导读:本文包含了电存储论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铁电存储单元,单粒子翻转,单粒子瞬态脉冲
电存储论文文献综述
高占占,钟向丽,侯鹏飞,宋宏甲,李波[1]（2019）在《2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究》一文中研究指出针对2T2C铁电存储单元读写电路进行了单粒子翻转效应的仿真模拟,研究了单粒子入射读写电路的不同敏感节点对存储数据的影响,并分析了数据读写出错的内在机制.结果表明:单粒子入射存储阵列中的字线晶体管时,存储数据未发生翻转,这主要是因为铁电电容极化信息波动后又恢复至原状态;单粒子入射外围电路中的板线激发器和灵敏放大器时,存储数据发生了翻转,这主要是因为外围电路产生的单粒子瞬态脉冲造成数据读出出错,进而导致了回写数据翻转.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
高占占[2]（2019）在《铁电存储电路的单粒子效应机制及加固设计研究》一文中研究指出铁电存储器拥有高读写速度、高循环次数以及超低运行功耗叁大优势,并且采用的铁电材料具有很好的抗电离辐射能力,这使其在航空航天领域开始崭露头角。然而,复杂的空间辐射环境依然会使铁电存储器产生辐射效应,导致器件存储数据出错甚至无法正常工作。随着半导体技术节点的推进,单粒子效应逐渐成为了造成微电子器件工作异常的主要因素。目前,针对商用铁电存储器的单粒子效应研究主要局限于器件中不同模块的单粒子效应的敏感性评估,对单粒子效应的内在机制研究相对较少,其出错机制还不清楚。基于此,本文从计算机仿真模拟的角度出发,针对组成铁电存储电路的CMOS元器件的单粒子瞬态效应以及铁电存储电路的单粒子翻转效应的内部机制展开仿真研究,并对外围锁存模块进行了加固设计。主要工作与结果如下:1.器件的叁维建模及铁电存储单元读写电路的搭建。基于脚本的方法,建立了商用铁电电容的叁维简化模型以及90 nm CMOS器件的叁维模型,并进行了工艺校准;结合上述所建的模型,采用器件-电路混合仿真方法设计搭建了2T2C和1T1C铁电存储单元读写电路,并验证了它们读写功能的正确性。2.CMOS器件单粒子瞬态效应的仿真模拟。研究了单个CMOS器件的电荷收集过程和电荷共享效应机制以及SOI加固器件的抗单粒子能力。结果表明,NMOS的有效收集深度在1.5~2μm之间,PMOS的有效收集深度在0.5~1μm之间;当单粒子入射主器件时,双阱工艺下从器件收集的电荷仅来自电离电荷的漂移扩散作用,而叁阱工艺下从器件收集的电荷来自漂移扩散作用和双极放大作用,因此叁阱工艺下电荷共享效应要比双阱工艺下更严重;在两种SOI加固器件中,选择性埋氧层上硅器件相对浮体SOI器件具有更优异的抗单粒子能力,且它在200~450 K范围内有效抑制了温度对单粒子脉冲宽度的影响。3.铁电存储电路单粒子翻转效应的仿真模拟。研究了不同敏感节点的瞬态脉冲对数据读写的影响,并对外围锁存结构提出了相应的加固设计方案。结果表明,单粒子入射字线晶体管时,数据未发生翻转,主要是因为铁电电容极化信息波动后又恢复至原状态;单粒子入射板线激发器和灵敏放大器时,存储数据发生了翻转,主要是因为读出出错导致了回写数据翻转;单粒子入射外围锁存电路时,由于电荷共享效应的作用,DICE锁存结构发生了单粒子多位翻转。为此,本文提出了选择性埋氧层上硅工艺加固和电容耦合加固两种方案。其中,电容耦合加固DICE结构的单粒子多位翻转阈值比未加固时提高了6倍之多。(本文来源于《湘潭大学》期刊2019-06-01）
檀海维[3]（2018）在《基于端基修饰的超支化聚酰亚胺的电存储材料的制备及性能研究》一文中研究指出芳香族聚酰亚胺作为一种特种工程塑料,具有优异的耐热性、机械性能及化学稳定性等优点,被广泛应用于航空航天、微电子、核工业等领域。由于特异的分子结构,简易的分子设计与合成,近年来聚酰亚胺成为了研究最广泛的聚合物阻变存储材料之一。然而目前的研究主要集中于线性聚酰亚胺,其刚性的骨架结构以及分子链密堆积容易导致难熔难溶问题。因此在线性聚酰亚胺分子设计过程中需要兼顾存储性能与加工性,其研究越来越受到局限。引入超支化聚酰亚胺有望解决上述问题,这得益于超支化聚合物优良的溶解性,同时对聚酰亚胺本身的优异性能不会造成显着损害。超支化聚合物的另一大优势则是大量端基的存在,这为其功能化改性提供了方便的反应位点。因此,超支化聚合物相比于线性聚合物,其性能不仅可以通过单体与骨架结构的设计得到调整,而且可以通过端基修饰得到优化。本论文从分子设计的角度出发,选择以超支化聚酰亚胺为研究对象,从多个角度研究端基结构与聚合物存储性能之间的关系。1.研究电活性端基封端前后超支化聚酰亚胺存储性能的变化:设计合成了一种没有给电子能力的四胺单体,通过与不同二酐缩聚得到酸酐封端的超支化聚酰胺酸,再通过端基反应接上二茂铁基团,化学亚胺化得到一系列二茂铁封端的超支化聚酰亚胺。基于二茂铁封端的聚合物表现出非易失性的WORM型存储特性,阈值电压为2.2~3.2V及-2.6~-3.3V,开关电流比为104数量级;而酸酐封端的聚合物则表现为绝缘体,二茂铁端基的引入对器件的存储性能具有决定性作用。对聚合物存储机理进行分析,认为存储性能源自二茂铁基团在电场作用下的空穴俘获作用,器件的电荷传输过程由欧姆定律及空间电荷限制电流机制主导。2.研究了端基结构的微小变化对超支化聚酰亚胺存储性能的影响:合成了叁种叁苯胺基的单胺单体,分别利用叁种单胺单体对四胺单体与6FDA形成的超支化聚酰胺酸进行封端并亚胺化制备了叁种端基结构具有微小区别的超支化聚酰亚胺。基于叁种聚合物的器件均表现出易失性的SRAM型存储行为,随着端基给电子能力的增强,器件开启电压逐渐降低(-2.24V、-1.64V及-1.33V),开关电流比增大(104、104及106)。通过分子模拟及理论计算对聚合物存储机理进行分析,表明端基结构对聚合物分子轨道能级的影响与预期相一致,聚合物的存储性能源自叁苯胺及其衍生物基团与酸酐基团之间的场致电荷转移(CT)。此外,CT的偶极矩对其稳定性有重要影响,随着偶极矩增大(3.10D、1.28D及4.20D),CT越稳定,器件高导态保留时间越长(11min、5min及19min)。因此,通过超支化聚酰亚胺端基结构的微小改变能够实现存储性能的调控。3.研究了大共轭卟啉端基及其金属络合对超支化聚酰亚胺存储行为的影响:合成单氨基四苯基卟啉单体,利用该单体对四胺单体与6FDA形成的聚合物进行封端并使其与锌离子络合制备了两种卟啉基团封端的超支化聚酰亚胺。以四苯基卟啉封端的超支化聚酰亚胺制备的存储器件表现出WORM型的存储行为,阈值电压-1.86V,开关电流比106。存储行为归因于四苯基卟啉与6FDA之间的场致电荷转移,并且四苯基卟啉的大共轭结构能够很好地稳定CT;而以锌络合的四苯基卟啉封端的超支化聚酰亚胺制备的器件则表现出SRAM型,阈值电压-1.75V,开关电流比105。存储机理同样是场致电荷转移机制,而锌作为内电极方便了电荷传输,使器件开启电压降低,但同时也使CT不稳定,导致其存储性能为易失性。由此可见,通过端基结构的调整,能够实现存储类型的转变。4.研究了二元封端超支化聚酰亚胺存储行为的特点:在端基引入二茂铁及四苯基卟啉两种端基,并使其与锌络合制备了两种二元封端的超支化聚酰亚胺。未络合锌离子的聚合物表现出非易失性的叁进制存储性能,其存储机理归因于场致电荷转移与载流子俘获机制,分别源自卟啉基团与二茂铁基团。络合锌离子之后,聚合物也表现出叁进制的存储性能,其最高导电态为非易失性而中间导电态为易失性,这归因于锌的内电极作用。因此,通过端基种类的合理设计,可以实现超支化聚酰亚胺的多级存储性能。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-06-01）
仲正[4]（2018）在《卟啉基金属聚合物的设计、合成及在电存储中的应用研究》一文中研究指出随着大数据时代的来临,人们每天都会面临着大量的信息,同时希望对信息进行快速的筛选、加工及存储,因此对现代存储器的性能提出越来越高的要求,主要包括存储容量大、稳定性好、体积小、质量轻、成本低和方便携带等。科研人员通过对存储机理的深入研究,在传统存储器的基础上不断地优化器件性能,并探索新的存储材料和新型器件结构,希望能够满足人们对高性能存储器不断增长的要求。传统的硅基存储器在克服摩尔定律时面临着严重的小体积化障碍,随着有机电子学的兴起,基于有机半导体材料的存储器在海量存储和柔性化器件方面展现出良好的应用前景。基于不同的存储机制,研究人员开发了多种类型的有机信息存储材料,例如有机小分子、聚合物、生物蛋白、天然的纤维素、有机-无机复合材料等。然而目前大多数有机材料只能实现二阶存储,难以满足高密度存储需求,叁阶甚至更高阶的信息存储材料和器件相对较少,因此为实现高密度信息存储,开发叁阶或高阶有机存储材料非常重要。基于以上研究背景,本论文的主要研究内容如下:1.设计合成一系列含铁、钴或镍的卟啉基单金属聚合物(P-Fe、P-Ni、P-Co以及P-Fe1)和卟啉基异核双金属聚合物(P-FeNi、P-FeCo),分别利用核磁共振(NMR)、红外分光光度计(FT-IR)、凝胶渗透色谱仪(GPC)、热重分析仪(TGA)等对材料的结构、分子量和热稳定性进行表征。2.设计合成一系列卟啉基铂和钯单金属聚合物(P-Pd,P-Pt)和卟啉基异核双金属聚合物(P-FePd,P-FePt),分别通过核磁共振(NMR)、红外分光光度计(FT-IR)、凝胶渗透色谱仪(GPC)、热重分析仪(TGA)等对材料的结构、分子量和热稳定性进行测试表征。3.将上述合成的聚合物材料作为活性层制作叁明治类型电存储器件,对器件的I-V特性曲线、信息保留时间、循环读写次数等电存储行为和性能进行测试,初步实验结果表明,ITO/P-Fe1/Al器件具有二阶闪存(flash memory)特性;ITO/P-FeCo/Al器件则表现出叁阶存储特性。(本文来源于《太原理工大学》期刊2018-06-01）
王宏亮[5]（2018）在《基于芴、芘和噻吩基团有机小分子的设计合成及可溶液加工的电存储器件制备与性能研究》一文中研究指出随着计算机、网络、通信、电子商务信息等技术突飞猛进的发展,对数据存储设备提出了更高的要求。需要在单位面积内安装更多的存储单元,来满足对存储设备高密度数据存储和快速信息访问的要求,从而需要数据存储单元尺寸更小和存储单元单位存储密度更高,基于传统的无机半导体材料存储器件由于存储单元尺寸无法进一步降低,遭遇了技术上的瓶颈,研究开发新的存储材料和器件成为势在必然和迫在眉睫的课题。近年来,由于有机材料具有无机材料无法比拟的优势,例如其体积小、重量轻、易加工、组成结构多变、成本低、可以在分子水平上实现信息的写入读取等优良特性,是实现超高密度存储最有前景的材料之一。近年来得到了科研工作者广泛的重视与关注,发展迅速。有机材料作为存储材料的新成员极有可能取代传统无机材料实现高密度、超快速、高稳定性的存储行为。目前关于有机小分子多进制的报道不多,电存储机制也不是很清楚,因此从有机小分子化学结构和其在薄膜的堆积形态去探究多进制存储性能很有必要。本论文设计了一系列有机小分子并将其作为存储器件的电活性层来系统地研究分子结构和存储性能的关系,为有机存储器的发展提供原材料和参考依据。本论文主要从以下几个方面展开:(1)基于D-A结构对分子末端电子受体进行调控,进而实现电存储类型的调控。设计并合成了以芘为电子供体,芴和噻吩为桥联,氰基乙酸乙酯或氰基乙酸分别为电子受体的两个有机小分子PFTCE和PFTCH,通过末端电子受体(酯基、羧基)的调节来达到调节电存储类型的目的。通过溶液旋涂的方法制备了质量稳定的有机纳米薄膜,并制备了氧化铟锡(ITO)/有机活性层/铝(Al)叁明治器件。研究结果表明,基于PFTCE的器件表现出稳定的二进制WORM型存储行为,而基于PFTCH的器件则表现出稳定的二进制DRAM型存储行为,通过变换薄膜厚度、使用不同电极和理论计算系统的研究了电存储性能的主要机理。发现质子酸形成的电荷转移(charge transfer,CT)复合物不稳定,在关掉外加电场后,容易解离。而分子末端含有酯基的PFTCE可以形成稳定的CT复合物。这为易失性存储材料的分子设计提供新思路。(2)设计D-A结构光刺激响应材料并成功应用于“电写-光擦”电存储器件中。选取高摩尔吸光系数的芘、芴和噻吩等基团为光的捕获剂,强极性基团3-(二氰基亚甲基)靛酮作为电子受体,制备了具有大共轭骨架紫外光(λ=365 nm)刺激响应有机小分子PFTCM。PFTCM在DMF溶液中的紫外吸收光谱研究表明,PFTCM紫外吸收最高峰在366 nm,表明PFTCM分子极容易吸收365 nm紫外光能量。进一步研究表明,虽然PFTCM在可见光照射和加热条件下均是稳定的,但是在365 nm紫外光照射下会发生噻吩烯烃的氧化断键。用紫外-可见吸收光谱,氢谱(1H NMR),高分辨率质谱(HRMS)等表征手段均证实了键的断裂。有趣的是PFTCM作为电存储器件的电活性层时,365 nm紫外光照下1分钟就成功地将已写入的信息擦除(即处于高导态的器件进行紫外光照,高导态可以回复到低导态),实现了新的存储擦除方式,详细探讨了这种光响应现象的机理,为这类材料的多功能的实现提供了新思路,不仅要实现数据存储,可以成为潜在保密信息存储器。(3)基于D-A-D-A结构对分子末端电子受体进行的调节,实现多进制电存储性能的调控。设计合成了两个基于苯并噻吩(D)喹吖啶酮(A)噻吩(D)丙二腈衍生物(D)结构的有机小分子BQTCE和BQTCH,考察了末端不同的功能基团(氰基乙酸乙酯和氰基乙酸)对薄膜形貌的影响,以及对电存储性能的影响。AFM和XRD的测试结果表明末端取代基对薄膜平整性产生较大影响,羧酸基团的引入导致薄膜形貌更规整,堆积更紧密有序。这是由于引入的羧基通过分子间氢键增加分子间作用力,从而降低了电荷转移的能垒,其中ITO/BQTCE/Al结构器件表现出叁进制WORM性存储性能,而ITO/BQTCH/Al结构器件表现出叁进制Flash型存储性能。多进制的存储性能主要归因于它们有两个不同能级的电荷陷阱,AFM和XRD结果表明了BQTCE以及BQTCH在薄膜状态都形成了有序堆积,因此有利于两个不同电荷陷阱梯度的呈现,表现出多进制存储性能。此外,末端含有羧酸的BQTCH因为电荷转移而形成电荷分离态不稳定,施加反向电压会恢复产生Flash存储行为,而分子末端含有酯基的BQTCE产生的电荷分离则相对稳定,导致WORM型存储行为产生。通过对共轭骨架小分子末端的调控实现不同的多进制存储性能,同时该工作丰富了先前提出的“电荷陷阱”理论。(4)通过质子酸掺杂实现了电存储器件性能从二进制到叁进制的转变,为高密度电存储器件的制备提供了新的方法。设计合成了含有萘酰亚胺基团的偶氮共轭小分子(AZONA),通过叔胺基团与芳香酸络合作用得到质子酸掺杂的化合物(TCB-AZONA),考察酸掺杂对电存储器件性能的影响。研究结果表明,质子酸的掺杂可以有效改善分子的薄膜形貌和提高分子内/间的电荷转移过程。溶液旋涂方法制备的叁明治器件表现出了完全不同的电存储性能,ITO/AZONA/Al(Au)器件表现出稳定的二进制WORM性能,而ITO/TCB-AZONA/Al(Au)器件表现出稳定的叁进制WORM性能。通过质子酸的掺杂实现器件存储性能从二进制到多进制存储性能的实现,这为以后高密度存储应用提供了新方法。(本文来源于《苏州大学》期刊2018-05-01）
王明[6]（2018）在《基于ROMP技术的含苝类侧链聚合物构建及其电存储性能研究》一文中研究指出与传统硅基器件相比,有机材料具有可扩展性好,低成本,柔韧性好,加工性能好等优点,其在电阻型存储器件领域的应用引起了人们的广泛关注。近年来,各国科学家都们都尝试了各方面的工作。迄今为止,含有功能基团咔唑、苝酐的有机小分子已设计并合成,其叁明治结构器件表现出不同类型的存储性能。但有机材料的研究仍然处于起步阶段,材料的多方面性质仍需优化,以实现器件性能的提升。其中,聚合物材料因具有易加工、低功耗、结构丰富、高密度等优点,可应用于未来的信息存储。基于此,本文合成了基于咔唑,苝酐等功能基团的侧链聚合物和嵌段聚合物并研究其电存储性能。主要有以下叁个工作:(1)功能聚合物由于具有可扩展性高,柔韧性好,加工性能好等优点而被广泛应用于有机电存储领域。本章通过开环易位聚合(ROMP)成功地合成了一种含有苝酰亚胺(PDI)的侧链聚合物。通过调节邻二氯苯(o-DCB)和甲醇(Me OH)溶剂的比例,聚合物在薄膜状态下表现出不同的表面形态和结晶性。基于此制备的叁明治结构器件表现出不同的电存储性能,同时器件的开启电压也受混合溶剂比的影响而发生变化。这项研究表明,聚合物存储性能可以通过混合溶剂进行有效调节,这对于未来有机的研究具有重要意义。(2)本文在聚合物PPDI的基础上通过ROMP聚合引入咔唑基团,并设计合成了两种不同单元比例的嵌段共聚物PPDI1-b-CZ1(基于苝酰亚胺-咔唑基团)PPDI1-b-CZ5。在这两种聚合物中,不仅存在苝酰亚胺吸电子基团与咔唑供电子基团(D-A)间的相互作用,而且在电场的作用下,由于功能基团与主链间通过柔性链连接(具有空间灵活性),侧链基团能够发生构象转变。基于此制备的聚合物器件在双机理作用下表现出叁进制的存储性能。由于溶解性好的咔唑的引入有利于提高聚合物的薄膜质量,器件ITO/PPDI1-b-CZ5/Al的叁进制存储性能优异于ITO/PPDI1-b-CZ1/Al。(3)有机材料的存储性能与其活性层的堆积、薄膜质量、厚度等参数相关。为了获得堆积良好,质量较高、厚度均一的有机薄膜,器件成膜的工艺要求非常苛刻。因此,基于各种类型的分子自组装的分子器件的构建已受到越来越多的关注,其中运用两亲性聚合物制备纳米粒子器件是最有效的方法之一。因此在本文中,我们通过ROMP的方法合成了叁嵌段两亲性共聚物(PDI-CZ-PEG)。亲水侧链PEG的引入,使得我们最终可以通过透析的方法组装纳米粒子。最后,我们通过导电原子力显微镜(c-AFM)测试胶束颗粒的电存储性能。实验结果表明,胶束颗粒具有电存储性能。c-AFM探针的运用可在不久的将来实现微型纳米器件的读写。通过制备微型纳米存储器件(缩小存储单元的尺寸),可以不断提高器件存储容量。由上可知,我们通过调控混合溶剂的配比可以实现器件存储类型的改变,基于咔唑,苝酐功能基团,我们设计合成了嵌段聚合物并实现了叁进制WORM存储。最后通过自主装成球的方法,我们成功地研究了纳米球的存储性能,这对今后在有机纳米米器件尺寸缩小研究有着重要的借鉴意义。(本文来源于《苏州大学》期刊2018-05-01）
于华轩[7]（2018）在《超支化聚酰亚胺电存储材料的制备与性能研究》一文中研究指出近来,功能化聚酰亚胺由于其优异的热稳定性、出色的机械强度、抗氧化以及耐腐蚀等优点,在聚合物电存储器领域有着广泛地应用前景。到目前为止,已经有了很多针对功能化聚酰亚胺存储性能研究的报道,然而这些报道基本都是基于线型聚酰亚胺的,鲜有关于超支化聚酰亚胺存储性能研究的报道。线型的聚酰亚胺虽然在存储领域具有出色的表现并且有很好的应用前景,但是也存在一定的缺点。功能化的线型聚酰亚胺主链通常含有大量的共轭基团,这样一来就极大降低分子链的柔性,同时共轭基团的引入通常引起π-π密集堆积,得到的聚合物通常溶解性会变得很差对应的加工性能就不会太好。再有针对线型聚酰亚胺的改性,只能通过单体的设计和主链结构的改变来实现,很难通过接枝或者封端来实现。相比较而言,超支化聚酰亚胺由于其独特的叁维球状的高度支化结构,带来了低粘度和高溶解性,有利于存储器件的制备。同时针对超支化聚酰亚胺的改性不再局限于主链结构的调整,可以通过设计功能化基团对超支化聚酰亚胺进行封端改性以调节存储性能。鉴于超支化聚酰亚胺如此的优点,我们在本文探究了超支化结构对存储性能的影响,同时我们对超支化聚酰亚胺进行了主链改性和封端改性以调节聚合物的存储性能。第一、以叁(4-氨基苯基)胺作为给电子体与6FDA缩聚得到超支化聚酰亚胺TPA-6FHBPI,制备了基于该聚合物的ITO/TPA-6FHBPI/Al叁明治结构的存储器件,研究了该器件的各项性能,通过分子模拟的方法并通过与先前报道的线型TP6F-PI作对比探究了超支化结构对存储性能的影响,发现了超支化聚酰亚胺由于LUMO(最低未占有轨道)的简并,开启电压明显降低;设计并合成了一种新的叁胺单体叁(4-(2-(4-氨基苯基)乙炔基)苯基)胺(TAEPA),并以此叁胺作为给电子体与6FDA缩聚得到超支化聚酰亚胺TAEPA-6FHBPI,制备了基于该聚合物的ITO/TAEPA-6FHBPI/Al叁明治结构的存储器件,同样研究了该器件的各项性能,通过分子模拟并与基于TPA-6FHBPI的器件作对比,探究了在主链引入大共轭基团对超支化聚酰亚胺存储性能的影响。发现苯乙炔基团的引入明显改变了超支化聚酰胺的存储性能,一方面因为苯乙炔基提供了电荷转移的通道,使得电荷转移更加容易,大大降低了器件的开启电压;另一方面因为引入苯乙炔基,降低了LUMO能级,使得电荷陷阱更深,当关闭电源后,电荷转移络合物更加稳定导致器件由原来的易失性的SRAM存储类型转变为了非易失性的WORM型存储类型。第二、设计合成了两种分别带有偶氮苯基团和咔唑基团的封端单体,对TPA-6FHBPI进行了封端改性,得到两个新型超支化聚酰亚胺TPA-6FHBPI-AZO和TPA-6FHBPI-OCZ。制备了基于两个聚合物的ITO/polymer/Al叁明治结构的聚合物,研究了器件的各项性能,探究了引入功能化的封端基团对超支化聚酰亚胺的存储性能的影响。由于偶氮苯的共轭结构,增加了聚合物电荷转移的效率,促进了电荷转移络合物的形成,大大降低了存储器件的开启电压;同时带有硝基的偶氮苯基团作为电荷陷阱存在于聚合物中,限制了电荷的回复,稳定了电荷转移络合物,所以TPA-6FHBPI-AZO不再是易失性的存储行为,而表现出了非易失性的WORM型存储性质。引入了带有柔性链的咔唑基团的TPA-6FHBPI-OCZ表现出了叁进制的存储性能,这是由于柔性链的咔唑基团在电场的作用下,会有构象改变的趋势,形成面对面的构象,提供了电荷载流子传输的通道,能够进一步地带来电导率的突变。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-05-01）
杨群[8]（2018）在《叁苯胺—芴共聚物及其复合材料的电存储性能研究》一文中研究指出随着现代社会信息存储需求的增加和半导体技术的迅速发展,阻变式随机存取存储器逐渐取代传统的硅基的半导体存储器进入公众视野。基于具有电阻开关行为的活性薄膜阻变式随机存取存储器作为一种具有发展前途的存储器,已经引起了科学工作者们的广泛研究和显着关注。该存储器具有转换时间快、造价耗费低、存储时间长、便携性等优点,可用于更广泛的有机存储和信息技术。基于以上内容,本文在Suzuki偶联反应的基础上,设计并合成了一种以芴和叁苯胺为基础的共轭交替共聚物,即聚[(9,9-二辛基)-2,7-芴-co-N-4,4'-叁苯胺](PF-TPA),其中叁苯胺(TPA)为电子给体和空穴传输基团。通过傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱和碳谱(~1H-NMR、~(13)C-NMR)对共聚物的结构进行了表征。分别以叁苯胺-芴共聚物(PF-TPA)、PF-TPA:多璧碳纳米管(MWCNTs)和PF-TPA:二氧化钛(TiO_2)的杂化复合材料为活性层,制备了ITO/PF-TPA/Al,ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al和ITO/PF-TPA:TiO_2/Al存储器。与ITO/PF-TPA/Al存储器相比,具有叁明治夹层结构的典型复合基器件ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al和ITO/PF-TPA:TiO_2/Al具有更高的开/关电流比与更好的可重写闪存特性。其中,当多壁碳纳米管的掺杂水平在一定值(5.66 wt.%)时,ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al存储器具有最佳的存储特性,开/关状态电流比增加了2个数量级,阈值电压降低至-1 V。对于ITO/PF-TPA:TiO_2/Al存储器来说,当二氧化钛纳米颗粒的掺杂水平处于0.20 wt.%时,ITO/PF-TPA:TiO_2/Al存储器的开/关电流比高达1.5×10~4,开关阈值电压显着降低。此外,我们进一步探讨了各类型器件的电导开关机制,并进行了稳定性测试。结果表明,叁种类型存储器的电荷传导机制均符合空间电荷限制电流机理,尤其在ITO/PF-TPA:MWCNTs/Al和ITO/PF-TPA:TiO_2/Al存储器中,MWCNTs和TiO_2的存在充当了电子俘获中心,增强了电荷的注入与俘获。并且叁种类型器件均具有良好的稳定性和耐久性,在一定测试时间(3 h)和连续循环次数(3×10~4)下均未发现电流明显衰减。这种具备优异的双稳态非易失性电导开关行为的存储器将在未来数据存储中具有潜在的应用价值。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2018-03-16）
薛建峰,杨朝,梁万雷[9]（2018）在《一种基于单片机控制的铁电存储装置》一文中研究指出这里主要介绍了一种单片机控制的数据传输存储装置,通过单片机进行控制从而实现数据的掉电非易失性存储,当供电停止时,数据不会丢失。该装置除了能够进行海量的数据非易失性存储外,还提供了实时时钟功能,该功能除了能够提供准确的时间信息,还能对时间进行实时的更新。(本文来源于《北华航天工业学院学报》期刊2018年01期）
邱于珍[10]（2017）在《相变电存储薄膜测试方法研究》一文中研究指出相变存储器是一种新型的非易失性存储器,利用硫系化合物的晶态和非晶态的电阻率差异实现存储的。它具有高密度、高可靠性、低功耗、低成本、擦写速度快、与CMOS技术兼容性好等优点,有望取代Flash成为下一代主流存储器,发展前景广阔。相变材料是相变存储器的核心部分,其性能优劣直接关系到器件特性的好坏。针对不同的应用目标,如数据保持力、速度、开关比、操作电流等,提升相变材料的性能已成为目前学术界和工业界的研发热点,其测试工作也已经渗透到研发过程的各个环节中。本文着重对相变薄膜测试方法进行研究,主要研究内容如下:首先利用光电探测器、数据采集卡、Keithley-2400恒流源和Keithley-2182A纳伏表等设备,创建了一个基于LabVIEW的高温光电特性测试系统。通过样品测试和误差分析来评定系统性能,结果表明系统具有较高的稳定性和精度,且在10~(-2)~4×10~6?/sq量程内的系统误差仅为0.2%~0.6%。利用该系统测试了GST薄膜的变温光电特性,发现在150℃~200℃以内,方块电阻快速减小了2个数量级,而薄膜表面反射光强则增大了50%。其次构建了一个基于Keithley-4200和探针台的半导体测试系统,利用它对GST薄膜的直流和脉冲电特性进行测试分析,结果显示GST薄膜的阈值电压和阈值电流均随薄膜厚度增加而增大,但脉冲扫描测试得到的阈值会比直流扫描测试时的大。变脉宽测试结果显示阈值电压随脉宽增加而减小。Set脉冲晶化测试不同厚度的GST薄膜得到的开关比均大于5,可满足实际工程应用需求。Reset脉冲非晶化测试发现薄膜的非晶化窗口随厚度增加而增大,且超过一定厚度的薄膜在实现非晶化后能一直稳定在高阻态。(本文来源于《华侨大学》期刊2017-10-10）
电存储论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
铁电存储器拥有高读写速度、高循环次数以及超低运行功耗叁大优势,并且采用的铁电材料具有很好的抗电离辐射能力,这使其在航空航天领域开始崭露头角。然而,复杂的空间辐射环境依然会使铁电存储器产生辐射效应,导致器件存储数据出错甚至无法正常工作。随着半导体技术节点的推进,单粒子效应逐渐成为了造成微电子器件工作异常的主要因素。目前,针对商用铁电存储器的单粒子效应研究主要局限于器件中不同模块的单粒子效应的敏感性评估,对单粒子效应的内在机制研究相对较少,其出错机制还不清楚。基于此,本文从计算机仿真模拟的角度出发,针对组成铁电存储电路的CMOS元器件的单粒子瞬态效应以及铁电存储电路的单粒子翻转效应的内部机制展开仿真研究,并对外围锁存模块进行了加固设计。主要工作与结果如下:1.器件的叁维建模及铁电存储单元读写电路的搭建。基于脚本的方法,建立了商用铁电电容的叁维简化模型以及90 nm CMOS器件的叁维模型,并进行了工艺校准;结合上述所建的模型,采用器件-电路混合仿真方法设计搭建了2T2C和1T1C铁电存储单元读写电路,并验证了它们读写功能的正确性。2.CMOS器件单粒子瞬态效应的仿真模拟。研究了单个CMOS器件的电荷收集过程和电荷共享效应机制以及SOI加固器件的抗单粒子能力。结果表明,NMOS的有效收集深度在1.5~2μm之间,PMOS的有效收集深度在0.5~1μm之间;当单粒子入射主器件时,双阱工艺下从器件收集的电荷仅来自电离电荷的漂移扩散作用,而叁阱工艺下从器件收集的电荷来自漂移扩散作用和双极放大作用,因此叁阱工艺下电荷共享效应要比双阱工艺下更严重;在两种SOI加固器件中,选择性埋氧层上硅器件相对浮体SOI器件具有更优异的抗单粒子能力,且它在200~450 K范围内有效抑制了温度对单粒子脉冲宽度的影响。3.铁电存储电路单粒子翻转效应的仿真模拟。研究了不同敏感节点的瞬态脉冲对数据读写的影响,并对外围锁存结构提出了相应的加固设计方案。结果表明,单粒子入射字线晶体管时,数据未发生翻转,主要是因为铁电电容极化信息波动后又恢复至原状态;单粒子入射板线激发器和灵敏放大器时,存储数据发生了翻转,主要是因为读出出错导致了回写数据翻转;单粒子入射外围锁存电路时,由于电荷共享效应的作用,DICE锁存结构发生了单粒子多位翻转。为此,本文提出了选择性埋氧层上硅工艺加固和电容耦合加固两种方案。其中,电容耦合加固DICE结构的单粒子多位翻转阈值比未加固时提高了6倍之多。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
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