确。利用X射线衍射谱(XRD)，原子力显微镜(AFM)和荧光光谱仪(PL)以及电子能谱仪(XPS)等分析方法对样品结构和性能进行了研究。结果显示，所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构，具有高度的C轴择优取向性；膜表面均匀、致密，同时发现Co掺杂系列具有良好的发光特性。并且，在室温下测出Zn_(1-x)Co_xO薄膜具有稀磁特性。 最后我们利用电子束蒸发镀膜仪，采用锌膜氧化法制备出具有完备的纤锌矿结构的ZnO薄膜。 本文的特色在于，采用了全新的PVA方法实现了溶胶-凝胶工艺过程，精确地控制了掺杂的价态和组分，获得了成膜质量和性能都比较好的样品。这对于ZnO制备工艺的探讨具有积极的意义。并且，在实验中发现，不仅XRD谱线的峰位，随着样品掺杂含量的变化，出现规律性的移动。而且在Co掺杂的发光系列样品中，发光峰也随着掺杂含量的变化，出现了规律性的红移现象。(本文来源于《安徽大学》期刊2006-05-01）
危书义,闫玉丽,张莹[9]（2004）在《掺杂浓度对稀磁性半导体(Ga,Fe)As的晶格常数及磁性质的影响》一文中研究指出运用第一性原理下的LMTO ASA方法计算了稀磁半导体Ga1-xFexAs(x=1,1/4,1/8)在不同磁状态下的总能量,由能量最低原理我们得到其相应的晶格常数及磁状态.(本文来源于《河南师范大学学报(自然科学版)》期刊2004年03期）
顾霞敏,W,Giriat,J,K[10]（1991）在《新型稀磁性半导体材料Co_xZn_(1-x)S与Co_xZn-(1-x)Se单晶的制备》一文中研究指出本实验首次利用碘做媒介剂,采用化学气相输运法制得稀磁性半导体Co_xZn_(1-x)S和Co_xZn_(1-x)Se(0<X≤0.3)单晶。Co_xZn_(1-x)S随x组份增大,颜色由浅绿变深;Co_xZn_(1-x)Se随x组份增大,颜色由浅棕色变深。单晶组份接近化学计量比,输运率随x值增大而降低。单晶生长速率与温差有关,温差大则生长速率快,但晶粒不易长大,一般宜取温差△T为15℃。用X射线衍射法测得Co_xZn_(1-x)S、Co_xZn_(1-x)Se(0<X≤0.1)晶体为闪锌矿结构,与ZnS、ZnSe结构相同。(本文来源于《稀有金属》期刊1991年04期）
稀磁性论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文采用化学气相沉积法分别制备了SnO_2纳米线和Ni_xSn_(1-x)O_(2-δ)纳米线及纳米带样品,探索了获得居里点在室温以上的稀释铁磁性半导体纳米线的制备方法和工艺条件;用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、振动样品磁强计(VSM)、光致发光谱仪(PL),X射线光电子能谱仪(XPS)等表征手段,对样品进行了系统的研究,详细研究了样品的微结构、形貌以及磁性,并对其生长机理和磁性来源进行了探讨。主要结论如下:1.利用催化剂辅助,在Si衬底上沉积了SnO_2纳米线样品,表面光滑,直径分布在40-150nm之间,在轴向上直径没有明显变化,长度大于20微米,单晶。2.利用化学气相沉积法,在Si衬底上沉积了Ni_xSn_(1-x)O_(2-δ)纳米线及纳米带样品,纳米线直径在30nm-150nm之间,特征尺寸为50nm,纳米带特征尺寸为厚度33nm,宽度170nm,长度大于2微米,单晶。3.讨论了纳米线及纳米带的生长机制,认为是气－液－固机制控制其生长,并通过增加金层厚度制备样品的方法捕获小液滴分裂细节。4.在Ni_xSn_(1-x)O_(2-δ)纳米线及纳米带样品的常温磁化曲线上可以观察到明显的磁滞,表明样品具有室温铁磁性,磁矩可达3.33μ_B/Ni,并且随着掺入量的增加磁距先升后降。5.通过XRD测试没有发现Ni单质或氧化物的峰,而且透射电镜的观察照片中也没有发现磁性团簇,XPS显示Ni为离子态,可以认为Ni离子替代了SnO_2晶格中的Sn离子,而非Ni团簇或杂相。样品室温铁磁性是内禀的。6.样品的磁性来源可以由氧空缺型束缚磁极化子模型解释。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
稀磁性论文参考文献
[1].郝嘉伟,赵鹤平,肖立娟,李长山.缓冲层和退火气氛对Cu掺杂ZnO薄膜稀磁性的影响[J].磁性材料及器件.2014
[2].张华新.稀磁性半导体Ni_xSn_(1-x)O_(2-δ)一维纳米结构的制备、微结构和磁性的研究[D].兰州大学.2009
[3].李瑞,钟海政,张泽朋,杨春和,李永舫.胶体法制备Mn~(2+)掺杂Ⅱ-Ⅵ族稀磁性半导体纳米晶体材料的研究进展[J].化学通报.2007
[4].王永强,张爱芸.稀磁性半导体研究进展[J].河南理工大学学报(自然科学版).2007
[5].尹晶磊.稀磁性半导体Co_xSn_（1-x）O_2纳米线的制备、微结构和磁性的研究[D].兰州大学.2007
[6].任平,张俊喜,徐群杰.Ⅲ-V族窄带隙掺Mn稀磁性半导体材料研究进展[J].上海电力学院学报.2007
[7].刘超.ZnO基掺杂稀磁性的研究[D].河北大学.2006
[8].杨景景.掺杂ZnO薄膜的制备工艺、光学特性及稀磁性能研究[D].安徽大学.2006
[9].危书义,闫玉丽,张莹.掺杂浓度对稀磁性半导体(Ga,Fe)As的晶格常数及磁性质的影响[J].河南师范大学学报(自然科学版).2004
[10].顾霞敏,W,Giriat,J,K.新型稀磁性半导体材料Co_xZn_(1-x)S与Co_xZn-(1-x)Se单晶的制备[J].稀有金属.1991