本文主要研究内容
作者胡跃文,谢生,叶崇光,周高磊,毛陆虹（2019）在《与Si CMOS兼容的Graphene/MoS2异质结全差分光电探测器和读出电路》一文中研究指出：提出了一种基于Graphene/MoS2异质结的全差分光电探测器。利用标准半导体微纳加工技术,制作了有效区域为2.3μm×10μm的Graphene/MoS2异质结结构,用以产生差分光电流;使用0.18μm CMOS工艺设计了差分放大与恒压控制电路,实现光电流到电压的转换和放大。结果表明:在白光照射下,单个Graphene/MoS2异质结结构光响应度达2 435 A/W。差分光生电流经过差分放大器后,以电压形式输出,总光响应度加倍。该全差分光探测器基于新型二维材料,对可见光具有较高的灵敏度,在可见光探测和成像领域具有广阔的应用前景。
Abstract
di chu le yi chong ji yu Graphene/MoS2yi zhi jie de quan cha fen guang dian tan ce qi 。li yong biao zhun ban dao ti wei na jia gong ji shu ,zhi zuo le you xiao ou yu wei 2.3μm×10μmde Graphene/MoS2yi zhi jie jie gou ,yong yi chan sheng cha fen guang dian liu ;shi yong 0.18μm CMOSgong yi she ji le cha fen fang da yu heng ya kong zhi dian lu ,shi xian guang dian liu dao dian ya de zhuai huan he fang da 。jie guo biao ming :zai bai guang zhao she xia ,chan ge Graphene/MoS2yi zhi jie jie gou guang xiang ying du da 2 435 A/W。cha fen guang sheng dian liu jing guo cha fen fang da qi hou ,yi dian ya xing shi shu chu ,zong guang xiang ying du jia bei 。gai quan cha fen guang tan ce qi ji yu xin xing er wei cai liao ,dui ke jian guang ju you jiao gao de ling min du ,zai ke jian guang tan ce he cheng xiang ling yu ju you an kuo de ying yong qian jing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自光电子·激光的胡跃文,谢生,叶崇光,周高磊,毛陆虹，发表于刊物光电子·激光2019年04期论文，是一篇关于异质结论文,二维材料论文,全差分光电探测电路论文,光响应度论文,光电子·激光2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自光电子·激光2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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